一种充电站包含一前置模块、一支撑部、二移动组件、二支臂及至少一控制单元。前置模块具有一充电头。支撑部与前置模块彼此分离。每个移动组件包含一移动件与一马达装置。移动件受到支撑部的支撑，马达装置用以驱动移动件沿着支撑部移动。每个支臂分别枢接...

本发明公开一种功率模块。功率模块包括电性互连组件以及至少一电子元件组。电性互连组件包括导电结构以及线路板。导电结构包括并排设置且相互绝缘的第一导电件以及第二导电件。线路板设置在导电结构上。线路板定义出一开口，且开口局部地对应于第一导电件...

一种无线充电系统及其自主移动载具。自主移动载具包含一载具本体、一电力储存装置及一电力接收模块。载具本体具有一凹陷部与一接通凹陷部的开口。电力储存装置位于载具本体内。电力接收模块包含一线圈装置。线圈装置电连接电力储存装置，位于凹陷部内，且...

本发明提供一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。半导体元件包括外延层、底部绝缘层、栅绝缘层、遮蔽电极、栅极及隔离结构。外延层具有至少一沟槽，底部绝缘层与栅绝缘层分别覆盖沟槽的下方内壁面与上方内壁面。遮蔽电极设置于至少一沟槽内，底部绝缘层...

一种无线充电系统及其充电站，无线充电系统包含一电力发送模块与一电力接收模块。电力发送模块包含一第一充电头及多个第一线圈。这些第一线圈位于第一充电头上，且彼此并联连接。电力接收模块包含一第二充电头及多个第二线圈。这些第二线圈位于第二充电头...

本实用新型公开一种功率模块。功率模块包括电性互连组件以及至少一电子元件组。电性互连组件包括导电结构以及线路板。导电结构包括并排设置且相互绝缘的第一导电件以及第二导电件。线路板设置在导电结构上。线路板定义出一开口，且开口局部地对应于第一导...

一种洗澡辅助组件包含轮椅架、支撑架以及座椅架。轮椅架包含第一承载部以及第一衔接部。支撑架包含第二承载部以及第二衔接部。座椅架配置以承载于第一承载部上并可拆卸地与第一衔接部衔接。或者，座椅架配置以承载于第二承载部上并可拆卸地与第二衔接部衔...

一种无线充电系统及其电动摩托车，电动摩托车包括一车体、一电力储存装置、一无线电力接收模块与一耦合件。无线电力接收模块电连接电力储存装置。耦合件位于无线电力接收模块上，用以可分离地耦合至一无线充电站的一充电头，使得无线电力接收模块直接抵靠...

一种清洗装置，其包括一第一架体、一第二架体以及一清洗元件。第一架体包括一第一吊挂架、一第二吊挂架以及一乘坐结构。乘坐结构连接第一吊挂架以及第二吊挂架。清洗元件包括一第一支撑杆、一第二支撑杆以及一清洁槽。清洁槽连接第一支撑杆以及第二支撑杆...

本发明公开一种沟槽式功率半导体组件及其制造方法。在沟槽式功率半导体组件的制造方法中，形成沟槽式栅极结构的步骤是先在沟槽内形成遮蔽电极、底部绝缘层以及上绝缘层。底部绝缘层覆盖沟槽的一下方内壁面，并围绕遮蔽电极。上绝缘层覆盖沟槽的一上方内壁...

一种无线充电装置包含一机壳、一线圈模块、一理线元件及一供电线。线圈模块位于机壳内。理线元件位于机壳内，且包含彼此不同的一第一区与一第二区。供电线包含一接头与一线缆。线缆具有可回复弹性，连接线圈模块与接头。线缆弯曲地位于第一区内。当线缆被...

本发明公开一种半导体功率元件及其制造方法。半导体功率元件的制造方法包括：形成半导体层于基材上，半导体层内已至少形成基体区以及位于基体区内的源极区，且源极区的边缘与基体区的边缘之间定义出通道区；形成栅极堆叠结构于半导体层上，并在垂直方向上...

一种无线充电系统、无线充电站以及车辆。无线充电系统包含无线电力接收模块、至少一接收端磁性耦合元件、无线电力发送模块以及至少一发送端磁性耦合元件。接收端磁性耦合元件设置于无线电力接收模块上。发送端磁性耦合元件设置于无线电力发送模块上，并配...

制作半导体元件的方法包含以下操作：提供一基材；形成图案化遮罩层于基材上，图案化遮罩层具有第一开口，第一开口暴露出基材的一部分；移除暴露的基材部分，以在基材中形成凹槽，凹槽具有底部和侧壁；经由第一开口在凹槽的底部和侧壁掺杂第一n型掺杂剂，...

一种无线充电电池模块与具有无线充电电池模块的电动自行车。无线充电电池模块包含有一充电底座、一支撑架以及一无线充电板。支撑架连接充电底座，而无线充电板电性连接充电底座。其中，支撑架用来安装无线充电电池模块在一电动自行车上，以便于使用者进行...

本发明公开一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构包括一遮蔽电极、一位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极与栅极之间的极间介电层。在形成极间介电层之前，形成沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成一叠层结构覆盖...

一种半导体元件与其制造方法。半导体元件包含基板、磊晶层、第三介电层、屏蔽层、第四介电层、栅极、多个掺杂区以及第五介电层。磊晶层位于基板上。第三介电层设置于磊晶层的第一沟渠中，并形成第二沟渠于第一沟渠中。屏蔽层具有上半部分与下半部分，其中...

一种半导体元件的制造方法，包含以下步骤。首先，形成磊晶层于基板上。然后，形成体区于磊晶层的上半部分。接着，形成第一沟渠于磊晶层中。之后，依序形成第一介电层、第二介电层以及第三介电层于磊晶层上，其中第三介电层形成第二沟渠，第二沟渠位于第一...

一种沟槽式功率半导体元件的制造方法，以形成沟槽内具有遮蔽电极以及栅极电极的沟槽式功率半导体元件。沟槽式功率半导体元件的制造方法中至少包括形成沟槽栅极结构于外延层的沟槽内。沟槽栅极结构具有遮蔽电极、位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极...

本发明公开一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构位于一磊晶层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极、绝缘层、中间介电层以及一内介电层。遮蔽电极设置于至少一元件沟槽的底部，栅极设置于遮蔽电极上并与遮蔽电极...