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南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有1755项专利
半导体元件制造技术
本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一下水平支撑层、一上水平支撑层、一垂直支撑结构、一第一电容器电极及一中间水平支撑层。该下水平支撑层设置于该基底上。该上水平支撑层设置于该下水平支撑层上。该垂直支撑结构在该下水平支撑层与该...
电子元件、电子结构及其制备方法技术
本申请提供一种电子元件、一种电子结构及其制备方法。该电子元件包括一基底、一导电结构以及至少一个外部连接器。该导电结构设置于该基底上,包括一测试垫经配置以在一测试过程中被一探针接触。该外部连接器电性地连接到该导电结构,并从该电子元件的一表...
半导体元件及其制备方法技术
本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一位元线、一半导体层及一字元线。该位元线设置于该基底上。该半导体层设置于该位元线上。该字元线邻接该半导体层。该字元线具有面向该基底的一下表面及与该下表面相对的一上表面。该半导...
半导体元件及其制备方法技术
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一下水平支撑层、一上水平支撑层、一垂直支撑结构以及一第一电容器电极。该下水平支撑层设置于该基底上。该上水平支撑层设置于该下水平支撑层上。该垂直支撑结构在该下水平支撑层与该上水...
测试界面电路制造技术
本发明提供一种测试界面电路包括N个开关及N个第一电阻器,其中N是正整数。所述N个开关中的每一者的第一端耦接到N个测试连接端中的每一者,所述N个开关中的每一者的第二端接收参考电压。所述N个第一电阻器中的每一者在所述N个测试连接端中的每一者...
具有周边栅极结构的半导体元件及其制备方法技术
本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底,该基底包括一阵列区域及一周边区域;以及一周边栅极结构,包括:一周边栅极介电层,向内设置于该基底的该周边区域中,并包括一U形截面轮廓;一周边栅极导体,包括一底部及一颈部,该底部...
电子元件、电子结构及其制备方法技术
本申请提供一种电子元件、一种电子结构及其制备方法。该电子元件包括一基底、一导电结构、至少一个外部连接器及一底部钝化层。该导电结构设置于该基底上,包括一测试垫经配置以在一测试过程中被一探针接触。该外部连接器电性地连接到该导电结构,并从该电...
半导体元件及其制备方法技术
本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底,该基底包括一阵列区域及一周边区域;以及一周边栅极结构,包括:一周边栅极介电层,向内设置于该基底的该周边区域中,并包括一U形截面轮廓;一周边栅极导体,包括一底部及一颈部,该底部...
半导体元件及其制备方法技术
本申请公开一种接触结构、一种半导体元件,以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底;一杂质区,设置于该基底中;一中介导电层,设置于该杂质区上;一底部导电层,设置于该中介导电层上;一导电封盖层,设置于该底部导电层上;一顶部导电层,...
半导体元件制造技术
本申请提供一种半导体元件,其包括具有一沟槽的一基底以及该沟槽中的一栅极结构。该栅极结构包括一下栅极电极,设置于该下栅极电极上的一上栅极电极,与该上栅极电极接触的一硅化层,以及设置于该下栅极电极与该基底之间的一下介电层。该下栅极电极及该上...
半导体元件及其制备方法技术
本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括具有一沟槽的一基底以及该沟槽中的一栅极结构。该栅极结构包括一下栅极电极,设置于该下栅极电极上的一上栅极电极,以及与该上栅极电极接触的一硅化层。
具有去耦电容器结构的半导体元件及其制备方法技术
本申请提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底、去耦电容器结构以及电子元件。去耦电容器结构设置于基底上。电子元件设置于去耦电容器结构上,并电性地连接到去耦电容器结构。电子元件堆叠于去耦电容器结构上。去耦电容器结构包括第一导电层...
具有虚设导电件的半导体结构的制造方法技术
一种半导体结构的制备方法,包括:形成第一晶圆,包括:提供第一基底、第一介电层及第一键合层;移除第一键合层的部分以形成延伸穿过第一键合层的第一开口及部分延伸穿过第一键合层的第二开口;将第一导电材料设置于第一及第二开口中以分别形成第一通孔及...
硬遮罩结构以及半导体结构的制备方法技术
本公开提供一种硬遮罩结构以及一种半导体结构的制备方法。该硬遮罩结构包括一第一可灰化硬遮罩、一第一介电抗反射涂层以及一第二可灰化硬遮罩。该第一介电抗反射涂层设置在该第一可灰化硬遮罩上。该第二可灰化硬遮罩设置在该第一介电抗反射涂层上。该第一...
形成半导体结构的方法技术
本揭露提供一种形成半导体结构的方法,包括形成介电堆叠于基板上,其中形成介电堆叠包括依序形成的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层及第三支撑层。形成第一硬遮罩层于介电堆叠上。形成第二硬遮罩层于第一硬遮罩层上。使用图案化遮罩作为蚀...
半导体结构的制备方法技术
本公开提供一种半导体结构的制备方法,包括:形成一导电层在一基底上;形成一第一可灰化硬遮罩在该导电层上,其中该第一可灰化硬遮罩的一应力从大约‑100MPa到大约100MPa;形成一第一介电抗反射涂层在该第一可灰化硬遮罩上;形成一第二可灰化...
存储器控制电路和刷新方法技术
本发明提供一种用于动态随机存取存储器(DRAM)阵列的存储器控制电路和刷新方法。存储器控制电路包括模式寄存器电路、命令解码器以及刷新电路。模式寄存器电路包括多个模式寄存器。命令解码器接收刷新命令且将多个模式寄存器中对应于刷新命令的目标模...
锁存装置和其操作方法制造方法及图纸
锁存装置包括存储器单元、一对写入开关以及输出端子。存储器单元存储锁存数据,且一对写入开关通过第一节点和第二节点耦接到存储器单元。当第一输入信号和第二输入信号的逻辑值为预定逻辑值时,所述一对写入开关保持存储于存储器单元中的锁存数据,且当第...
半导体元件及其制备方法技术
本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一去耦电容器结构以及一电子元件。该去耦电容器结构设置于该基底上。该电子元件设置于该去耦电容器结构上,并电性地连接到该去耦电容器结构。该电子元件堆叠于该去耦电容器结构上。
具有键结结构的半导体元件制备方法技术
本公开提供一种半导体元件制备方法,包括:提供第一基底;形成第一介电层在第一基底上;提供第二基底,其包括在第二基底上方的金属化层;形成第二介电层在金属化层的上方;键结第一介电层与第二介电层,以形成第一基底与第二基底之间的键结结构;图案化第...
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