本发明涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备，包括：第一工艺槽，被构造为容纳第一工艺液体，并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的孔洞；第二工艺槽，被构造...

本发明涉及一种用于基片的湿法处理设备，具有主体外壳，其包括用药液对基片、尤其是硅片进行湿法化学处理的多个处理槽，沿处理槽延伸和传送基片的水平传动系统，为了便于对设备的处理区进行监测和维护保养，以及对于配套设施在设备里的集成实行优化，并因...

本实用新型涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备，包括：第一工艺槽，被构造为容纳第一工艺液体，并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的孔洞；第二工艺槽，被...

本实用新型涉及一种用于基片的湿法处理设备，具有主体外壳，其包括用药液对基片、尤其是硅片进行湿法化学处理的多个处理槽，沿处理槽延伸和传送基片的水平传动系统，为了便于对设备的处理区进行监测和维护保养，以及对于配套设施在设备里的集成实行优化，...

本实用新型涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备，其包括：‑用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，‑用于将气泡从布置在所述槽(3)中的半导体衬底(2)的表面(19)至少部分地去除的装置。

本发明涉及一种用于在唯一的步骤中非对称式处理晶圆(2)的设备和方法。

本发明涉及一种用于化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S0)的半导体衬底(2)的设备(1)，包括带有第一工艺液体(10)的第一工艺槽(6)。第一工艺液体(10)既适于去除被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S...

本实用新型涉及一种用于化学处理带有被锯割形成的表面结构(S0)的半导体衬底(2)的设备(1)，包括带有第一工艺液体(10)的第一工艺槽(6)。第一工艺液体(10)既适于去除被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S0)，也适于通过金...

本实用新型涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备，所述半导体衬底带有被锯割形成的表面结构，所述设备具有：工艺槽，被构造为用于容纳工艺液体，并由此去除被锯割形成的表面结构和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构；清洁装置，被构造为用硝酸...