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索泰克公司专利技术
索泰克公司共有220项专利
将原子物种注入到压电衬底中的方法技术
本发明涉及一种将原子物种注入到压电衬底中的方法,该方法包含以下步骤:I)提供包括压电部分(112、210、310)和导电部分(122、320)的衬底(100、200、300);III)将具有导电部分(122、320)的衬底(100、20...
具有不同的热膨胀系数的两个衬底的组装件制造技术
本发明涉及具有不同的热膨胀系数的两个衬底的组装件。将包含第一材料的薄层转移到包含第二材料的支撑衬底上的方法,第一材料和第二材料具有不同的热膨胀系数。转移薄层的方法包括:提供供体衬底,该供体衬底由处置衬底以及通过第一材料形成的厚层的组装件...
生产多层结构的方法技术
用于生产多层结构
包括绝缘体上半导体衬底的NCFET晶体管制造技术
本发明涉及一种包括用于场效应晶体管的绝缘体上半导体衬底的NCFET晶体管,该NCFET晶体管从其基部到其表面依次包括:半导体载体衬底(1);单个铁电层(2),其被布置成与载体衬底(1)直接接触,该层被设计成被施加偏压以形成负电容;以及半...
用于调节外延工艺的温度条件的设置方法技术
本发明涉及一种用于形成硅层的外延工艺的设置方法,其包括:a)在硅基晶片中选择一种类型的测试衬底,所述测试衬底:具有比对于给定衬底直径的通常厚度小20%至40%的厚度,和/或间隙氧浓度小于10ppma ASTM'79,和/或包含SOI堆叠...
制造碳化硅基半导体结构和中间复合结构的方法技术
本发明涉及一种制造半导体结构的方法,所述方法包括:a)提供由热膨胀系数接近碳化硅的热膨胀系数的材料制成的临时衬底的步骤;b)在所述临时衬底的正面上形成中间石墨层的步骤;c)将多晶碳化硅支撑层沉积在所述中间层上的步骤,所述支撑层的厚度介于...
适用于射频应用的由硅制成的支撑衬底及相关制造方法技术
本发明涉及一种用于射频应用的支撑衬底(10),该支撑衬底包括:
用于制造包括包含聚集体的界面区域的半导体结构的方法技术
本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法,该方法包括以下步骤:a)提供由半导体材料制成的工作层;b)提供由半导体材料制成的载体衬底;c)在工作层的待接合的自由面上和/或在载体衬底的待接合的自由面上淀积厚度小于50nm的膜,该膜由与工作层和...
用于薄层转移的供体衬底及相关转移方法技术
本发明涉及一种供体衬底(100),用于将第一材料制成的单晶薄层(1)转移到受体衬底(2)上,所述供体衬底(100)具有正面(100a)和背面(100b),并且包括:
制造用于外延生长基于镓的III-N合金层的基板的方法技术
本发明涉及一种制造用于外延生长基于镓的III
包括可变形层和压电层的用于MEMS应用的复合结构及相关制造方法技术
本公开涉及一种复合结构(100),该复合结构包括:-受体衬底(3),其具有限定在所述衬底中并且没有固体材料或填充有牺牲固体材料的至少一个空腔(31);-置于所述受体衬底(3)上的单晶半导体层(1),所述层在所述结构的整个范围上具有自由表...
用于转移膜的方法技术
本发明涉及一种用于生产器件(10)的方法,该器件包括悬于至少一个空腔(11)上方的压电膜(14),该方法包括:a)提供支撑衬底(1),该支撑衬底配备有在该支撑衬底的正面(12)上开口的空腔(11),所述空腔(11)具有大于30μm的横向...
包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法技术
本发明涉及一种半导体结构(100),其包括由单晶半导体材料制成并沿着主平面(x,y)延伸的有用层(10)、由半导体材料制成的支撑基板(30)以及在有用层(10)和支撑基板(30)之间的界面区域(20),支撑基板平行于主平面(x,y)延伸...
生产用于外延生长基于镓的III-N合金层的衬底的方法技术
本发明涉及一种制造用于外延生长氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铟镓(InGaN)层的衬底的方法,所述方法包括以下连续步骤:
将薄层转移到设有电荷俘获层的载体衬底的方法技术
本发明涉及一种将薄层(5)转移到支承衬底(1)上的方法,该方法包括使用制备方法来制备支承衬底(1),该制备方法包括提供在主面上具有电荷俘获层(2)的基础衬底(3)并且在电荷俘获层(2)上形成厚度大于200nm的介电层(4)。一旦介电层(...
制造热光组件的方法技术
本发明涉及一种制造热光组件的方法,所述方法包括以下步骤:a)提供SOI基板,该SOI基板包括:
用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法技术
本发明涉及一种由单晶硅制成的载体衬底(10),载体衬底(10)具有正面(10a)和背面(10b),并且包括:
用于制备薄层的工艺制造技术
本发明涉及一种制备薄层(1)的工艺,该工艺包括以下步骤:弱化步骤(S2),该弱化步骤用于在供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3),该弱化区(3)不延伸到供体基板(2)的外围部分(2p)中;接合步骤(S3),该接合步骤将供体基...
制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法技术
本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法,该方法包括以下步骤:
用于表面声波器件的混合结构制造技术
本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构,所述混合结构包括压电材料的有用层,有用层具有自由的第一面和被放置在支撑衬底上的第二面,支撑衬底的热膨胀系数低于有用层的热膨胀系数,其中,混合结构包括:布置在有用层的第二面上的第二中间层;位于支撑...
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