本发明抑制金属粒子的凝聚。金属油墨(10)包含：金属粒子(12)；溶剂(16)；以及多元醇(14)，该多元醇含有两个以上的OH基且可溶解于水及乙醇。

本发明的铜‑陶瓷接合体为通过接合由铜或铜合金构成的铜部件(12，13)和陶瓷部件(11)而成的铜‑陶瓷接合体(10)，在陶瓷部件(11)与铜部件(12，13)的接合界面处，陶瓷部件(11)与铜部件(12，13)之间的距离在铜部件(12，...

由二氧化碳和水有效地生成碳及氢，反复生成并利用还原剂。包括：二氧化碳分解工序，生成表面上附着有碳的磁铁矿；碳分离工序，生成碳和氯化铁；氢制造工序，生成磁铁矿、氢及氯化氢气体；及还原剂再生工序，生成在所述二氧化碳分解工序中所使用的所述还原...

一种沿边弯曲加工用铜条，其是以弯曲半径R与宽度W的比率R/W为5.0以下的条件进行沿边弯曲加工的沿边弯曲加工用铜条，其中，厚度t在1mm以上且10mm以下的范围内，在正交于长度方向的截面中，将平行于宽度方向且与表面相接的直线与垂直于宽度...

本发明的传感器具有第一电极(21)、第二电极(22)、第三电极(23)、连接所述第一电极(21)和所述第二电极(22)的半导体膜(24)以及包覆所述第一电极(21)、所述第二电极(22)及所述半导体膜(24)的固体电解质被膜(25)，所...

该铜‑陶瓷接合体(10)具有由铜或铜合金构成的铜部件(12，13)及由氮化硅构成的陶瓷部件(11)，铜部件(12，13)和陶瓷部件(11)接合，在陶瓷部件(11)与铜部件(12，13)的接合界面处，在陶瓷部件(11)侧形成有活性金属氮化...

该铜‑陶瓷接合体(10)具有由铜或铜合金构成的铜部件(12，13)及陶瓷部件(11)，铜部件(12，13)和陶瓷部件(11)接合，在陶瓷部件(11)与铜部件(12，13)的接合界面处，在陶瓷部件(11)侧形成有活性金属化合物层(21)，...

其特征在于，具有由钛粒子烧结体构成的基材主体(11)及形成于该基材主体(11)的表面上的氧化钛皮膜(16)，锐钛矿型氧化钛在构成氧化钛皮膜(16)的钛氧化物中所占的比例为90％以上。基材主体(11)的气孔率优选在30％以上且92％以下的...

本发明的树脂组合物的特征在于，相对于热塑性树脂100质量份，在2质量份以上且70质量份以下的范围内包含碳纤维，在0.3质量份以上且7质量份以下的范围内包含硅烷偶联剂。

一种车削工具，其具备：工具主体，沿工具轴延伸且在前端部具有底座；切削刀片，可装卸地安装于底座上；及距离传感器，安装于工具主体上

在本发明的铜

提高性能

该金属板材由铜或铜合金构成，其具有：板主体和形成于该板主体的最表层的粗糙化镀层，在所述粗糙化镀层上形成有卡合凸部，所述卡合凸部具备向与所述板主体相反的一侧突出并且随着朝向突出方向的前端侧而宽度逐渐变宽的加宽部，在沿所述板主体的厚度方向的...

具有：酸浸出工序，向含有Li成分的电池渣添加酸而生成浸出液；第一添加工序，将Ca成分添加到浸出液中而生成第一处理物；第一添加后过滤工序，过滤第一处理物而分离成第一处理滤液和第一处理残渣；第二添加工序，将碳酸钠添加到第一处理滤液中而生成第...

一种表面包覆切削工具，设置有工具基体和在该工具基体的表面上的包覆层，所述工具基体由以WC粒子为硬质相成分、以Co为结合相的主成分的WC基硬质合金构成，其特征在于，(a)在所述工具基体与所述包覆层之间存在界面层，(b)当在所述界面层中，设...

一种表面包覆切削工具，包覆层的平均厚度为0.1μm以上且10.0μm以下，该包覆层包括第一层和第二层交替层叠的层，所述第一层的平均厚度为0.5nm以上且100.0nm以下，该第一层的的平均组成为(Al

该方法是使用安装有距离传感器(31、32)的工具主体(10、110)的加工方法，其具有：坐标设定工序，分别设定以设置在工具主体(10、110)上的切削刃(22、122)的刀尖为基准的刀尖坐标和以距离传感器(31、32)的基准点为基准的传...

一种包覆工具，基体为cBN烧结体，cBN烧结体中，cBN粒子的平均粒径为2.5μm以上且6.0μm以下、含量为40体积％以上且70体积％以下，基体的R为0.1μm以上且1.5μm以下，平均厚度为1.0μm以上且5.0μm以下的包覆层具有...

由金属铜构成的核粒子的表面被由源自羧酸铜的有机分子构成的有机保护膜包覆，粒子中所包含的氧化还原电位低于铜的金属杂质的合计浓度小于10质量ppm且铜粒子在一次粒子的状态下的平均粒径大于50nm且200nm以下。在使用飞行时间二次离子质谱分...

提供一种无副产物且离子电导率高的硫化锂的更合适的制造方法。硫化锂的制造方法包括如下升温工序(步骤S14)：将投入到炉中的硫酸锂在减压至0.05MPa以下的气氛下，在加热至高于700℃的温度的状态下进行还原。于700℃的温度的状态下进行还...