本发明涉及太阳能电池领域，提供了一种化学气相沉积装置，其包括：炉管，炉管上设置有第一进气端和第二进气端，第一进气端设置于炉管的前半部的管口上且第一进气端采用环形进气方式进气，第二进气端设置于炉管的后半部；匀流板，匀流板设置于炉管的后半部...

本申请提供一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，在化学气相沉积工序中采用常压氧化工艺制备隧穿氧化层，常压氧化工艺包括依序进行的常压流氧氧化和常压闷氧氧化，常压流氧氧化的步骤和常压闷氧氧化的步骤中均在常压且预设温度下对位于炉管反应腔室中的...

本申请提供一种隧穿氧化层钝化接触电池及其的制备方法。本申请提供的隧穿氧化层钝化接触电池包括：硅衬底，隧穿钝化接触结构，设置于硅衬底上，包括隧穿氧化层和设置于隧穿氧化层背向硅衬底一侧的磷掺杂多晶硅层；磷硅玻璃层，设置于隧穿氧化层和磷掺杂多...

本申请提供激光掺杂图形的绘制方法及电池片生产异常的排查方法。本申请激光掺杂图形的绘制方法，绘制得到的激光掺杂图形内的激光线组合为一体，避免印刷工序套印发黑异常，且提高对异常机台识别判定效率，包括：绘制第一矩形；绘制第二矩形；移动第二矩形...

本发明属于光伏技术领域，涉及一种选择性发射极工艺过程漏电的测试方法。所述测试方法包括如下步骤：(1)采用SE激光掺杂工艺对经扩散处理后的硅片表面进行双面掺杂，在所述硅片的双面形成特定的测试图形；(2)对所述硅片进行清洗、烘干处理；(3)...

本申请提供成本低、可避免钝化片发黑的氧化层钝化接触制备工序的钝化性能检测方法，包括：提供第一预制硅片；第一次单面镀膜，得到第二预制片；非镀膜面绕镀清洗，第二预制片送入磷硅玻璃刻蚀机台，采用混酸溶液洗去非镀膜面上的绕镀，得到第三预制片；第...

本申请涉及一种网版故障检测方法、装置、中控设备、网版故障检测系统和存储介质。其中，网版故障检测方法包括：接收各传感设备输出的当前检测时刻的第一色标比较结果；其中，第一色标比较结果根据对应的传感设备采集的网版印刷面的色标和网版印刷面的标准...

本技术公开一种热场调节结构及单晶炉。该热场调节结构应用于单晶炉内，其包括：控制装置及移动保温组件，其中，移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间；控制装置与移动保温组件连接，用于在单晶炉内的坩埚与导流筒相对位置发生变化的情况...

本申请公开了一种绕镀多晶硅的清洗方法，包括以下步骤：提供具有绕镀多晶硅的硅片；采用温度为75‑80℃的碱性混合溶液对硅片正面的绕镀多晶硅进行第一次碱洗；采用酸性溶液对硅片进行第一次酸洗；采用SC1溶液对硅片进行第二次碱洗，去除残留的绕镀...

本发明公开了一种单晶炉热场结构，属于单晶炉的技术领域，热场结构包括：热场部件，所述热场部件设置于炉体的炉腔内；所述热场部件包括上下分布设置的盖板和炉底压盘，所述盖板和所述炉底压盘之间连接有热场支撑筒，所述热场支撑筒的外侧周围设置有保温层...

本发明公开了一种太阳能电池的制备方法

本发明公开了一种单晶生长设备及单晶硅生长方法，涉及晶硅生长技术领域。该单晶生长设备包括：炉体、传动装置及设置于所述炉体内的保温结构；其中，所述保温结构与所述传动装置固定连接；所述传动装置控制所述保温结构在所述炉体的轴向和/或径向上移动，...

本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括：提供一制绒后的半导体衬底，并在半导体衬底的第一表面形成PN结；在半导体的第二表面依次形成隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；对第一掺杂多晶硅层的一侧表面进行处理形成掩膜层；第一掺杂多晶硅...

本发明公开一种应用于单晶硅炉的磁场发生装置。该磁场发生装置包括：底座、移动部件、相平行的两条第一导轨以及至少一个第一磁场发生器，移动部件位于底座的下方，并与底座固定连接，为磁场发生装置更换单晶硅炉；相平行的两条第一导轨位于底座的上方，平...

本发明涉及一种锡基钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池，该锡基钙钛矿薄膜包含表儿茶素。本发明一实施方式的锡基钙钛矿薄膜，采用表儿茶素作为掺杂剂，相较于未掺杂表儿茶素的锡基钙钛矿，提高了锡基钙钛矿结构在空气环境中的稳定性及薄膜品质，有利于所...

本发明涉及一种有机钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池，该方法包括：通过蒸镀工艺在基底上形成第一膜层；将旋涂溶液在所述第一膜层上进行旋涂处理，形成第二膜层；以及将所述第一膜层和所述第二膜层进行退火处理；其中，所述第一膜层包含无机盐，所述旋...

本发明涉及一种锡基钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池。该锡基钙钛矿薄膜包括化学组成为RA

本发明涉及一种钙钛矿复合结构、其制备方法及太阳能电池。该钙钛矿复合结构包括钙钛矿层和至少一层修饰层，所述修饰层设置于所述钙钛矿层；所述修饰层和所述钙钛矿层均包含有机铵盐/胺化合物；所述有机铵盐/胺化合物包括式Ⅰ化合物、式Ⅱ化合物以及4

本发明涉及一种无机钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池，该方法包括如下步骤：S1：通过第一蒸镀处理形成第一薄膜；S2：将所述第一薄膜进行退火处理，得到第二薄膜；S3：通过第二蒸镀处理在所述第二薄膜上形成第三薄膜；以及S4：将所述第二薄膜和...

本发明公开一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法。该热场调节结构应用于单晶炉内，其包括：控制装置及移动保温组件，其中，移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间；控制装置与移动保温组件连接，用于在单晶炉内的坩埚与导流筒相对...