本申请涉及一种半导体器件，半导体器件包括第一表面、第二表面、在第一表面与第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由第一表面向第二表面延伸设置的多个第一沟槽和多个第二沟槽；第一半导体层为阱区，第二沟槽包括设于第一沟槽两侧的第一部...

本申请涉及一种半导体器件及芯片，半导体器件包括元胞结构，元胞结构包括外延层、场板以及多个栅极结构。外延层包括外延部和分布于外延部周侧的第一沟槽。外延部包括掺杂区和多个第二沟槽。多个栅极结构与多个第二沟槽一对一对应设置。场板设置于第一沟槽...

本申请涉及一种碳化硅MOSFET半导体器件及制作方法，碳化硅MOSFET半导体器件，包括：衬底；多个第一阱部，间隔设于衬底一侧，第一阱部包括第一导电类型材料；第二阱部，对应设于第一阱部背离衬底一侧，第二阱部具有第一开口，第二阱部包括第二...

本申请涉及一种功率二极管及其制作方法，功率二极管包括芯片、连接组件以及壳体。连接组件包括第一连接件和第二连接件，第一连接件包括第一安装部和第一表面，第二连接件包括第二安装部，芯片位于第一安装部与第二安装部之间，第一表面位于第一安装部背向...

本申请实施例提供了一种半导体器件，半导体器件包括封装体和多个引脚

本申请公开了一种用于半导体的环氧封装组合物及其制备方法和半导体器件封装层，环氧封装组合物以质量百分数计包括如下组分：环氧树脂，5％

本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的...

本申请提供了一种二极管器件。二极管器件包括底板、引线框架和芯片组件，底板具有第一表面，底板上设置有凸台，凸台沿背离第一表面的方向延伸设置。引线框架连接于底板的一端。芯片组件包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的阴极端面与第一表面连接，第一芯...

本申请实施例提供了一种半导体器件，半导体器件包括封装体和多个引脚。多个引脚与封装体连接，多个引脚相互间隔设置，引脚远离封装体的端部开设有凹槽，引脚用于通过焊料与电路板连接，凹槽用于收容部分焊料。将半导体器件焊接在电路板的过程中经过加热回...

本申请公开了一种二极管封装结构及其制造方法，二极管封装结构包括：连接底板，包括导电本体、第一连接柱以及第二连接柱，导电本体具有第一表面，第一连接柱以及第二连接柱与第一表面连接；引线框架，连接于导电本体的一端；芯片组件包括第一芯片、第二芯...

本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构...

本申请提供了一种焊接结构及功率器件。焊接结构用于功率器件，焊接结构包括底板和电路基板，底板包括焊接区，焊接区设置有多个支撑件，支撑件沿第一方向凸出于底板的表面，至少部分支撑件沿焊接区的周侧排布设置；电路基板设置于底板具有支撑件的一侧并与...

本申请提供了一种二极管器件。二极管器件包括框架、芯片组和连接件，芯片组包括层叠设置的至少两个芯片，芯片组沿层叠方向的一侧连接于框架，芯片包括沿层叠方向上相背的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面的极性相反且面积大小不同。连接件连接于芯...

本申请提供了一种焊接结构及功率器件。焊接结构用于功率器件，焊接结构包括底板和电路基板，底板包括焊接区，焊接区设置有多个支撑件，支撑件沿第一方向凸出于底板的表面，至少部分支撑件沿焊接区的周侧排布设置；电路基板设置于底板具有支撑件的一侧并与...

本申请公开了一种引线框架和半导体封装结构。引线框架包括引线框架主体，引线框架主体包括设置有芯片焊盘的第一表面，芯片焊盘包括第一区和第二区；第一区用于放置芯片；第二区上设置有能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主...

本申请提供了一种二极管器件及其制造方法。二极管器件包括框架、芯片组和连接件，芯片组包括层叠设置的至少两个芯片，芯片组沿层叠方向的一侧连接于框架，芯片包括沿层叠方向上相背的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面的极性相反且面积大小不同。连...

本申请实施例公开了一种半导体器件，包括：封装体和多个引脚。多个引脚，多个引脚围绕封装体并与封装体连接，多个引脚相互间隔设置，引脚具有至少一个凹槽，凹槽设置于引脚远离封装体的一端，引脚用于通过焊料与电路板连接，凹槽用于收容部分焊料。将半导...

本申请公开一种双沟槽型碳化硅晶体管，涉及半导体器件技术领域。该晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括设置在第一表面上的第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在外延层内的第一元胞区，第一元胞区包括并行...

本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管，涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，...

本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅...