本技术公开了一种外延炉气体泄漏防护装置，属于气体泄漏防护技术领域，包括反应腔和连接管，反应腔通过法兰首尾贯通连接，连接管安装在反应腔内，且用于传输有毒气体，连接管的连接处设有螺纹密封胶和防护装置，其中：螺纹密封胶包覆在连接管的连接处外壁...

本技术属于排气设备技术领域，具体的说是晶片传送腔体排气装置，包括排气管、天花板、连接管和填充装置，连接管位于排气管的上表面，排气管和连接管的内壁螺纹连接有多个定位销，连接管插设在天花板的内壁，填充装置包括气囊，气囊套在排气管的表面，排气...

本技术公开了一种外延炉旋转轴安装高度测量工具，属于外延炉测量工具技术领域，包括卡圈、伸缩筒和伸缩杆，伸缩筒与卡圈滑动连接，伸缩杆与伸缩筒滑动连接，伸缩筒上设有插设在卡圈内的插筒，插筒外侧设有第一刻度线，通过驱动插筒沿着卡圈滑动来改变插筒...

本技术公开了一种外延炉后法兰盖冷却装置，属于外延炉冷却技术领域，包括后法兰和后法兰盖板，所述后法兰与反应体固定连接，且通过反应腔与所述反应体贯通，所述后法兰和所述后法兰盖板之间设有密封圈，所述密封圈与所述反应腔连通，所述密封圈顶端和底端...

本技术属于外延工艺技术领域，具体的说是外延CIP基座，包括底座、硅片和支撑结构，硅片位于底座的表面；底座上表面靠近硅片外边缘的位置设有支撑结构，支撑结构包括顶环，顶环位于底座的上表面，顶环位于硅片的底端，顶环的底端固定连接有两个插环，插...

本实用新型提供一种持取器用的密封圈，包括密封圈垫主体和工装主体，所述的密封圈垫主体又包括

本实用新型涉及晶圆的清洗装置，包括供酸装置、无尘室、中转装置和的晶圆清洗机台，其中，所述的中转装置和晶圆清洗机台设置于无尘室中，供酸装置设置于无尘室外，所述的中转装置包括中转容器，所述的供酸装置、中转容器和晶圆清洗机台依次通过管道连接，...

本实用新型涉及晶片加工技术领域，具体地说是一种减少液体滴落的晶片夹取装置。一种减少液体滴落的晶片夹取装置，包括片盒，所述的片盒中部设有供承载台穿过的通孔，承载台下端连接升降机构，承载台上侧设有夹爪，位于片盒上部的左右两端分布设有自动门，...

本实用新型属于晶片生产用辅助结构技术领域，具体的说是晶片取片器，包括组接件，所述组接件对称连接有两个支架，每个所述支架分别连接有一个取片器，每个所述取片器均为向外倾斜状设置，两个所述取片器之间夹持有晶片；通过组接件将两个支架稳固连接，两...

本实用新型涉及持取器技术领域，具体为碎片持取器，包括底仓，所述底仓的上表面固定连接有盖板，所述盖板的上表面均匀开设有若干个抽孔，所述底仓的圆弧面开设有侧孔，所述底仓的圆弧面固定连接有转动架，所述转动架的表面转动连接有挡板，所述底仓的圆弧...

本实用新型提供一种应用于工厂氢气装置的降温冷却结构，包括氢气装置主体，控制器，出口接管，水冷板式散热板组件，移动式风力散热架组件，入口接管，第一回流管，第二回流管，循环泵，第一温度计和第二温度计，所述的控制器螺钉连接在氢气装置主体的前部...

本实用新型涉及外延炉加工技术领域，具体地说是一种外延炉压力开关的校验装置。一种外延炉压力开关的校验装置，包括压力开关，其特征在于：所述的压力开关一侧的管道上设有接头一，接头一一端连接接头二一端，接头二另一端连接调压阀的出口，调压阀的入口...

本实用新型提供了一种两路互不影响，能够提高维修保养效率、降低泄露风险的外延炉电磁阀模块压缩空气独立控制装置，包括：压缩空气供应管路，具有第一供应支路以及第二供应支路；气缸运动控制模块，与第一供应支路相连接，用于控制气缸运动；第一控制阀，...

本公开的实施例提供了一种颗粒状态监控方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取环境颗粒检测设备检测的晶圆清洗环境的颗粒参数，按照预设时间步长将检测时长划分为多个时间段，根据各时间段对应的颗粒参数极差计算颗粒参数...

本发明提出了一种ASM机台热延伸板结构、使用方法及清洗方法，所述ASM机台热延伸板结构包括分别设置在石英腔体内的支架和热延伸板；所述热延伸板位于反应组件的出气口与承载盘之间。本发明在原基座位置后方加上一块热延伸板，加装的热延伸板一方面聚...

本实用新型涉及槽式清洗机技术领域，具体地说是一种槽式清洗机的支撑底座。一种槽式清洗机的支撑底座，包括相对布置的底座一、底座二，底座一与底座二之间连接若干支撑棒，位于支撑棒上端设有若干均匀布置的安装槽，支撑棒的结构为圆棒结构。同现有技术相...

本公开的实施例提供了一种HF

本公开的实施例提供了一种晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取晶圆位于目标水槽内时目标水槽内纯水的电阻率数据，其中，目标水槽为干燥槽前最后一个水槽；根据目标水槽内纯水的电阻率数据生成纯水电阻...

本发明公开了一种晶圆单片式背面清洗机，包括转轴、卡盘以及冲洗管，卡盘安装在转轴由其带动旋转，在卡盘上设置有多个夹爪用于固定晶圆，所述冲洗管位于转轴内部，冲洗管的顶部伸出转轴，冲洗管侧壁与转轴内壁之间存在间隙，且在顶部设置有出水孔用于冲洗...

本发明实施例公开了一种超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置，涉及芯片制造技术领域，所述方法包括：获取超重掺红磷衬底，以及获取多个预设本征参数和多个预设刻蚀参数；依次基于每个预设本征参数对所述超重掺红磷衬底执行本征处理，获得对应的多个处理...