本发明提供用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法。本发明方法是采用蚀刻剂的化学蚀刻工艺，所述蚀刻剂相对于硅相优先从多相硅合金蚀刻并去除其它相，且允许获得残余的硅纳米线和/或纳米带。在蚀刻前，所述硅合金在所述多相硅合金的微结构中包含或经处...