本发明公开了一种高电子迁移率晶体管结构，包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管，及一颗双向高压导通保护二极管；所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本发明在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器...

本发明公开了一种高压晶体管结构，包括一颗硅材料作成的Cool MOS晶体管和一颗双向高压导通保护二极管，所述Cool MOS晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本发明在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害...

本实用新型公开了一种高压晶体管结构，包括一颗Cool MOS晶体管和一颗双向高压导通保护二极管，所述Cool MOS晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本实用新型在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率...

本发明公开了一种芯片反向工艺的研磨方法，首先将芯片待研磨表面朝下，放置于一平坦表面；再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐；再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上；最后放上固定治具静置固化后完成。本发明的芯片反向工艺的研磨方法...

本发明公开了一种芯片反向工艺的研磨样品制备方法，首先将芯片待研磨表面朝下，放置于一平坦表面；再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐；再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上；最后放上固定治具静置固化后完成。本发明的芯片反向工艺的...