本申请公开了一种半导体器件，其制备在衬底上，包括：振膜、背极板和背腔，其中振膜上设有凹陷结构。通过在振膜上设置凹陷结构，其能释放振膜本身结构中的内应力，使得振膜的具有更高的机械灵敏度，从而给器件带来更佳的信噪比。本申请还公开一种半导体器...

本发明公开了一种半导体器件，制备在衬底上，包括：振膜结构、背极板结构和背腔，其特征在于：所述振膜结构包含：中间振膜和外围振膜，以及由所述中间振膜和所述外围振膜组成的细缝；所述中间振膜由若干离散锚点固定在所述衬底上，所述外围振膜由一薄膜圈...

本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管，其制备在衬底上，该MOS晶体管的沟槽分为两段：第一段沟槽和第二段沟槽，第一段沟槽内和第二段沟槽内分别填充第一栅极材料和第二栅极材料，第一栅极材料和第二栅极材料由栅极绝缘层实现物理上隔离，MOS晶体管的...

本发明公开了一种MOS晶体管开关，制备在衬底上，衬底的外延层内设有第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽宽度大于第一沟槽，第一沟槽内填充有第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极通过栅极层间介质层分开，第二沟槽内填充有第一栅极，第一栅极金属从第二沟...

本发明公开了一种半导体器件，其制备在衬底上，包括：振膜、背极板和背腔，其中振膜通过锚点直接固定在衬底上。本发明实施例提供的锚点结构，振膜受到该层膜内应力的影响很小，可以释放绝大多数薄膜本身的内应力，所以使振膜有较好的结构柔顺度，能提供良...

本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的制备方法，包括：提供一衬底，在所述衬底正面上生长一外延层，所述外延层上包括预定的终端区域和元胞区域；在所述外延层上形成沟槽，其中在所述终端区域和所述元胞区域均有沟槽；在所述沟槽里形成栅极，其中在栅极材...