本发明公开一种透明隧穿过渡层的GaAs大功率激光器外延片，该激光器外延片的P限制层与上波导层之间具有GaP透明隧穿过渡层，且该激光器外延片的N限制层与P限制层的组分非对称、厚度非对称。本发明的激光器外延片在非对称外延结构的基础上，在P限...

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种具有疏水腔面的半导体激光器及其制造方法。所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜，所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜；其中，所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的...

本发明涉及一种具有渐变阶梯状粗化层组分的反极性LED及其制备方法，属于LED外延结构技术领域。LED包括由下到上依次设置的衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、粗化层、N型限制层、有源层、P型限制层、过渡层和P型欧姆接触层，其中，粗...

本发明公开了一种半导体激光器巴条的腔面镀膜夹具和排巴工装，涉及半导体激光器芯片制造工艺技术领域，具体包括上支架、下支架、螺纹顶杆、上夹板、下夹板、底座、光纤架、光纤、光纤压板，其中下支架两侧设有燕尾槽，滑动套装上夹板、螺纹顶杆、上支架，...

本发明涉及一种宏通道激光器叠阵及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。激光器叠阵包括巴条阵列、电极、绝缘热沉、底座、扰流翅片和密封盖板，其中，底座内设置有一端开口的散热腔体，散热腔体内设置有扰流翅片，底座顶部设置有绝缘热沉，散热腔体开口...

本发明涉及半导体激光器技术领域，且公开了一种可实现单芯片发光的全金属工艺巴条制作方法，通过对光电隔离槽的设计使其可以阻断P面金属，将整个巴条P面电极分解成多个以单芯片为单位的分解P面电极，从而改变注入电流作用电极面，为下一步封装提供了有...

本发明涉及一种具有高脉冲响应速度的780nm半导体激光器及其制备方法，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga<subgt;x1</subgt;In<subgt;1‑x1</subgt;P下过渡层、(Al...

本发明涉及半导体激光器封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器高效封装辅助设备和封装方法。其中，所述封装辅助设备包括冷却器、二级热沉、一体式L型电极、第一绝缘片和第二绝缘片。所述冷却器的上表面上具有用于容纳所述二级热沉的第一凹槽，所述二级...

本发明涉及一种高功率密度半导体激光器叠阵模块，包括：热沉底板，作为基板；半导体激光器阵列模块，设置在热沉底板上，所述半导体激光器阵列模块包括若干个巴条；快轴整形透镜组，固定于半导体激光器阵列模块的巴条正上方，用于对巴条发出的光束进行整形...

本发明涉及一种具有复合型P‑EBL的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、底部氮化物DBR、N‑型半导体材料层、多量子阱层、复合型P‑EBL、P‑型半导体材料层、电流限制层、电流扩展层...

本发明涉及一种具有空间调制结构的脊波导单模半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器领域。P限制层中间区域上覆盖欧姆接触层，除中间区域外的P限制层上设置有空间调制结构，空间调制结构包括若干从中间向边缘逐渐增多的孔，使得空间调制结构从中间向...

本发明涉及一种高抗静电释放的LED正极性外延结构及其制备方法，属于发光二极管技术领域。结构包括衬底和衬底上依次设置的buffer层、DBR层、N型限制层、N型阻挡层、N侧第一掺杂进掺层、N侧第二掺杂进掺层、有源层、P侧第二掺杂进掺层、P...

本发明涉及半导体激光器领域，且公开了一种常规脊波导半导体激光器，包括从下到上依次连接在一起的衬底、N限制层、N波导层、量子肼有源层以及P波导层，所述量子肼有源层的表面设置有两个肩部，两个所述肩部之间设置有脊波导，肩部与脊波导之间形成凹槽...

本发明涉及一种半导体激光器

本发明涉及一种具有横向载流子限制能力的介电调控隧穿

本发明涉及半导体激光器技术领域，且公开了一种激光打印机用半导体激光器发光芯片，包括

本发明公开了一种光纤合束装置，涉及光学器件技术领域，具体为一种光纤合束装置，包括合束透镜组件

本发明涉及一种管式炉热处理晶片夹具及工作方法，属于晶片热处理技术领域，包括保护罩

本发明涉及一种水平阵列激光器模块及其封装方法，通过

本发明涉及一种提升