本发明涉及一种测量高功率侧泵固体激光器热透镜焦距的装置及使用方法，属于固体激光器技术领域。装置包括沿轴线依次设置的准直激光器、扩束系统、待测侧泵固体激光器和光束质量分析仪，其中，扩束系统包括凹面镜和凸透镜，凹面镜靠近准直激光器，凸透镜靠...

本发明公开一种MOCVD石墨件清洗装置，包括清洗室、载物台、旋转马达、流量计、压力计、真空泵和激光发生器。所述清洗室上设置有炉门，以便向清洗室中放入待清洗的石墨件或者取出清洗完毕的石墨件。所述载物台水平设置在清洗室的内腔中，所述旋转马达...

本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括GaAs衬底、GaAs‑buffer层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、电流扩展层、AlInP限制层、MQW发光层、AlInP限制层和GaP层，所述AlInP限制层的...

本发明涉及一种半导体激光器芯片及其解理方法，在激光器芯片中，外延层的上部周期性设置有脊条结构和P‑窗口区，并且P‑窗口区的长度方向与脊条结构的长度方向相互垂直；所述衬底的下表面设置有周期性排列的N面解理槽，并且N面解理槽的长度方向与P‑...

本发明公开一种C‑MOUNT封装半导体激光器的快速合金装置，包括：箱体、加热腔室、进气管、排气管和操作台。所述加热腔室设置在箱体的内腔中，且所述加热腔室的前壁面形成开口端，该开口端固定在箱体的前壁面内壁上，且该箱体的前壁面上具有与所述开...

本发明涉及一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法，本申请设计的半导体激光器结构通过在Ga<subgt;1‑x5</subgt;In<subgt;x5</subgt;P第二量子阱与(Al&l...

本技术涉及一种引线框架结构激光器测试夹具，属于测试夹具技术领域。夹具包括底座、滑动块和功率计，其中，底座包括主体、梯形滑轨、定位模块和安置槽，主体上设置有梯形滑轨，梯形滑轨内部设置有定位模块，梯形滑轨上设置有滑动块，滑动块上侧用于放置整...

本发明公开了一种简易光斑性能测试系统及工作方法，涉及半导体激光器技术领域，整体包括供电模块、采集模块、处理模块，通过电源给激光器供电，通过温控模块保证激光器工作温度的稳定性及可选择性，将输出的激光打在光屏上，通过光屏上均匀分布的PD进行...

本发明涉及一种高功率半导体激光器及其封装方法，属于半导体激光器技术领域。激光器包括底座、垫条、巴条和钨铜热沉，其中，钨铜热沉为长方体形，钨铜热沉内设置有贯穿的通水槽，若干钨铜热沉和巴条并排紧密连接，组成巴条阵列，底座上侧通过金刚石绝缘片...

本发明公开了一种高功率密度平顶式能量分布的半导体激光器系统及其封装方法，属于激光技术领域。本系统包括多个由半导体激光器巴条、封装热沉、绝缘片、快轴准直透镜组成的半导体激光器小单元，半导体激光器小单元固定在通水底座上，用慢轴柱透镜1对慢轴...

本发明涉及一种单模脊波导大功率半导体激光器及其制备方法，包括从下到上依次设置的衬底、N限制层、N波导层、量子肼有源层、P波导层、P限制层、欧姆接触层以及P面金属层，P限制层的表面设置有两个肩部，两个肩部之间设置有脊波导，脊波导分包括扩展...

本发明涉及一种提高限制层载流子浓度的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器领域，激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlInP下限制层、AlGaInP下波导层、GaInP第一量子阱、AlGaInP垒...

本发明公开一种垂直腔面发射激光器外延结构。所述外延结构从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一高折射率差AlGaAsDBR层、第一低折射率差AlGaAsDBR层、下AlGaAsP过渡层、下AlGaInPDBR层，下AlGaInP垒层、GaI...

本发明涉及一种半导体激光器及其封装方法，属于半导体激光器封装技术领域。激光器包括引线框架、激光器芯片和金线，其中，引线框架包括基板、塑封框架、引线和焊线电极，基板和焊线电极分别连接有引线，塑封框架穿过引线后包裹有基板和焊线电极，基板一侧...

本发明涉及一种半导体激光器芯片巴条腔面镀膜方法，属于半导体激光器技术领域。此方式采用MBE系统，在的真空环境下将半导体激光器芯片解理成巴条，摆齐后夹在夹具上送入MBE钝化腔样品台，样品台上可以放置两个夹具，同时钝化两组巴条。本发明公开了...

本发明涉及一种改善表面状态的金属电极及其制备方法，属于半导体激光器制造技术领域，从下到上包括外延片、粘附层、阻挡层、第一厚金层、过渡层、第二厚金层，粘附层金属的热膨胀系数与基底、阻挡层的热膨胀系数匹配，控制差异在25％以内，过渡层需具有...

本发明涉及一种具有渐变组分空穴加速层的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、渐变组分空穴加速层、电流限制层和...

本发明涉及一种新型透镜固定结构及其固定方法，属于激光器光路设计领域，包括透镜和镜框，透镜的边缘设置有楔形夹角，透镜和镜框的容纳腔边缘接触面上均设置有金属层，透镜和容纳腔的底部贴合面放置SnAgCu焊料。本发明在透镜及镜框上预留楔形结构并...

本发明涉及一种具有花卉型外腔的VCSEL器件及其制备方法。该VCSEL器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体材料层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层...

本发明涉及一种分布反馈式被动锁模稳定的激光器及制作方法，包括壳体、THS热沉、COS芯片、SAC‑慢轴准直透镜、VBG组合体、反射镜、连接桥、偏振合束器、FAC02‑第二快轴准直透镜、FAC01‑第一快轴准直透镜、聚焦透镜等结构，本申请...