本技术涉及TVS技术领域，特别是一种TVS的封装单元，包括上部封装壳和下部封装壳，所述下部封装壳内部的底侧固定连接有导热硅胶，所述导热硅胶的顶侧设置有TVS二极管，所述导热硅胶的底侧设置有若干个第一散热结构。本技术的优点在于：通过上部封...

本技术涉及二极管技术领域，具体为一种高密度防护的TVS二极管，包括底板和TVS二极管，所述底板的顶部固定安装有支撑台和安装柱，所述支撑台的顶部设置有第一防护槽，所述第一防护槽的内壁固定连接有限位环。本技术的优点在于：通过底板、支撑台、安...

本实用新型公开了一种具有针脚拆卸结构的MOS管，包括MOS主体，所述MOS主体一侧均匀设置有拆卸块，所述拆卸块内部均贯穿设置有针脚，所述拆卸块和针脚通过固定螺丝固定连接，所述固定螺丝螺纹连接于拆卸块的顶端，所述拆卸块靠近MOS主体的一侧...

本实用新型公开了一种低压大电流Mosfet功率模块，它涉及低压大电流能量转换技术领域；每一个Mosfet芯片的栅极和源极均与驱动保护线路板连接；散热基板体的内部设置有数个横向贯通的散热孔一，散热基板体的内部设置有数个前后方向的贯通的散热...

本实用新型公开了一种封装式肖特基二极管，它涉及二极管技术领域；肖特基芯体的阳极与阴极上分别连接有引脚，肖特基芯片的外表面包裹有绝缘薄膜，肖特基芯片的外侧套接有抗压管体，抗压管体的内下端通过封装胶层与肖特基芯片固定连接，抗压管体的上端固定...

本实用新型公开了一种散热式稳压二极管，它涉及稳压二极管技术领域；稳压芯片的外侧壁上包裹有绝缘薄膜，稳压芯片安装在散热管体内，稳压芯片的下端连接有两个引脚，稳压芯片的底部通过绝缘封装胶层封装在散热管体内，散热管体的上端固定安装有上压盖，上...

本实用新型公开了一种高强度式稳压二极管，它涉及稳压二极管技术领域；稳压芯片的外侧壁上固定安装有数个定型圈，数个定型圈之间通过数个连接柱体固定连接，数个连接柱体为散热空隙，数个定型圈的外侧壁上固定安装有支撑柱，稳压芯片封装在外封装壳内，外...

本实用新型公开了一种贴片式晶闸管浪涌保护器，它涉及晶闸管浪涌保护器技术领域；陶瓷封装体的内部设置有上部开口的安装槽，安装槽的内侧壁上设置有散热片体，散热片体的内侧壁上设置有绝缘薄膜，晶闸管浪涌保护器本体安装在安装槽内，且在绝缘薄膜的内侧...

本实用新型公开了一种贴片式双肖特基二极管，它涉及二极管技术领域；第一肖特基二极管与第二肖特基二极管的阴极通过接线体二相连接，第一肖特基二极管与第二肖特基二极管的阳极均连接有接线体一，接线体一的下端与阴极引脚体焊接连接，阴极引脚体与接线体...

本实用新型公开了一种带有固定器的晶体管，它涉及晶体管技术领域；封装外壳的内部设置有封装槽，封装槽的内部设置有晶体管体，且晶体管体与封装槽的侧壁上设置有空隙，晶体管体的下端通过封装胶体封装在封装槽内部，晶体管体的下端连接有引脚，且引脚穿接...

本实用新型公开了一种单通道低电容瞬态电压抑制器件，它涉及半导体微电子技术领域；整流二极管一的正极与TVS管通过第一连接体固定连接，整流二极管一的负极、整流二极管二的正极通过第一连接体电性连接，TVS管的负极与整流二极管二的负极通过第二连...

本实用新型公开了一种带有热保护的气体放电管，它涉及气体放电管技术领域；外壳的一端固定连接有第一电极，第一电极通过连接片与第二电极电性连接，第二电极与第一金属片固定连接，第一金属片与第二金属片活动连接，第一金属片与第二金属片均固定安装在安...

本实用新型公开了一种TVS限压保护器件，它涉及热敏元件技术领域；内壳体的内部固定连接有橡胶套，内壳体的外侧壁上固定安装有数个加强内圈体，加强内圈体的外侧壁上固定安装有外壳体，外壳体的外侧壁上设置有数个外加强圈体；所述加强内圈体包括内圆圈...