一种用于RF器件的衬底，包括多晶陶瓷芯和夹层结构。所述夹层结构包括：耦合至所述多晶陶瓷芯的第一氧化硅层、耦合至所述第一氧化硅层的多晶硅层、耦合至所述多晶硅层的第二氧化硅层、耦合至所述第二氧化硅层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的第三氧化硅层以...

一种制造陶瓷衬底结构的方法，包括：提供陶瓷衬底，将陶瓷衬底封装在阻挡层中，和形成联接到阻挡层的键合层。该方法进一步包括移除键合层的一部分以暴露阻挡层的至少一部分并限定填充区域，和在暴露的阻挡层的至少一部分以及填充区域上沉积第二键合层。以...

本文公开了宽带隙集成电路，诸如氮化镓(GaN)集成电路，其包括有在工程化衬底上形成的多组外延层，以及公开了制造WBG集成电路的方法。外延层具有与工程化衬底的CTE实质上匹配的热膨胀系数(CTE)。台面、内部互连和电极将每组外延层配置成W...

一种单片微波集成电路(MMIC)系统包括：生长衬底，联接到生长衬底的器件层，联接到器件层的多个MMIC器件元件，以及联接到多个MMIC器件元件的多个金属化结构。MMIC系统还包括联接到多个金属化结构的承载衬底和联接到承载衬底的冷却结构。...

公开了集成有工程化衬底的电子功率器件。一种功率器件，包括衬底，该衬底包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层以及耦合至所述键合层的实质单晶层。所述功率器件还包括：耦合至所...

形成掺杂的氮化镓(GaN)层的方法包括：提供包括氮化镓层的衬底结构，在氮化镓层上形成掺杂剂源层，以及在掺杂剂源层上沉积覆盖结构。该方法还包括：对衬底结构进行退火以将掺杂剂扩散到氮化镓层中，去除覆盖结构和掺杂剂源层，以及活化扩散的掺杂剂。...

本发明公开了一种用于功率应用和射频应用的工程化衬底结构，所述衬底包括支撑结构，该支撑结构包括：多晶陶瓷芯；第一粘附层，其耦合到多晶陶瓷芯；导电层，其耦合到第一粘附层；第二粘附层，其耦合到导电层；和阻挡层，其耦合到第二粘附层。所述衬底还包...

一种用于在具有衬底热膨胀系数的工程化衬底上制备多层器件的方法，包括：在所述工程化衬底上生长缓冲层；和在所述缓冲层上生长第一外延层。所述第一外延层的特征是具有与所述衬底热膨胀系数实质上相同的外延热膨胀系数。衬底热膨胀系数实质上相同的外延热...

一种通过扩散来在氮化镓材料中形成掺杂区的方法，包括：提供包括氮化镓层的衬底结构以及在所述氮化镓层上形成掩模。所述掩模暴露所述氮化镓层的顶表面的一个或多个部分。该方法还包括：在所述氮化镓层的所述顶表面的所述一个或多个部分上沉积含镁氮化镓层...

一种电子器件包括支撑结构，该支撑结构包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的导电层、耦合至所述导电层的第二粘附层、以及耦合至所述第二粘附层的阻挡层。所述电子器件还包括：耦合至所述支撑结构的缓冲层、耦合至...

一种在工程化衬底结构上形成多个器件的方法，包括通过以下步骤形成工程化衬底：提供多晶陶瓷芯；利用第一粘附壳包封所述多晶陶瓷芯；利用阻挡层包封所述第一粘附壳；在所述阻挡层上形成键合层；以及形成耦合至所述键合层的实质单晶层。所述方法进一步包括...

一种垂直型肖特基二极管，包括：欧姆接触；第一外延N型氮化镓层，其物理接触所述欧姆接触并且具有第一掺杂浓度，以及第二外延N型氮化镓层，其物理接触所述第一外延N型氮化镓层并且具有比所述第一掺杂浓度低的第二掺杂浓度。该垂直型肖特基二极管还包括...

一种用于RF器件的衬底，包括多晶陶瓷芯和夹层结构。所述夹层结构包括：耦合至所述多晶陶瓷芯的第一氧化硅层、耦合至所述第一氧化硅层的多晶硅层、耦合至所述多晶硅层的第二氧化硅层、耦合至所述第二氧化硅层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的第三氧化硅层以...

一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供工程化衬底。所述工程化衬底包括多晶陶瓷芯、封装所述多晶陶瓷芯的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层，以及耦合至所述键合层的实质单晶硅层。所述方法还包括：形成耦合至所述工程化衬底的肖特基二极管。所述肖...

一种用于在具有衬底热膨胀系数的工程化衬底上制备多层器件的方法，包括：在所述工程化衬底上生长缓冲层；和在所述缓冲层上生长第一外延层。所述第一外延层的特征是具有与所述衬底热膨胀系数实质上相同的外延热膨胀系数。

一种形成半导体器件的方法，包括：提供工程化衬底，形成耦合至所述工程化衬底的氮化镓层，通过在所述氮化镓层的前表面上形成氮化铝镓阻挡层来形成耦合至所述氮化镓层的沟道区，在所述沟道区的中心部分中形成耦合至所述氮化铝镓阻挡层的栅极电介质层；形成...

一种衬底，所述衬底包括支撑结构，该支撑结构包括：多晶陶瓷芯；第一粘附层，其耦合到多晶陶瓷芯；导电层，其耦合到第一粘附层；第二粘附层，其耦合到导电层；和阻挡层，其耦合到第二粘附层。所述衬底还包括：氧化硅层，其耦合到支撑结构；实质单晶硅层，...

一种功率器件，包括衬底，该衬底包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层以及耦合至所述键合层的实质单晶层。所述功率器件还包括：耦合至所述实质单晶层的缓冲层以及耦合至所述缓冲...

一种制造陶瓷衬底结构的方法，包括：提供陶瓷衬底，将陶瓷衬底封装在阻挡层中，和形成联接到阻挡层的键合层。该方法进一步包括移除键合层的一部分以暴露阻挡层的至少一部分并限定填充区域，和在暴露的阻挡层的至少一部分以及填充区域上沉积第二键合层。

本文公开了宽带隙集成电路，诸如氮化镓(GaN)集成电路，其包括有在工程化衬底上形成的多组外延层，以及公开了制造WBG集成电路的方法。外延层具有与工程化衬底的CTE实质上匹配的热膨胀系数(CTE)。台面、内部互连和电极将每组外延层配置成W...