一种背光单元，包括：具有平行于x‑y平面设置的上侧的载体、沿着z方向设置在载体之上的反射器复合件；沿着z方向设置在反射器复合件之上的光学复合件；以及沿着z方向设置在光学复合件之上的漫散射器。背光单元的基板单元包括：载体的部段，所述部段具...

本发明涉及一种发光模块，其具有：多个发射区域，构成为用于：在运行中发射光，发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域和第二发射区域，第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少一个第二类型的第一发射区域和第二发射区域，第二...

本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧...

提出一种发光材料。发光材料具有化学通式：(MA)

提出一种照明设备。照明设备包括发光材料，所述发光材料具有化学通式(MA)

根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上...

提出一种发光器件，其具有

提出一种用于显示设备(100)的图像元件(1)和一种显示设备(100)。图像元件(1)包括发光半导体器件(B)、具有第一输入端(3E1)和第二输入端(3E2)以及输出端(3A)的比较单元、供电开关(A)、选择输入端(4)和数据输入端(5...

提出一种用于光电子半导体器件(1)的壳体(2)，其具有

一种光电子设备(30)，包括外延层堆，所述外延层堆由至少一个第一外延层(31)和设置在第一外延层(31)之上的第二外延层(32)构成，其中在外延层堆中嵌入以下层：第一传导类型的第一半导体层(12)；设置在第一半导体层(12)之上的有源层...

一种激光光源(10)，其包括表面发射的半导体激光器(1251、1252、...、125

一种PWM控制的电流源包括：选择输入端(15)和调制输入端(14)；以及电流源，该电流源能够借助于控制端子处的信号进行开关，该电流源的电流输出端被设计用于连接到用电器。具有输入节点和输出端的反相器电路与控制端子耦合，其中反相器电路具有由...

在至少一个实施方式中，光电子半导体器件(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有掺杂的第一层(20)、掺杂的第二层(21)、在第一层和第二层之间的用于借助于电致发光产生辐射的有源区(22)和侧面(25)，所述侧面横向于有源区延伸...

提出一种器件复合件(1)，其具有多个器件(2)和承载件(5)，其中器件借助于连接层(4)固定在承载件上并且连接层为每个器件形成至少一个支承结构(41)，连接层在所述支承结构上邻接于器件。局部地在器件和连接层之间设置有牺牲层(3)。器件的...

在一个实施方式中，方法用于制造光电子半导体芯片(1)并且包括：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且有源区(33)由多个、彼此交替的...

光电器件包括：具有主面的至少一个光电半导体芯片，在该主面处设置有两个电触点；控制器芯片，其用于通过大量电连接点来控制光电半导体芯片；以及具有壳体主体的壳体。光电半导体芯片以横向于主面的安装面设置在壳体主体的第一凹槽中。第一凹槽的侧面与第...

提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片(1)的方法，具有如下步骤：

提出了一种光电子器件(1)，其包括至少一个第一半导体发射器(10)和至少一个第二半导体发射器(20)，这些半导体发射器分别具有有源区域(101、201)和正面耦合输出面(102、202)。有源区域(101、102)设置成产生电磁辐射。此...

在至少一个实施方案中，显示模块(100)包括具有前侧(10)和后侧(11)的载体(1)以及在前侧(10)上由可电控的多个像素(2)组成的像素场。在操作期间，通过所控制的每个像素发射电磁辐射。显示模块还包括在前侧上的连接层(3)，像素通过...

提出一种发光材料(1)，具有通式EA2A4D3O