本发明为一种于一半导体晶片表面上沉积一薄膜的方法，该半导体晶片表面可至少区分为一涵盖该半导体晶片中心的第一区域以及一涵盖该半导体晶片边缘的第二区域，且该第一区域以及该第二区域之间存在一高度梯度；本发明的方法是先于该半导体晶片表面进行一同...

本发明为一种制作滤光片的方法，可增加一半导体晶片上的一滤光片附着力并避免光线的跨越干扰现象；该方法是先于该半导体晶片上形成一介电层以覆盖设于该半导体晶片上的ＭＯＳ晶体管感测器；然后于该介电层上形成复数个金属层约略设置于各ＭＯＳ晶体管感测...

本发明为一种制作滤光片的方法，可增加一半导体晶片上的一滤光片附着力；该半导体晶片上包含有一基底，复数个金属氧化半导体（ＭＯＳ）晶体管感测器设于该基底上，以及复数个绝缘物分别设于任两ＭＯＳ晶体管感测器间的该基底上；该方法是先于该半导体晶片...

本发明系提供一种具有高抗张强度阻障层的形成方法，用以改善铜双镶嵌内连线的可靠度。本发明首先提供一半导体晶片，其包含有一具有一双镶嵌结构之低介电常数材料层。该双镶嵌结构包含有一导线沟渠结构以及一接触窗开口，其中该接触窗开口通达一下层金属导...

本发明系提供一种于一半导体晶片上制作一矽氧层的方法，以增加该矽氧层之沉积速率与均匀度，并减少氯化氢（ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｃ　ａｃｉｄ，ＨＣｌ）之生成，以避免进行高温氧化（ｈｉｇｈ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ，ＨＴＯ）制...

本发明提供一种嵌入式存储器的接触插塞的制作方法，该方法是先提供一定义有一存储阵列区及一周边电路区的半导体晶片，然后于该存储阵列区上形成复数个栅极以及轻掺杂漏极；接着于该半导体晶片表面依序形成一氮硅层以及一第二介电层，并于该存储阵列区上方...

本发明提供一种在化学机械研磨中减少一导体结构碟陷（ｄｉｓｈｉｎｇ）与侵蚀（ｅｒｏｓｉｏｎ）的方法，该方法至少包括：提供一介电层，于介电层上具有至少一介窗洞；形成一阻障层（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）于介电层与介窗洞上；形成一导电层，例...

本发明揭示一种新的栓塞金属层的形成方法，该方法包括：首先提供一具有一介电层与一介层洞的半导体底材；然后，形成一阻障层于介电层以及介层洞的侧壁与底部表面上；接着，进行至少一次原子层沉积制程（ＡＬＤ）以形成一连续性金属源层（Ｃｏｎｔｉｎｕｏ...

本发明提供一种自行对准转接通道的制作方法，首先于一半导体基底上布局复数条字元线以及主动区域，并使两相邻两字元线通过主动区域部份形成一转接通道区域，以及在主动区域以外形成一填缝区域；接着于字元线两侧各形成一侧壁子，并使侧壁子的厚度足以填满...

本发明揭示了一种降低多晶硅层洞缺陷的方法，包括：首先，提供半导体底材，接着，形成多晶硅层在半导体底材上；然后，进行无气泡底部反反射层涂布程序，其中无气泡底部反反射层涂布是由去水烘烤，斥水性的溶剂处理，与稳定烘烤之一或其组合之一进行；最后...

本发明揭示了一种用于铜／低介电常数材料后段制程的接合垫结构。此接合垫结构利用一介电层与一以沟填制程形成的导体接合垫来保护下方的接合垫结构。导体接合垫具有数个介层柱塞，这些介层柱塞是嵌入介电层并连接下方的接合垫结构。此接合垫结构亦包含一保...

一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。接着，在晶体管元件区形成栅极结构之后，再于栅极结构两侧的晶体管元件区中形成源／漏极区，且同时于光二极管感测区中形成掺杂区...

一种研磨半导体晶片的复合研磨垫及其制作方法；先提供一表面包含一粘着层以及复数个硬质，研磨材质的第一研磨垫，然后将部分的第一研磨垫打孔，以去除部分设于该第一研磨垫表面的硬质研磨材质，并形成复数个穿透该第一研磨垫的孔洞；接着提供一表面包含一...

本发明提供一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法。首先于一其上包含有低介电常数材料层的半导体晶片上进行第一含氢等离子体处理步骤，以强化该低介电常数材料层的表面抗光阻去除液侵蚀能力。接着于该低介电常数材料层上涂布光阻层，并于该光...

一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法。于形成金属薄膜电容器之前，利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线。电容器的下电极是在镶嵌制程中形成，而此镶嵌制程亦同时用来形成导线和插塞。且于用以隔离双镶嵌结构的绝缘层的上方形成抗反射层，此抗反射层亦...

本发明系为一种制作基极介电层（ｇａｔｅ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）的方法，特别是有关于一种依序藉由远端等离子体氮化处理（ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ；ＲＰＮ）法及热回火（ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａ...

一种在一集成电路中形成一电容器的方法，其包括：提供一半导体底材，具有一导电层于半导体底材上；移除部分导电层以形成一电极；植入多个第一掺质于电极的一表面以形成一第一掺杂区；植入多个第二掺质于电极中以形成一第二掺杂区于第一掺杂区下方；及形成...

本发明揭示一种用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法。本方法至少包括提供具有氧化硅层的底材与其一氮化硅层在氧化硅层上。然后，沉积半导体层在氮化硅层上。另外，形成第一传导型式的传导区域于半导体层中。接着，形成介电层在半导体层上。然后，非...

本发明还提供一种研磨垫片恢复器的结构及其应用，其中结构包括用来供应高压水流的一高压水输入管、连接在高压水输入管末端的超音波振荡器、与超音波振荡器连接的一储水槽，以及位于该储水槽上的一水刀射出构造。其中，超音波振荡器用来供应能量给高压水流...

第一逻辑单元包括ＰＭＯＳ与ＮＭＯＳ，其中ＰＭＯＳ的源极区与电源线经由第一导线相连接，ＮＭＯＳ的源极区与地线经由第二导线连接，ＰＭＯＳ的漏极区与ＮＭＯＳ的漏极区经由一第三导线相连接，ＰＭＯＳ的栅极与ＮＭＯＳ的栅极经由多晶硅线相连接。第二逻...