上海芯石半导体股份有限公司专利技术

上海芯石半导体股份有限公司共有12项专利

  • 本发明公开了一种采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件,与传统的离子注入形成阱区的工艺相比,掺杂杂质分布的均匀性大大提升,因而进一步带来器件特性上的提高,突出表现在更好的开启电压均匀性,更好的导电通道电阻值的稳定性、可重复性,更...
  • 本实用新型公开了一种耐用的碳化硅肖特基二极管,包括碳化硅二极管外壳,碳化硅二极管外壳为L形结构,碳化硅二极管外壳的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚,碳化硅二极管外壳的两侧对称设有碳化硅二极管散热片,碳化硅二极管外壳的L形台阶的顶端中间位置...
  • 本实用新型公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件;该器件具有复合结构的沟槽,沟槽的顶部有P型掺杂区,沟槽侧壁有绝缘层区,沟槽底部有P型掺杂区,沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成,较传统沟槽型JBS肖特...
  • 本实用新型公开了一种二极管散热装置,包括壳体,所述壳体的内部设置有内腔,所述内腔的内部设置有PN结,所述PN结的一侧设置有若干引脚,所述PN结的一侧设置有导热硅胶片一,所述导热硅胶片一的另一侧设置有若干导热金属片一,所述PN结的另一侧设...
  • 本实用新型公开了一种发光二极管的封装结构,包括基体,所述基体的内部设置有空腔,所述空腔的内部分别依次设置有阴极柱和阳极柱,所述阳极柱的顶端设置有晶片,所述阴极柱的底端设置有阴极引脚,所述阳极柱的底端设置有阳极引脚,所述空腔内部的底端设置...
  • 本发明公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件;该器件具有复合结构的沟槽,沟槽的顶部有P型掺杂区,沟槽侧壁有绝缘层区,沟槽底部有P型掺杂区,沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成,较传统沟槽型JBS肖特基器...
  • 此发明为一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法,此TVS适用于保护超低驱动电压的半导体IC,随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断缩小,半导体IC的驱动电压也变得越来越低,驱动电压从12V降低到5V,再到3.3V、2.5V,这就...
  • 一种沟渠式肖特基二极管
    本实用新型公开了一种沟渠式肖特基二极管,包括基板、磊晶层、掺杂层、金属层、半导体层和沟槽,基板底部设有第一电极,基板顶部设有磊晶层,磊晶层顶部设有掺杂层,掺杂层顶部设有金属层,掺杂层和金属层之间间隔设有若干沟槽,沟槽底部设有氧化层,沟槽...
  • 本申请涉及一种超高速数据接口SED芯片及其制造方法。大数据时代,各种高速接口应运而生,目前主流的USB3.0,HDMI2.0,以及未来的USB4.0,HDMI3.0,用以满足天量数据传输,导致对超高速接口的ESD防护提出更高要求,防护芯...
  • 一种双向NPN穿通型超低压TVS结构
    随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断降低,半导体IC的工作电压也变得越来越低,工作电压从最初的5V降低到3.3V,再从3.3V降低到2.5V,这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应的降低,以便更好地保护半导体IC,当二极管TVS击...
  • 一种单向NPN穿通型超低压TVS结构
    随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断降低,半导体IC的工作电压也变得越来越低,工作电压从最初的5V降低到3.3V,再从3.3V降低到2.5V,这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应的降低,以便更好地保护半导体IC,当二极管TVS击...
  • 一种双向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法
    一种双向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法,随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断降低,半导体IC的工作电压也变得越来越低,工作电压从最初的5V降低到3.3V,再从3.3V降低到2.5V,这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应...
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