本公开的实施例提供一种MEMS压力传感器，包括：传感器本体和芯片，传感器本体具有容纳空间，芯片设于容纳空间内，传感器本体的外侧形成有密封槽，传感器本体上形成有隔离槽，隔离槽沿传感器本体的径向设于芯片与密封槽之间，隔离槽与密封槽为同心设置...

本公开的实施例提供一种MEMS压力传感器，包括：传感器本体，传感器本体具有开口的容纳空间；信号采集组件，部分信号采集组件设于容纳空间内且背离容纳空间的开口端；膜片，膜片覆盖容纳空间的开口端；阻挡件，阻挡件固设于容纳空间内，阻挡件位于膜片...

本公开的实施例提供一种MEMS电容式温湿度集成传感器及制备方法，传感器包括：体硅层，设置有贯穿其厚度的下空腔；依次层叠设置于体硅层的埋氧层、器件层、第一介质层和第一电极层；温度敏感层，设置于下空腔内，且位于第一介质层和第一电极层之间；其...

本公开的实施例提供一种基于SVM的MEMS压力传感器非线性矫正方法、装置和电子设备，所述方法包括：根据非线性误差传递函数，建立MEMS压力传感器的SVM非线性误差补偿模型；获取所述MEMS压力传感器的实际输出参量和实际环境影响参量；将所...

本公开的实施例公开了一种MEMS压力传感器及其温漂补偿方法和装置。所述方法包括：获取MEMS压力传感器的实际压力值和实际温度值；将所述MEMS压力传感器的所述实际压力值和所述实际温度值输入预先训练的基于BP神经网络的温漂补偿模型，预测得...

本公开的实施例公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，包括第一衬底、第二衬底、第一钝化层、第二钝化层、第一逆压电单元、压阻单元和第一引线及焊盘；第一衬底设置有空腔，并固定于第二衬底；第一钝化层设置于第一衬底背离第二衬底的一侧，内...

本公开的实施例公开了一种MEMS磁阻式磁传感器及制备方法。包括：第一衬底，第一表面设置有空腔；钝化层，设置于第一衬底的第二表面；磁敏电阻和压敏电阻，内嵌于钝化层背离第一衬底的表面，并且磁敏电阻和压敏电阻的位置与空腔相对应；磁导层，设置于...

本公开的实施例公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法。包括：第一衬底，依次设置于其第一表面的缓冲层和发光二极管，依次设置于第一衬底的第二表面的钝化层和第一引线及焊盘，以及围设于发光二极管周围的第一连接层，第一衬底设置有传压窗口；第二衬...

本公开的实施例公开了一种MEMS热损失型流量传感器及其制备方法。包括：第一衬底和第二衬底，所述第二衬底的第一表面设置有变横截面面积的凹槽，所述第二衬底的第一表面与所述第一衬底的第一表面键合形成变横截面面积的流道；绝缘层，设置在所述第一衬...

本公开的实施例公开了一种MEMS加速度与压力集成传感器及其制备方法。包括：第一衬底，设置有空腔；设置于第一衬底的埋氧层、器件层和第一钝化层，三者对应空腔的部分形成敏感薄膜；第一压敏电阻和第一欧姆接触区，内嵌于器件层的表面；设置于第一钝化...

本实用新型提供一种O型圈的安装工具，包括推杆、弹簧、导杆和固定杆；所述推杆具有相对的第一侧面和第二侧面，所述推杆设置有贯穿第一侧面的第一安装孔；所述导杆的第一端伸入所述第一安装孔内，并在所述导杆的第一端和所述推杆的内壁之间活动连接所述弹...

本公开实施例提供一种MEMS加速度计及其制备方法。MEMS加速计包括：衬底；支撑柱，设置于衬底；第一连接梁，设置于支撑柱背离衬底的一侧；第二连接梁，设置于衬底并与第一连接梁相对间隔设置；感应元件和质量块，均设置于第二连接梁；双材料弹性支...

本公开实施例提供一种MEMS电容式加速度计及其制备方法。包括：第一衬底；第一电极层和支撑层，设置于第一衬底，并且支撑层位于第一电极层外侧；弹性件和弹性件底盘，弹性件的第一端插置于第一电极层与第一衬底抵接，第二端与弹性件底盘抵接；连接层，...

本公开的实施例公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，包括：第一衬底和第二衬底，第二衬底固定于第一衬底以形成密闭空腔；第一压敏电阻和第二压敏电阻，分别设置于第一衬底的两个表面；永磁体，设置在第一衬底中并位于压敏电阻两侧；金属电极...

本公开提供一种隔离封装压力变送器，包括：基座，所述基座一端具有腔体；标准输出压力芯片，所述标准输出压力芯片封装在所述腔体内；传导介质，所述传导介质填充在所述腔体中，以封装所述标准输出压力芯片；盖环，所述盖环盖设在所述基座具有腔体的一端；...

本发明提供一种快速响应的薄膜铂电阻温度传感器及其制备方法，属于温度参数的实时测量技术领域。其中，该薄膜铂电阻温度传感器包括：金属底座、隔热件以及薄膜铂电阻；金属底座朝向待测介质的一侧设置有凹槽，所述隔热件与所述薄膜铂电阻依次叠设在所述凹...

本发明提供一种触觉压力传感器及其制备方法，触觉压力传感器包括触头层、上电极层、上介质层、中介质层、下介质层和下电极层，所述上电极层和所述上介质层之间设置第一电极，所述上介质层和所述中介质层之间设置第二电极，所述中介质层和所述下介质层之间...

本发明提供一种MEMS风速传感器及其制备方法，MEMS风速传感器包括衬底、质量块、连接梁、缓冲弹簧、第一线圈层、第一绝缘层和转子；所述衬底为中空的环形结构；所述质量块设置于所述环形结构的内侧；所述质量块上固定有连接梁，所述连接梁与所述衬...

本发明提供一种MEMS压力传感器封装结构及其制备方法，MEMS压力传感器封装结构包括壳体、波纹膜片、形变单元、底座、介质油和控制电路；所述壳体具有相对的第一表面和第二表面，所述壳体的中部设置有贯穿第一表面和第二表面的通孔，所述波纹膜片设...

本发明提供一种气压高度传感器，其包括第一压力敏感芯体、第一放大调理电路、第二压力敏感芯体、第二放大调理电路以及微控制器；所述第一放大调理电路与所述第一压力敏感芯体电连接，所述第一放大调理电路用于对第一电阻信号进行调理和放大并获取第一电压...