本公开涉及半导体发光元件，其包括：外部基板，其具备底部以及与第一半导体发光元件芯片的电极以及第二半导体发光元件芯片的电极电连接的导电层；第一半导体发光元件芯片，其设置在外部基板，并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成紫外线的有源层的多...

本公开涉及半导体发光元件，基板；第一半导体层，其设置在基板上，具有第一导电性；有源层，其设置在第一半导体层上，通过电子和空穴的再结合而生成紫外线；第二半导体层，其设置在有源层上，具有与第一导电性不同的第二导电性；第一电极，其与第一半导体...

半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生光的有源层；透镜形状的封装构件，该封...

半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构...

本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，包括多个半导体层和电极，多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，上述电极与多个半导...

半导体发光器件。本发明提供了一种半导体发光器件，包括：多个半导体层，包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于第一半导体层和第二半导体层之间并且经由电子空穴复合产生光的有源层；不导电反射膜...

本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子‑空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层、第二半导体层以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子‑空穴复合产生光的有源...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向...

本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝...

本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射...

本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合...

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，包括具有第一半导体层、第二半导体层以及有源层；向第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；形成在第二半导体层上...

用于半导体发光器件的框架。公开了一种用于半导体发光器件的框架，该框架用以接纳半导体发光芯片，该框架包括：侧壁；以及底部，该底部连接到侧壁，并且具有用于接纳半导体发光芯片的至少一个孔。

本公开涉及半导体发光元件的制造方法(METHOD OF MANUFACTURING S EMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)，其特征在于，该制造方法包括：在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤；使用识别...