上海华虹宏力半导体制造有限公司专利技术

上海华虹宏力半导体制造有限公司共有3740项专利

  • 本发明公开了一种氧化膜的工艺方法,采用氯系氧化法,在预淀积氧化膜的晶圆载入反应舟后,将DCE气体与氧气通过同一个管路送入炉管的反应腔内进行反应,淀积生成氧化膜,氧化膜达到设计膜厚之后,停止通入DCE气体,并继续维持通入氧气对管路进行冲洗...
  • 本发明公开了一种电荷泵,电荷泵单元包括:正负输入端和正负输出端,两个电容和两个电压传输单元。第一和第二电容的第一极板分别连接第一和第二时钟信号,第一电容的第二极板分别通过第一和第二开关连接到两个电压传输单元,第二电容的第二极板分别通过第...
  • 本发明公开了一种闪存的上电校验方法,包括:步骤一、形成上电复位信号。步骤二、电荷泵字线读取电压以及控制栅线读取电压。步骤三、采用验证码进行验证。验证码的数据‘1’采用一个存储单元存储且存储单元设置为:和控制栅线读取电压连接的控制栅对应的...
  • 本发明公开了一种闪存的控制栅线驱动电路,包括:输入电路、上拉电路、上开关电路、下开关电路和下拉电路。第一偏置电压对上开关电路的控制端电压进行限制并在闪存操作时使上开关电路导通,第二偏置电压对下开关电路的控制端电压进行限制并使下开关电路导...
  • 本发明提供了一种修复存储数据的方法,包括:存储数据的行地址按照二进制数的方式命名;冗余数据的列地址按照二进制数的方式命名;根据错误存储数据的行地址,在冗余数据中查找列地址的后两位二进制数与错误存储数据的行地址的后两位二进制数相同的列,以...
  • 本申请提供一种沟槽MOSFET接触孔开路缺陷的测试方法,包括:步骤一,提供待测试的沟槽MOSFET;步骤二,测试该沟槽MOSFET的阈值电压或栅极驱动漏电流;步骤三,步骤二结束后,立即测试该沟槽MOSFET的漏源击穿电压或漏极截止电流。...
  • 本发明公开了一种电平转换电路包括:辅助电平转换电路和主体电平转换电路。辅助电平转换电路的输入端连接的高电平为第一电源电压的输入信号,辅助电平转换电路的电源端连接高于第一电源电压的第二电源电压,辅助电平转换电路输出第一输出信号到主体电平转...
  • 本发明公开了一种电荷泵组合结构,包括:第一电荷泵和第二电荷泵。第一电荷泵由n级第一电荷泵单元级联而成。电荷泵组合结构包括合并状态,合并状态的连接结构包括:第一电荷泵的第n级的第一电荷泵单元的输出端作为第一电荷泵的第一输出端并输出第一电压...
  • 本发明公开了一种电荷泵,各电荷泵单元包括升压电路单元和传输单元。升压电路单元包括升压电容和时钟输入电路。时钟输入电路的输入端连接时钟输入信号以及输出端输出时钟输出信号到到升压电容的第一极板。升压电容的第二极板为升压节点且和传输单元连接。...
  • 本发明提供了一种多芯片集成测试方法及系统,所述测试系统包括:待测基板,其一个曝光区上设有第一至第N待测存储单元,第一至第N待测存储单元中至少一个具有不同的测试端口且至少一个具有不同的存储容量;探针卡,其针位涵盖至少一个曝光区的第一至第N...
  • 本发明公开了一种编程电压产生电路,包括:第一电压产生单元,用于形成编程电压。参考单元检测电路,第一输入端连接闪存中和编程的存储单元同一行的一个或多个参考单元的漏极输出的第一编程漏极电压,第二输入端连接第一下限值,参考单元检测电路对第一编...
  • 本发明提供了一种用于改善共晶键合工艺质量的方法及结构,应用于半导体制造技术领域中。具体的,由于本发明实施例中的用于共晶键合所述第一晶圆和第二晶圆的第一键合材料层和第二键合材料层的图形结构不同,即,一个是一组条形结构或方块阵列结构,而另一...
  • 本发明提供一种闪存存储器的制造方法,包括:提供衬底,依次形成有浮栅材料层、栅间介质层、控制栅材料层及图形化的掩模层;在第一开口的侧壁形成第一侧墙,并在控制栅材料层中蚀刻形成第二开口,控制栅材料层靠近第二开口一侧暴露有凸出的第一顶角;在氧...
  • 本发明提供了一种用于制备HBT器件的半导体器件的制备方法,应用于半导体工艺领域中。具体的,其在填充完用于定义HBT器件的发射极的牺牲发射极窗口之后,并没有按照常规的做法对其进行多次干法刻蚀,从而先使牺牲发射极窗口两侧的氧化物层与其顶面齐...
  • 本发明提供了一种多项目晶圆测试系统及方法,所述测试系统包括:基板,其一个曝光区上设有第一至第N待测存储单元,第一至第N待测存储单元具有相同的测试端口且其中至少一个具有不同的存储容量;多同测探针卡,其针位涵盖至少一个曝光区的第一至第N待测...
  • 本发明提供了一种静态随机存储器的版图结构,包括:第一有源区和第二有源区的延伸方向均垂直于水平方向;位于第一有源区上的第一PD管的栅极,第一部分第一PD管的栅极垂直于第一有源区的延伸方向,第二部分第一PD管的栅极与第一部分第一PD管的栅极...
  • 本发明提供一种超结MOS器件及其形成方法,通过先形成耗尽增强结构,耗尽增强结构位于沟槽内或者位于沟槽底部对应的外延层内;接着,形成栅极结构和隔离结构,栅极结构位于沟槽内且位于耗尽增强结构上方并依附在沟槽侧壁两侧,耗尽增强结构与栅极结构呈...
  • 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法,包含:在半导体衬底中进行刻蚀形成沟槽;然后淀积一层第一氧化层,以光刻胶沟槽填充满;对光刻胶进行过刻蚀使光刻胶保留至沟槽深度的二分之一处;去除沟槽内保留的光刻胶以上的所有第一氧化硅层;去除所...
  • 本发明提供一种衬底背封结构及其形成方法,通过在第一衬底的背面键合第二衬底,并进行退火工艺,以使所述第一衬底的背面的介质层与第二衬底之间形成共价键;并减薄第二衬底的厚度以使第一衬底和第二衬底的厚度之和达到预设厚度。所述预设厚度为现有技术中...
  • 本发明公开了一种改善薄片电阻稳定性的方法:形成一层牺牲氧化层作为离子注入的注入阻挡层;测量得到牺牲氧化层的厚度T;打开离子注入窗口进行离子注入,注入的剂量根据所述牺牲氧化层的厚度测量值T进行调整补偿,得到补偿后的离子注入剂量D,以离子注...
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