日铁住金新材料股份有限公司专利技术

日铁住金新材料股份有限公司共有14项专利

  • 本发明的课题是提供实现球接合部的充分且稳定的接合强度,即使在低环时也不会发生颈损伤,倾斜特性良好,FAB形状良好的以Ag为主成分的半导体装置用接合线。为了解决所述课题,本发明涉及的半导体装置用接合线,其特征在于,含有总计为0.031原子...
  • 一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层,可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)为1.1~1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接...
  • 一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层,其特征在于,所述接合线包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素,由下述式(1)定义的耐力比为1.1~1.6。耐力比=最大耐力/0.2%耐力(1)。
  • 本发明提供一种适合车载用装置的接合线,其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线,改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层,该接合线包含0.011~1.2...
  • 本发明提供一种适合车载用装置的接合线,其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线,改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层,该接合线包含0.011~1.2...
  • 本发明提供一种半导体装置用接合线,其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层,该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性,并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球...
  • 半导体连接用的Cu柱用圆柱状形成物
    本发明的课题是在半导体芯片上设置Cu柱来进行电连接时,与采用镀敷法形成Cu柱的方法相比,能够增大Cu柱的高度/直径比,提高生产率,增高Cu柱的高度,提高Cu柱的可靠性。本发明为解决该课题,预先将Cu柱用的材料形成为圆柱状形成物,并将该圆...
  • 一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层,可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)为1.1~1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接...
  • 本发明涉及一种具有Cu合金芯材和在其表面形成的Pd被覆层的半导体装置用接合线,谋求提高175℃~200℃的HTS中的球接合部的接合可靠性和使耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)为1.1~1.6。通过使线中含有总计为0.03~2质量%的Ni...
  • 提供一种接合线,该接合线是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线,改善了在高温高湿环境中的球接合部的接合可靠性,适合于车载用装置。一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层,接合线包含合计为0.011...
  • 提供一种接合线,其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线,改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性,适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层,接合线含有合计为0.1~100质量ppm的As、Te...
  • 本发明提供一种半导体装置用接合线,其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层,该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性,并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球...
  • 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良,提供一种半导体装置用接合线,其特征在于,(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中,不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织);(2)测定线...
  • 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良,提供一种半导体装置用接合线,其特征在于,(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中,不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织);(2)测定线...
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