本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。此半导体结构包含基板、外延层、阱、栅极电极、导电结构与源极电极。基板具有第一导电型。外延层具有第一导电型并设置于基板上。阱具有不同于第一导电型的第二导电型并设置于外延层中。栅极电极设置于阱上。导电...

本发明实施例提供半导体装置。半导体装置包括半导体基板、第一深阱、至少两个第二阱、多个隔离结构以及注入区。第一深阱设置于半导体基板中，其中第一深阱具有第一导电类型。至少两个第二阱设置于第一深阱上，其中第二阱具有第二导电类型。多个隔离结构覆...

一种半导体结构的制造方法，包括提供衬底；在衬底上方形成图案化硬质掩膜层；刻蚀前述的图案化硬质掩膜层，使图案化硬质掩膜层有一引线孔至少贯穿图案化硬质掩膜层；在引线孔中形成阻挡部；去除图案化硬质掩膜层；在衬底内形成阱并对应阻挡部；以及形成栅...

本发明公开了一种微机电装置及其制造方法，该微机电装置包括第一基板、互连层、微机电装置层、停止部件和第二基板；互连层设置于第一基板上，包含交替堆栈的多个导电层与多个介电层；微机电装置层键合在互连层上，包含质量块；停止部件设置在质量块正下方...

一种半导体装置，包含第一导电类型的磊晶层设置于基底的表面上，沟槽设置于磊晶层中，栅极结构设置于沟槽内，包含上方导电部和下方导电部，介电分隔部设置于上方导电部和下方导电部之间，介电衬层设置于沟槽内且围绕栅极结构，介电衬层具有开口位于沟槽的...

一种半导体器件，包括绝缘基层、半导体层、绝缘层、隔离沟渠及吸除部位。半导体层及绝缘层依序设置于绝缘基层之上，且隔离沟渠设置于半导体层中且贯穿绝缘层。隔离沟渠由上至下包括第一截面、第二截面及第三截面，第一截面高于绝缘层的底面，第二截面及第...

本发明公开了一种电压追踪电路以及电子电路，所述电压追踪电路用以追踪第一电压端上的第一电压与第二电压端上的第二电压中的一个以产生输出电压。电压追踪电路包括第一与第二P型晶体管以及一控制电路。第一P型晶体管的漏极耦接第一电压端。第二P型晶体...

一种微机电装置，包含支撑基板、空腔、停止部件、微机电结构和键合介电层。空腔位于支撑基板的顶面，停止部件与空腔相邻，停止部件的顶面与支撑基板的顶面在同一高度。微机电结构设置于支撑基板上，微机电结构包含质量块和悬臂，质量块设置在停止部件正上...

一种非挥发性存储器装置的控制方法，非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及控制电路，控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管及参考晶体管。控制方法包含在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，控制电路读取周期晶体管，...

一种半导体装置，包含基底

本发明公开了一种半导体元件布局及布局改变的检查方法，该半导体元件布局，包括至少一层以上的半导体层以及一虚设层

本发明实施例提供半导体装置及其形成方法

本申请公开一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构，包括一基底

本发明公开了一种微机电装置及其制造方法，该微机电装置包括：一支撑基板；一空腔，设置在所述支撑基板中；一停止部件，设置在所述支撑基板与所述空腔之间，且该停止部件的一内侧壁与所述空腔接触；其中该停止部件包括一填充材料和一衬层，所述填充材料围...

一种半导体装置，包含基底、基体区、源极区、第一沟槽电极、第一介电盖层、第一介电衬层及导电层。基体区位于基底上，源极区位于基体区上，第一沟槽电极穿过源极区、基体区与部分基底，第一介电盖层包含第一介电部位于第一沟槽电极的正上方及复数个第一介...

本申请公开一种半导体元件及其形成方法，其中，所述半导体元件，包括：衬底；晶种层，设置于衬底上；化合物半导体叠层，设置于晶种层上；源极金属层和漏极金属层，设置于化合物半导体叠层上；以及导电层，至少部分覆盖源极金属层和漏极金属层，且覆盖晶种...

一种保护电路。保护电路耦接一焊垫且包括一触发电路以及一放电电路。触发电路包括串联耦接于焊垫与一接地端之间且具有一第一导电类型的一第一晶体管与一第二晶体管。触发电路检测在焊垫上是否发生一瞬变事件。放电电路耦接于焊垫与接地端之间，且受控于触...

本发明提供一种半导体结构。所述半导体结构包括至少一第一井区设置在一半导体基底中，并具有一第一导电类型。一晶体管的至少一栅极设置在所述第一井区上方且沿一第一方向延伸。至少一第二井区和至少一第三井区设置在所述第一井区的相对两侧且沿所述第一方...

一种半导体元件及其形成方法，其中该半导体元件包括具有第一导电类型的衬底、设置于衬底上的外延层、设置于外延层中的掺杂区、以及设置穿过掺杂区并延伸进入外延层中的栅极电极。外延层具有第一导电类型，而掺杂区具有第二导电类型，第二导电类型不同于第...

一种半导体基底的制作方法，包括以下步骤。提供一第一晶圆，并且蚀刻该第一晶圆的一第一表面以形成多个空腔。在该第一表面上形成一第二晶圆，其中形成该第二晶圆包括以下步骤：提供一核心基底；在该核心基底上形成一第一绝缘层；以及在该第一绝缘层和该核...