本发明提供了一种波导结构及其制造方法。所述波导结构包括衬底、包含若干第一波导层的底部波导层和包含若干第二波导层的顶部波导层。相邻两个所述第二波导层中，远离所述衬底的第二波导层覆盖靠近所述衬底的第二波导层的露出表面，并覆盖所述底部波导层的...

本发明提供的一种钨塞的形成方法，包括：提供一衬底；在介质层中形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔暴露连接金属层，第二接触孔暴露薄膜电阻层；在第二接触孔的至少部分侧壁及至少部分底壁形成硅层；利用含钨气体与硅层置换形成第一钨层；以及，执行...

本发明公开了一种可编程分频器，涉及电子电路领域，该可编程分频器包括计数器电路，包括多级D触发器，第i级D触发器的Q输出端与第i+1级D触发器的时钟输入端连接，每级D触发器用于基于时钟输入端接入的第一时钟信号调整Q输出端的实际输出值，i为...

本发明提供了一种全数字锁相环配置方法、校准系统及设备，所述全数字锁相环配置方法，包括：提供全数字锁相环，所述全数字锁相环包括数字振荡器和滤波器，所述滤波器包括二次积分支路，根据所述数字振荡器的起始频率和目标输出变化频率确定查表参数，根据...

本发明提供的一种金属插塞的制备方法，包括：提供一衬底；在介质层中形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔暴露接触金属层，第二接触孔暴露薄膜电阻层；形成含钨的氮化层至少覆盖第二接触孔的底部；执行包括还原性离子的反应离子蚀刻，以将含钨的氮化层...

本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体器件的制备方法，形成方法包括：提供一硅衬底，其上依次形成有第一层叠结构、第二层叠结构；形成鳍状导电沟道、鳍状间隔层及片状导电沟道，鳍状间隔层的宽度与第一间隔层的厚度的比例为0.8:1～1:0.5...

本发明提供一种像元结构及CMOS图像传感器，所述像元结构包括P型衬底及钳位光电二极管，钳位光电二极管包括：环形隔离单元；P型钳位层；至少两个N型埋层，且沿远离传输管的方向排列；至少两个P型埋层，同层设于相邻N型埋层的交界面的两端且位于N...

本发明提供的一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有待互连层；在衬底及待互连层上形成由至少五层氮化硅膜依次堆叠构成的层叠结构，其中，每层氮化硅膜的折射率小于或等于1.9，且在形成每层氮化硅膜后均对氮化硅膜执行等离子体表面...

本申请公开一种TSPC‑D触发器及高速电路，涉及触发器技术领域，针对目前的TSPC‑D触发器不能在离开复位状态时保持复位状态的问题，提供一种TSPC‑D触发器，通过在原有TSPC‑D触发器电路的基础上，于TSPC‑D触发器中的反向输出端...

本发明提供了一种互连结构的形成方法以及半导体器件的形成方法，所述互连结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍结构，所述鳍结构上形成有至少两个栅极结构，所述栅极结构上方还形成介电层，相邻所述栅极结构之间形成有沟槽；在...

本发明提供一种金属互连结构的形成方法及半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部上形成有至少两个栅极结构，所述栅极结构的上方形成有介质层，相邻栅极结构之间形成有沟槽；在所述沟槽内形成金属层；形成第二隔离层，所...

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成交替层叠的硅锗层与硅层；氧化硅锗层与硅层形成氧化层，且硅锗层两侧的硅锗氧化层的厚度大于硅层两侧的硅氧化层的厚度，侧向刻蚀氧化层至暴露出硅层，在硅锗层两侧形成第一...

本发明公开了一种D触发器及通用电路，涉及时序控制领域，设置有从触发器、主触发器以及第一至第三开关；从触发器接收电平信号，第一开关连通从触发器的时钟控制端和电源，从触发器根据电平信号的电平状态输出第一反相信号给第二开关和输出第一正相信号给...

本发明提供了一种晶圆传输系统和半导体设备，所述晶圆传输系统，包括真空传输模块和传输连接模块；所述真空传输模块设有若干个，所述真空传输模块用于挂载工艺腔模块，且所述真空传输模块之间通过所述传输连接模块连通，使得晶圆形成了流水线作业，能有效...

本发明提供了一种温度传感器和CMOS图像传感器，温度传感器应用于CMOS图像传感器，CMOS图像传感器包括模拟数字转换器模块，模拟数字转换器模块包括m个第一模拟数字转换器和n个第二模拟数字转换器，第一模拟数字转换器用于实现像素信号的模数...

本发明公开了一种电阻元件的接线方法及半导体器件结构，通过在形成有源漏和栅极的衬底上方先形成覆盖有硬掩模层的电阻元件，再形成源漏触点和栅极触点，可避免对源漏触点和栅极触点金属造成损伤；通过在进行选择性金属沉积制程时，利用电阻元件引出沟槽底...

本发明提供一种多光谱TDI图像传感器及其制造方法，通过在半导体衬底的表面设置倾斜光栅，可以对入射光进行色散以使不同波长的入射光产生的主极大级次的衍射光进入不同的时间延迟积分传感器子阵列，通过时间延迟积分传感器子阵列对入射光产生的主极大级...

本发明公开了一种改善薄膜均匀性的调节装置和方法及工艺设备，装置包括：设于载物台下方的基座，所述基座设有上下相对设置的第一轴联部和第二轴联部，所述第二轴联部连接下方的主轴，所述第一轴联部通过上方同轴设置的连接轴与所述载物台相连；位置调节机...

本发明提供了一种FinFET器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有多个伪栅极以及覆盖伪栅极侧壁的第一侧墙；氧化部分厚度的第一侧墙形成侧墙氧化层，并去除侧墙氧化层；形成覆盖第一侧墙的第二侧墙；形成填满相邻所述伪栅极之间的...

本发明公开了一种带隙基准电路，涉及电路领域，包括基准电压生成模块、比较模块和基准电压修调模块。基准电压生成模块生成包括正温度系数电压和负温度系数电压的基准电压。当环境因素变化导致基准电压变化时，比较模块输出的修调信号也会变化，基准电压修...