本发明属于DAC领域，具体涉及电流注入混合型宽输出电压范围的DAC转换器及转换方法。本发明提供的一种转换器包括基准电流注入模块Iref、电阻串模块、控制模块、电压调整模块和误差放大模块；基准电流注入模块Iref的输入端接外部电压VDD，...

本发明提供了一种同步整流Vcc供电方法及供电电路，用于解决现有采用二极管防止电流倒流的同步整流Vcc供电电路存在的会产生二极管压降，进而导致VCC端口电压降低进入欠压锁定状态的技术问题。本发明同步整流Vcc供电方法为：在VD端口和VCC...

本发明涉及浪涌抑制领域，具体涉及一种浪涌抑制器芯片及高边智能驱动器。该芯片包括浪涌抑制单元和栅极电压限制单元；浪涌抑制单元用于检测VBB端电压，并判断该电压是否超出预设值，从而判断是否出现浪涌电压，并在出现浪涌电压时，控制栅极电压限制单...

本发明提供了一种带短路测试的芯片老化测试系统及测试方法，用于解决现有芯片老化测试方法中没有验证芯片在长期工作下的短路保护能力，以及现有短路测试方法一次只能完成少量芯片的短路测试，且容易发生炸片、起火等技术问题。本发明提供的老化测试系统，...

本发明提供了一种高侧驱动芯片的电压源电路及其控制方法，用于解决现有高侧驱动芯片的电压源电路在低压输入情况下，需要损耗一个PMOS管的阈值电压，从而导致高侧驱动芯片损耗增加的技术问题。本发明提供的一种高侧驱动芯片的电压源电路，通过基准电流...

本公开揭示了一种LDMOS器件，包括：N+衬底，所述N+衬底上设置有外延层，所述外延层上设置有P型阱，所述P型阱表面设置有N型阱，所述N型阱表面设置有漏极，所述N型阱内设置有P/N/P结构；所述P型阱表面还设置有源极，所述源极和N型阱之...

本发明公开了一种栅极驱动器控制方法和电路，该方法包括：在检测到通过所述栅极驱动器驱动所述MOS管打开时，启动所述温度检测电路及所述电流检测电路；通过所述温度检测电路输出第三电阻两端的电压，并基于所述第三电阻两端的电压确定所述栅极驱动器的...

本发明涉及MOS管领域，具体涉及一种分离栅MOSFET结构及其制备方法。该结构包括衬底；位于衬底上表面的X个依次叠放设置的漂移层；X个漂移层上分别设置有沟槽，位于各个漂移层有源区内的沟槽为有源区沟槽，位于各个漂移层终端区内的沟槽为终端区...

本发明提供了一种自动取芯设备及取芯方法，用于解决现有取芯设备存在的效率低下以及无法检测装反或漏装等技术问题。本发明的自动取芯设备包括华夫盒工装、检测机构、传送轨道、上料机构、取芯机构和下料机构。上料机构用于将华夫盒工装转移至传送轨道上；...

本公开揭示了一种包络追踪装置，包括：任意波形发生器、包络追踪器、采样模块、射频信号发生器、校正模块和射频功率放大器，其中，所述包络追踪器用于对由所述任意波形发生器发送的任意波形信号进行包络追踪，以输出包络追踪信号；所述采样模块用于对由所...

本发明提供一种电机驱动器及电机系统，包括：三相波形控制模块；每相波形控制模块均与供电母线相连，且所有的波形控制模块均封装于同一芯片内；每相波形控制模块均包括：高侧输入通路

本发明提供了一种芯片激光打标装置及打标方法，用于解决现有芯片打标装置只能对封装切割好的芯片逐一进行打标，导致人工工作量大

本发明提供一种

本发明提供一种分离栅沟槽

本公开揭示了一种用于高侧驱动芯片的过流保护电路，其中，所述过流保护电路设置于高侧驱动芯片内，所述过流保护电路的输入端连接高侧驱动芯片内的

本发明提供一种从机设备

本发明提供一种加快开关电源中重载切换轻载响应速度的电路及方法，包括：ZCD信号计数模块、ZCD信号间断判定模块和与门模块；ZCD信号计数模块分别与ZCD信号间断判定模块和与门模块相连；ZCD信号间断判定模块用于判断输入的ZCD信号是否为...

本说明书实施例提供一种二极管替代电路及具有其的栅极驱动芯片，二极管替代电路包括：输入逻辑模块、电平移位模块和高压开关模块；输入逻辑模块的输入端适用于与控制芯片电连接，输入逻辑模块的输出端与电平移位模块的输入端电连接；电平移位模块的输出端...

本发明提供一种纵向BCD器件及制备方法，纵向BCD器件包括：N型衬底、第一N型外延层、第二N型外延层、P型埋层、BCD结构和Trench VDMOS结构；第一N型外延层外延生长于N型衬底的表面，第二N型外延层外延生长于第一N型外延层的表...

本发明提供了一种线性平面功率VDMOS结构及其制备方法，用于解决现有VDMOS结构只适用于小尺寸功率MOS，且采用高浓度高能杂质离子注入与二次退火方案形成势垒屏蔽结构时工艺实现困难、稳定性较差，以及JFET区电阻过大的技术问题。本发明提...