提供能够可靠地降低晶片表面的LPD的半导体晶片的清洗方法。本发明的半导体晶片的清洗方法具有：第一工序，在向表面滴加的液滴的量彼此不同的多个条件下测定半导体晶片的前述表面的接触角；第二工序，根据前述多个条件下的前述液滴的量与前述接触角的测...

提供能够检测在基于纯水的接触角测定中无法检测到的硅晶片表面的严苛的亲水性水平差异的硅晶片的接触角测定方法。本发明的硅晶片的接触角测定方法包括：向硅晶片的表面滴加液滴的工序；以及根据前述液滴的图像来测定前述硅晶片的表面的接触角的工序，前述...

提供一种在双面研磨中能够在工件整体及工件外周部的形状成为作为目标的形状的时间点使双面研磨结束的工件的双面研磨装置。运算部(13)根据由工件厚度计测器计测出的工件的厚度数据，求出工件的形状成分、工件的形状成分的工件上的工件径向的位置、工件...

本发明提供一种外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法。所述外延硅晶片的制造方法具备：外延膜形成工序，在三氯硅烷气体环境下，在硅晶片的表面形成由硅构成的外延膜；以及氮浓度设定工序，在氮气环境下，对在外延膜形成工序中形成了外延膜的硅晶片进行热处理...

提供一种硅单晶的制造方法，通过直拉法，从贮存在容纳于腔室内的坩埚中且添加有挥发性掺杂剂的硅熔液提拉硅单晶，其中，在硅单晶的提拉前，从腔室将气体排气时的减压速度ES为，在腔室内的压力至少从大气压下降到80kPa的期间中为以下的范围内：0k...

本发明提供一种晶片制造方法，所述晶片具有槽口部，所述晶片制造方法包括如下工序：双面抛光工序，抛光晶片的两个主面；槽口镜面抛光工序，镜面抛光槽口部的槽口倒角部；外周镜面抛光工序，镜面抛光晶片中外周部的外周倒角部；以及精抛工序，精抛晶片的一...

本发明中，关系数据表示距旋转平台的中心的距离不同的两点以上的位置处的上平台和下平台之间的距离即平台间距离与工件的平坦度的关系，基于关系数据算出前述平台间距离的最佳值。通过控制旋转平台的形状，将前述平台间距离控制成前述最佳值。

晶片的外观检查装置10具备控制部12，控制部12生成包括将晶片面沿圆周方向分为多个区域进行拍摄的部分图像41～45的晶片面的多个整体图像40，基于多个整体图像40来生成平均图像50，基于平均图像50来检测晶片面的异常。

本发明提供一种研磨头，具有：第一环状部件；封闭部件，封闭第一环状部件的开口部的上表面侧开口；膜片，封闭第一环状部件的开口部的下表面侧开口；以及第二环状部件，位于上述膜片的下方并且具有保持研磨对象的工件的开口部。将朝向第一环状部件的开口部...

本发明提供一种半导体晶片的清洗装置，其能够抑制在半导体晶片的背面产生颗粒。所述半导体晶片的清洗装置(1)包括：旋转台(11)，在中心具有开口部(11a)；晶片保持部，设置于旋转台(11)的上表面，并保持作为清洗对象的半导体晶片(W)；返...

提供可降低单晶硅的碳污染及针孔产生率的石英玻璃坩埚及其制造方法以及单晶硅的制造方法

一种研磨条件确定用关联关系式的制成方法，包含下述步骤：根据包含多个研磨参数的多个研磨条件来进行半导体晶片的研磨，通过实测来获取这些多个研磨条件下的研磨中的半导体晶片的面内研磨量分布信息；根据包含多个研磨参数的研磨条件来进行半导体晶片的研...

提供可防止结晶化促进剂的涂布膜剥离，且可尽量均匀地维持结晶化促进剂的浓度的面内分布的石英玻璃坩埚及其制造方法以及单晶硅的制造方法

本发明提供一种硅单晶锭的评价方法，包括：从评价对象的硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；通过实施镜面加工，将上述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；利用激光表面检查装置对上...

本发明提供硅晶片，其是通过含有超高浓度的硼而极低电阻化的硅晶片，可形成高浓度的氧沉淀物而具有高吸杂能力，并且，在形成外延层时可抑制以氧沉淀物为起点的外延缺陷。本公开涉及由单晶硅构成的硅晶片，其含有硼作为掺杂剂，电阻率为1mΩ

加热部(1)加热石英坩埚(4B)内的硅熔体(M)。该加热部(1)具有一体成型为圆筒状的发热部(11)和将电力供给到发热部(11)的4个电力供给部(12A～12D)。在以虚拟面(VS)将加热部(1)一分为二的情况下，将位于虚拟面(VS)的...

本发明提供一种贴合晶圆用支撑基板的制造方法，所述贴合晶圆用支撑基板通过使活性层用基板与支撑基板隔着绝缘膜贴合而成，所述贴合晶圆用支撑基板的制造方法具有：支撑基板主体准备工序(S21)，准备由单晶硅晶圆组成的支撑基板主体；氧化膜形成工序(...

本发明的目的在于提供可促进堆积在排气管内的氧化物的燃烧的单晶硅锭的制造设备以及单晶硅锭的制造方法。本发明的单晶硅锭的制造设备具备与单晶硅锭的制造装置连接的排气管路和通过所述排气管路抽吸供给到所述单晶硅锭的制造装置内的惰性气体的真空泵，所...

一种硅晶片的抛光方法，其包括将前段抛光工序和其后的精抛工序作为最终抛光工序进行的步骤，所述硅晶片的抛光方法中，所述最终抛光工序中的所述精抛工序包括：精浆料抛光工序，使用磨粒的密度为1

本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用切克劳斯基法从掺杂剂添加到硅熔液中的掺杂剂添加熔液提拉单晶硅并使其生长，所述单晶硅的培育方法中，计算单晶硅中发生异常生长的时刻的掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即临界CV值，以使掺杂剂浓度C与提拉速度...