本申请提供一种灰度掩模版及其制作方法，该制作方法包括：步骤一，提供一玻璃基板，在该玻璃基板上形成相移掩模层；步骤二，依次实施光刻胶涂布、曝光显影、刻蚀和光刻胶去除，在该相移掩模层中形成多个凹槽；步骤三，重复实施步骤二，在该相移掩模层中形...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的衬底，所述衬底具有第一面；在所述衬底内形成相对于所述第一面凹陷的初始沟槽；在所述初始沟槽底部两侧的衬底内形成存储掺杂区，所述存储掺杂区为第一导电类型，且所述存储掺杂区的掺杂浓度大于所...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的衬底，所述衬底具有第一面；在所述衬底内形成相对于所述第一面凹陷的初始沟槽；在所述初始沟槽的侧壁表面形成保护层；在所述初始沟槽底部两侧的衬底内形成存储掺杂区，所述存储掺杂区为第一导电类...

本发明提供一种MIM电容结构的制作方法，包括：提供半导体结构；形成覆盖上极板金属层的光阻层；执行主刻蚀步骤，刻蚀去除暴露出的预设厚度的介质层；主刻蚀完成后在半导体结构的表面残留有聚合物；清洗去除聚合物；执行过刻蚀步骤，将暴露出的剩余厚度...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在衬底内形成阈值电压调节区，阈值电压调节区具有阈值电压调节离子；在衬底内形成轻掺杂漏区，轻掺杂漏区具有轻掺杂离子。通过在栅后进行阈值电压调节离子注入，使得阈值电压调节离子在...

本发明提供一种电荷泵电路以及存储器，电荷泵电路包括：电源模块和电荷泵模块，电源产生电路包括均连接在外部总电源和地之间的第一电流路径和第二电流路径。第一电流路径包括依次串联的第一电流源、调整晶体管、MOS管和第一三级管；第二电流路径包括N...

本发明提供了一种自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法，应用于半导体工艺领域中，在LPCVD炉管工艺的单个保养周期执行每批次沉积工艺之前/后，均先依据多个不同产品位置区的平均图案化密度对监控片上沉积膜的厚度的影响规律，建立在不同产品...

本发明提供了一种监控分栅存储器串扰性能的方法，包括：提供监控结构，包括：多个金属焊垫，一个金属焊垫连接一个位线或一个字线或一个第一控制线或一个第二控制线；通过其中五个金属焊垫向同一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的...

本发明提供一种闪存存储器及其制作方法，包括：衬底，衬底包括测试区，测试区形成有测试结构；测试结构包括自下而上的有源区、测试浮栅层、介质层和测试控制栅层。形成闪存存储器的版图层包括第一浮栅版图层和第二浮栅版图层；第二浮栅版图层包括开口图形...

本发明提供了一种检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，包括：根据待要沉积薄膜的厚度，将待要沉积薄膜预计分为N次沉积，N为大于1的正整数；使用待检测的PECVD设备依次进行N次薄膜的沉积，每次沉积之前均通过气体管路排放一定时间的反应气体；...

本发明提供了一种闪存器件的形成方法，包括：在器件区的衬底上形成浮栅氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层和具有第一开口的硬掩膜层；在第一开口内形成字线限位侧墙；去除未被字线限位侧墙覆盖的控制栅层和ONO层，形成第二开口；在第二开口内形成氧化...

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体领域中。具体的，在本发明提供的半导体结构的制备方法中，其将浮栅层的浮栅尖端设置在器件隔离结构所对应的衬底上，并利用刻蚀工艺，将所述浮栅层的浮栅尖端下方的部分厚度的器件隔离结构去除，以使...

本发明提供一种金属膜层的返工方法，包括：提供一衬底，其上覆盖有待返工的金属膜层，所述金属膜层包括依次设置的第一阻挡层、铝膜层及第二阻挡层；执行干法蚀刻工艺，去除所述第二阻挡层，以暴露所述铝膜层；执行湿法蚀刻工艺，去除所述铝膜层，以暴露所...

本发明提供一种抗反射层返工的方法，包括提供抗反射层需返工的半导体结构，抗反射层覆盖在金属层表面；利用干法刻蚀设备去除抗反射层；利用湿法设备对金属层表面进行清理；去除金属层；重新生长形成金属层和抗反射层；进行缺陷测试。本发明在传统抗反射层...

本发明公开了一种氧化膜的工艺方法，采用氯系氧化法，在预淀积氧化膜的晶圆载入反应舟后，将DCE气体与氧气通过同一个管路送入炉管的反应腔内进行反应，淀积生成氧化膜，氧化膜达到设计膜厚之后，停止通入DCE气体，并继续维持通入氧气对管路进行冲洗...

本发明公开了一种电荷泵，电荷泵单元包括：正负输入端和正负输出端，两个电容和两个电压传输单元。第一和第二电容的第一极板分别连接第一和第二时钟信号，第一电容的第二极板分别通过第一和第二开关连接到两个电压传输单元，第二电容的第二极板分别通过第...

本发明公开了一种闪存的上电校验方法，包括：步骤一、形成上电复位信号。步骤二、电荷泵字线读取电压以及控制栅线读取电压。步骤三、采用验证码进行验证。验证码的数据‘1’采用一个存储单元存储且存储单元设置为：和控制栅线读取电压连接的控制栅对应的...

本发明公开了一种闪存的控制栅线驱动电路，包括：输入电路、上拉电路、上开关电路、下开关电路和下拉电路。第一偏置电压对上开关电路的控制端电压进行限制并在闪存操作时使上开关电路导通，第二偏置电压对下开关电路的控制端电压进行限制并使下开关电路导...

本发明提供了一种修复存储数据的方法，包括：存储数据的行地址按照二进制数的方式命名；冗余数据的列地址按照二进制数的方式命名；根据错误存储数据的行地址，在冗余数据中查找列地址的后两位二进制数与错误存储数据的行地址的后两位二进制数相同的列，以...

本申请提供一种沟槽MOSFET接触孔开路缺陷的测试方法，包括：步骤一，提供待测试的沟槽MOSFET；步骤二，测试该沟槽MOSFET的阈值电压或栅极驱动漏电流；步骤三，步骤二结束后，立即测试该沟槽MOSFET的漏源击穿电压或漏极截止电流。...