上海华虹NEC电子有限公司专利技术

上海华虹NEC电子有限公司共有2201项专利

  • 本发明公开了一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法,包括步骤:1)在硅衬底上依次生长第一、第二介质膜;其中,第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层;第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层;2)刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽...
  • 本发明公开了一种TVS器件,利用在外延层中刻蚀沟槽并填入本征多晶硅及重掺杂的多晶硅以引出电极,使其耗尽区宽度增大,电容减小。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。
  • 本发明公开了一种MOS静电保护器件,包括:P型衬底上形成有P型阱,所述P型阱中形成有第一P+扩散区用作衬底接出,所述P型阱形成有第一N+扩散区构成静电保护器件的源极,所述P型阱中形成有一N型阱,所述N型阱中形成有分开的第二N+扩散区和第...
  • 本发明公开了一种沟槽型栅极,其是在传统的屏蔽栅处通过离子注入形成一个PN结,以获得更低的栅极电容,实现器件开关速度的提高和损耗的降低。本发明还公开了所述沟槽型栅极的制造方法。
  • 本发明公开了一种栅极结构,由依次形成于是硅衬底表面的栅极氧化层、栅极多晶硅或无定形硅、金属硅化物导电层以及顶部刻蚀阻挡层叠加而成,在栅极结构的侧面上形成有侧壁刻蚀阻挡层;器件的源漏区通过自对准接触孔引出,通过顶部刻蚀阻挡层和侧壁刻蚀阻挡...
  • 本发明公开了一种提高高压LDMOS器件击穿电压的结构,所述LDMOS器件的硅衬底上形成由深阱构成的漂移区;深阱中形成有场氧化层,场氧化层下方形成有一埋层,靠近漏区的一侧场氧化层上形成有漏区多晶场板,另一侧形成有栅极多晶场板;硅衬底中形成...
  • 本申请公开了一种具有自对准接触孔与硅化物的器件,自对准接触孔的底部直接与硅接触,常规接触孔底部直接与硅化物接触。其制造方法为:在硅片上划分出采用自对准接触孔刻蚀工艺的第一区域和不采用自对准接触孔刻蚀工艺的第二区域。在硅片上淀积用于形成硅...
  • 本发明公开了一种平面栅型MOS管及其制造方法,包括:N型外延层或N型硅衬底中形成的P阱,P阱一侧的N型外延层或N型硅衬底中形成有N+注入层,P阱上部并列排布有多个彼此串联的MOS结构;所述MOS结构包括:形成在所述P阱上的栅氧化层,栅氧...
  • 本发明公开了一种集成过流保护的MOSFET,内置了NPN型晶体管和源极电阻,该器件在流过源端的电流超过额定值时,NPN型晶体管会自动调节MOSFET栅端电压,从而使器件的源端电流回到正常水平,具有过流的自我保护功能。本发明还公开了所述集...
  • 本发明公开了一种静电保护结构,包括:N+/P阱二极管和多晶硅二极管;N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与多晶硅二极管的矩形P+扩散区相连;多晶硅二极管包括:形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两...
  • 本发明公开了一种硅片的键合方法,包括步骤:提供一载片并对载片进行清洗;在载片表面上进行键合胶水旋涂;对键合胶水进行去边处理;将硅片和载片进行键合,键合后要求保证键合胶水都位于硅片所覆盖区域的内侧。本发明通过在硅片和载片的键合之前,对键合...
  • 本发明公开了一种EEPROM存储单元的制造方法,在场氧形成后,直接生长高压氧化层,在隧道区域光刻定义隧道区窗口,以高压氧化层作为隧道区离子注入的阻挡层进行离子注入,然后进行自对准的隧道区窗口湿法刻蚀,然后生长隧道氧化层。由于高压氧化层经...
  • 本发明公开了一种肖特基通孔的制作工艺方法,包括步骤:1)肖特基通孔的刻蚀;2)在肖特基通孔的两侧、内壁以及底部形成第一层阻挡层;3)在第一层阻挡层之上形成金属层;4)在金属层之上,形成第二层阻挡层;5)金属钨填充肖特基通孔;6)回刻金属...
  • 本发明公开了一种抑制浅沟槽隔离工艺中双峰效应的方法,包括步骤:依次形成硬质掩模层;定义有源区并将有源区外部的硬质掩模层去除;进行离子注入将离子注入到有源区周侧的硅衬底中;进行热推阱将离子从有源区外部扩散到有源区的边缘区域中;进行浅沟槽刻...
  • 本发明公开了一种抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法,包括步骤:依次形成第一层二氧化硅和第二层氮化硅;定义有源区并将有源区外部的硬质掩模层去除;进行浅沟槽刻蚀;在浅沟槽的表面形成第三氧化层;采用湿法腐蚀工艺对第二层氮化硅进行刻蚀,将...
  • 本发明公开了一种深沟槽填充方法,包括步骤:在衬底上形成深沟槽;对衬底表面进行表面预处理;对衬底进行加热处理;在衬底表面喷吐纯水进行预浸润;在衬底表面形成第一层光刻胶;对第一层光刻胶进行热回流。本发明通过在衬底表面涂胶后,对光刻胶软烤之前...
  • 本发明公开了一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法,包括:步骤1、对芯片做表面处理;步骤2、用聚焦离子束暴露出需要做桥联的监测节点A;步骤3、通过版图检查,找出距离所述监测节点A最近的不相关焊盘B点位置并将所述监测节点A和所述焊盘B进行桥...
  • 本发明公开了一种超级结的制备工艺方法,主要针对深沟槽加P柱填入方式制备超级结的工艺,在P柱形成过程中,首先利用外延生长工艺采用单晶硅填充部分沟槽,然后再利用掺杂的多晶硅(poly)填充剩余部分的沟槽,要求多晶硅的掺杂浓度要大于底部外延填...
  • 本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法,包括步骤:进行多晶硅淀积,第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分,第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分,第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层;栅极...
  • 本发明公开了一种改善沟槽型IGBT栅极击穿能力的制备方法,包括步骤:1)在N型硅片上淀积二氧化硅作为硬掩膜后,通过光罩定义出深沟槽的图案,刻蚀,将硬掩膜打开;2)将硬掩膜打开的区域进行湿法各向异性刻蚀;3)采用干法刻蚀,形成深沟槽;4)...
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