本公开总体涉及MEMS欧姆开关的设计，该设计提供MEMS器件可移动板在RF触头上的低冲击着陆和用于断开触头的高恢复力，以提高开关的寿命。该开关具有设置在开关器件偏心处的至少一个接触电极，并且还具有设置在开关器件中心附近的二次着陆立柱。与...

本公开总体上涉及能够进行无线通信的任何设备，例如具有一个或多个天线的移动电话或可穿戴设备。该天线具有带有多个谐振的结构，以利用一个到主无线电系统的馈电连接，从单个天线覆盖所有商业无线通信频段。天线在频段较低部分中存在两个高效且紧密间隔的...

概括而言，本公开内容涉及能够进行无线通信的任何设备，例如具有一个或更多个天线的移动电话或可穿戴设备。测量设备在三个不同DVC状态下的反射系数之后，能够计算所有其他DVC状态的反射系数。因此，仅基于三次反射系数测量，能够调谐天线以调节天线...

本公开总体涉及一种用于降低ESD的MEMS器件。使用接触开关来确保即使在没有施加偏置电压的情况下，两个电极之间也存在闭合的电接触。

本发明总体上涉及一种用于使MEMS开关的锚更加稳健以用于电流处理的机构。

本公开总体涉及用于制造可以切换大电功率的MEMS开关的机构。采用额外的着陆电极，其提供沿着MEMS器件的增加的电接触，使得在接触时移除靠近最热点的MEMS结构中的电流和热量。

本发明总体上涉及一种制造MEMS开关的机构，通过避免电流流过从RF接触部到底层RF电极的通孔中的薄侧壁而使得MEMS开关具有稳健的RF接触部。

一种MEMS开关包括位于衬底101上的RF电极102、下拉电极104和锚电极108。多个岛状物226被提供在下拉电极中，并且与其电隔离。RF电极的顶部上是RF触点206，在下拉状态中，MEMS桥212、214形成与该RF触点206的欧姆...

本公开总体涉及具有一个或更多个天线，能够无线通信的任何设备，例如移动电话或可穿戴设备。通过在简单的标量天线孔径调谐系统中应用可变电抗(电容或电感元件)天线孔径调谐器，维持了在存在环境变化或头/手效应的情况下的恒定天线谐振频率。可变电抗用...

本公开总地涉及一种MEMS DVC，其利用位于DVC的锚固件中的一个或更多个MIM电容器和位于RF电极上的欧姆接触部。所述MIM电容器与欧姆MEMS器件相结合，确保了通过所施加RF功率实现用于MEMS DVC的稳定电容。

本发明涉及一种用于高频通信的使RF MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距...

本文公开的实施例一般地涉及用于在比如便携式电话的设备中进行阻抗匹配和谐波控制的功率放大器匹配电路。在一个示例中，功率放大器匹配电路包括两个DVC、四个电感器、晶体管和电容器。利用两个DVC，电路的阻抗匹配比和中心频率能够根据需要进行调节...

本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。

本发明总体涉及形成MEMS器件的方法以及通过该方法形成的MEMS器件。在形成MEMS器件时，在腔体内围绕开关元件沉积牺牲材料。所述牺牲材料最终被移除以释放腔内的开关元件。所述开关元件具有在其之上的薄介电层以阻止蚀刻剂与该开关元件的导电材...

本发明一般性地涉及用于使MEMS DVC器件中的板电极或切换元件阻尼的方法及装置。布置在波形控制器和MEMS DVC的电极之间的电阻器使得在板电极移动期间电压增大而同时电容减小。由于电压增大以及电容减小，抵抗板电极远离电极移动的静电力增...

概括而言，本公开内容涉及一种设备，其具有对在天线靠近用户的手和/或头部时在天线中发生的电容变化进行检测的电容式传感器。在检测到电容变化之后，可以通过使用通过控制器耦接到传感器的可变电容器来改变天线的电容。

本公开总体上涉及具有可变频率滤波器的装置，所述可变频率滤波器抑制由可变电抗装置产生的谐波。该可变频率滤波器可以耦合至天线和可变电抗装置。该滤波器包括耦合在一起作为谐振电路的可变电容器和电感器。该滤波器可以用于蜂窝技术中以阻止由另外的可变...

本发明总体涉及用于测试MEMS迟滞的机构。电源管理电路可以耦合到使布置在电极之间的可移动板在MEMS器件中移动的电极。电源管理电路可以利用电荷泵、比较器以及梯形电阻。

本发明总体上涉及一种制造MEMS器件的方法。在MEMS器件中，可移动板被布置在空腔内，使得可移动板能够在所述空腔内移动。为了形成空腔，可以沉积牺牲材料然后将所述可移动板的材料沉积于其上。所述牺牲材料被移除以释放可移动板在所述空腔内移动。...

本发明一般性地涉及利用一个或更多个MIM电容器的MEMS DVC。MIM电容器可以被布置在MEMS器件和RF垫之间或者MIM电容器可以被集成到MEMS器件本身中。MIM电容器确保实现MEMS DVC的低电阻。