山东华光光电子股份有限公司专利技术

山东华光光电子股份有限公司共有78项专利

  • 一种半导体激光器快速的自对准光纤整形方法,包括以下步骤:(1)将所述半导体激光器置于一个工装内,该工装带有内孔,其顶端设置有光纤定位槽,其外侧设置有工装定位槽,光纤定位槽与工装定位槽呈垂直状态;(2)使管座定位槽与工装定位槽重合,以实现...
  • 一种利用滤光实现可调档位的激光功率计,包括驱动电源、激光器、可调档位滤光片和传感器,激光器与驱动电源连接,可调档位滤光片包括至少一级滤光片,第一级滤光片设置在激光器的出光方向上,后一级滤光片设置在前一级滤光片的出光方向上,传感器设置于最...
  • 一种利用反射光实现可调档位的激光功率计,包括驱动电源、激光器、可调档位反光镜和传感器,激光器与驱动电源连接,可调档位反光镜包括至少一级反光镜,第一级反光镜设置在激光器的出光方向上,后一级反光镜设置在前一级反光镜的反射光方向上,传感器设置...
  • 一种半导体激光器芯片封装精度检测方法及装置,该方法是:将半导体激光器芯片发出的光射入第一个凸透镜,形成平行光线,将平行光线平行于第二个凸透镜的主光轴射入第二个凸透镜,第一个凸透镜与第二个凸透镜的主光轴重合,平行光线经过第二个凸透镜后集中...
  • 一种三基色激光路灯系统,包括中心光源、反光碗、凹透镜和灯座,包括中心光源、反光碗、凹透镜和灯座,反光碗、中心光源和凹透镜依次设置在灯座上,中心光源设置于反光碗的反光方向上,中心光源包括基座、光学模块和驱动电源,光学模块和驱动电源均安装在...
  • 一种激光二极管光斑挑选装置
    本实用新型涉及一种激光二极管光斑挑选装置。该装置包括老化平板和CCD图像传感器;所述老化平板上设置有老化底座;所述CCD图像传感器设置在老化平板的上侧;所述CCD图像传感器与电脑连接。本实用新型所述激光二极管光斑挑选装置,利用CCD成像...
  • 本发明提供了一种AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器,其外延结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、欧姆接触层,上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷,量子阱层为铝镓砷材...
  • 本发明涉及一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层;第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交...
  • 一种图形衬底半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层,衬底的与下包层接触面上排布有梯形台,接触层上方设置有绝缘层,绝缘层上表面设置有上电极,衬底下表面设置有下电极。其制备方法的步骤包括:(1)在排布有梯形...
  • 一种高功率半导体激光器及其制备方法。该半导体激光器,包括底座、绝缘层和激光器模块;底座上设置有绝缘层;绝缘层上面设置有正电极、激光器模块和负电极,激光器模块包括至少一个激光器发光单元,激光器发光单元由激光器芯片及其两侧的过渡热沉构成,其...
  • 一种半导体激光器封装烘烤工装,包括:两个沿前后方向竖直设置且相互平行的纵立板、N个夹装于两个纵立板之间沿左右方向竖直设置且相互平行的横立板、设置于各个纵立板与各个横立板下端的底板以及若干模条,由于卡槽Ⅱ的槽底距离卡槽Ⅰ的槽底的距离大于模...
  • 一种半导体激光器芯片固晶检验装置,包括:基座、滑座、凹槽以及安装于基座上且位于滑座前端的芯片固定座。需要检测激光器芯片的固晶牢固度时,先将激光器芯片放置到芯片固定座上的卡槽中,之后将滑座向芯片固定座方向滑动,使芯片固定座的前端插入凹槽内...
  • 一种半导体激光器用上料模条与弹片一体安装工装,包括:模条托盘、定位凸块、模条以及弹片。解决了传统生产工序中需要将模条拿到专用工装上装条,防止在模条搬运过程中撒条现象,在保证产品质量的前提下提高了生产效率,保证了操作的安全性。与现有技术相...
  • 本发明涉及一种激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底及制备方法,属于光电子技术领域,包括在蓝宝石衬底上通过激光刻蚀出错位半球状突起,所述的蓝宝石图形衬底的单个图形结构为半球状,在所述半球状突起的斜侧壁上有反射镜层。本发明在蓝宝石衬...
  • 本发明涉及一种利用激光刻蚀制备蓝宝石图形衬底的方法及应用,属于光电子技术领域,包括以下步骤:(1)在蓝宝石衬底上沉积一层光刻胶掩膜;(2)利用光刻对版进行曝光;(3)显影出光刻胶图形;(4)利用光刻胶做掩膜,激光刻蚀蓝宝石衬底,得到半球...
  • 一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构
    本发明涉及一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构,从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层,所述第一上限制层与所述第二上限制层之间设有通过含Al材料的选择性腐蚀...
  • 一种无铝波导层的红光半导体激光器结构
    本发明涉及一种无铝波导层的红光半导体激光器结构,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和欧姆接触层;所述下波导层、量子阱层、上波导层均为镓铟磷材料。本发明波导层使用无铝的镓铟磷材料,实现有源区全无铝,对生...
  • 一种高功率激光器
    一种高功率激光器,包括:正电极、位于正电极上方的负电极以及N个夹装于正电极与负电极之间的发光单元,发光单元由激光器热沉、设置于激光器热沉上方的负电极片、夹装于激光器热沉与负电极片之间的绝缘片以及设置于激光器热沉一侧的激光器芯片构成。由于...
  • 一种685nmAlGaInP红光半导体激光器
    一种685nm AlGaInP红光半导体激光器,其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层;下缓冲层为AlxIn1‑xP组分渐变层,x由0.5线性渐变至0.4;上缓冲层为A...
  • 一种阶梯脊型半导体激光器及其制备方法
    一种阶梯脊型半导体激光器及其制备方法,该半导体激光器包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层,所述第三上包层的厚度大于第二上包层的厚度,所述接触层与第三上包层构成第一条脊,所述第二上包层构成...