含有硫代氨基甲酸酯的镍电镀组合物在基材上沉积粗糙镍。粗糙镍可以在宽电流密度范围内电镀。与许多常规的镍沉积物相比，粗糙镍沉积物能够改善对其他金属层的粘附性。

含有巯基四唑的镍电镀组合物在基材上沉积粗糙镍。粗糙镍可以在宽电流密度范围内电镀。与许多常规的镍沉积物相比，粗糙镍沉积物能够改善对其他金属层的粘附性。

一种形成图案的方法，该方法包括：在衬底上提供光致抗蚀剂底层；在该光致抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层图案化；以及将图案从该图案化的光致抗蚀剂层转移到该光致抗蚀剂底层；其中该光致抗蚀剂底层由组合物形成，该组合物包含溶剂和由式...

本文公开了一种金属化方法，其包括(a)在基底的第一表面上提供光致抗蚀剂层，其中该光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，该光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的聚合物；光酸产生剂；有机膦酸；和溶剂；(b)将该光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活...

用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物。提供了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物和交联剂，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：

一种光酸产生剂，其包括有机阳离子；和包括阴离子核的阴离子，其中阴离子核包括环戊二烯化基团，其中环戊二烯化基团被包括半金属元素的有机基团取代，并且其中阴离子被一个或多个吸电子基团取代。

公开了一种光活性化合物，其包含有机阳离子；和由式(1)表示的阴离子：其中X是有机基团；Y1和Y2各自独立地是非氢取代基；Y1和Y2一起任选地形成环；Z2是氢、卤素、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取...

本文公开了一种金属化方法，其包括(a)在基底的第一表面上由底层组合物形成底层，该底层组合物包含：含有酸不稳定基团和敏化基团的第一聚合物，其中(i)第一聚合物含有敏化基团或者(ii)不同于第一聚合物的化合物含有敏化基团；其中底层具有第一厚...

银电镀组合物沉积具有针状晶粒结构的粗糙亚光银。粗糙亚光银沉积物能够与介电材料良好粘附，即使在高相对湿度的环境中。

一种由式(1)表示的化合物：其中，X是具有为r的化合价的基团；每个R1独立地是包含酸不稳定基团的有机基团；m是大于或等于1的整数；k是1至5的整数；并且r是2至10的整数，其中该化合物是非聚合的，并且其中Ar1、L1、L2、R2和R3如...

含碘的光酸产生剂和包括其的组合物

提供了一种介电复合材料，其包含(a)20

提供了一种来自混合物的树脂组合物，该混合物包含：(a)60

本公开涉及光致抗蚀剂面涂层组合物和处理光致抗蚀剂组合物的方法。光致抗蚀剂面涂层组合物，其包含：包含具有以下通式(I)的单体作为聚合单元的含水碱溶性聚合物：其中：R1选自H、卤素原子、C1

一种通过在银、银合金、金或金合金上施加薄的铋涂层来抑制银或银合金的锈蚀形成和金或金合金的腐蚀的方法。所述薄的铋涂层即使在热老化后也不会损害银、银合金、金或金合金的电气性能。电气性能。电气性能。

公开了通过相移脉冲电镀工艺同时在基底的两侧先对基底的通孔进行初始镀铜以在通孔中间形成不完整的桥。随后对整个基底进行脉冲电镀以完成通孔的填充。电镀以完成通孔的填充。电镀以完成通孔的填充。

本申请涉及具有改进的晶须抑制的压配合端子。一种用于插入到基板的导电通孔中的压配合端子包括具有外表面和内表面的弹性变形部分，所述压配合端子依次包括铜或铜合金基体、镍或镍合金阻挡层、锡或锡合金层以及铟顶层。所述压配合端子显示出减少的晶须形成...

一种光致抗蚀剂组合物，其包含：第一聚合物，该第一聚合物包含：含有羟基芳基基团的第一重复单元；含有第一酸不稳定基团的第二重复单元；以及含有pKa为12或更小的第一碱溶性基团并且不含羟基芳基的第三重复单元；其中该第一聚合物的第一、第二和第三...

光致抗蚀剂面漆组合物包含：氟化的第一聚合物、第二聚合物、以及包含酯溶剂和一种或多种附加的有机溶剂的基于有机物的溶剂体系，其中该组合物基本上不含光酸产生剂化合物。本发明特别适用于制造半导体装置。明特别适用于制造半导体装置。

一种形成图案的方法，该方法包括：在衬底上施加光致抗蚀剂底层组合物以提供光致抗蚀剂底层；在该光致抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层图案化；以及将图案从该图案化的光致抗蚀剂层转移到该光致抗蚀剂底层。该光致抗蚀剂底层组合物包括包含...