本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种绝缘型功率模块器件的封装结构，包括引线框架，引线框架具备芯片焊接部和引脚部；芯片，芯片的背面设于芯片焊接部的前表面，芯片焊接部的周边设有防水槽，芯片的正面通过金属连接引线和/或金属桥与引脚部连接；...

本实用新型提供一种IGBT器件，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底，衬底上设有N型漂移区，N型漂移区的上表面形成有N型电荷贮存层，N型漂移区的下表面覆盖有集电极；P型沟道区，P型沟道区形成于N型电荷贮存区的上表面，P型沟道区的上表面开设...

本实用新型公开了一种具有新型散热结构的功率模块，属于功率模块技术领域；包括一功率半导体芯片，功率半导体芯片包括发射极

本发明涉及功率模块除尘技术领域，具体涉及一种功率模块除尘自动化系统，第一机械手，于一第一输送线体的机器人取料位的载具上夹取待除尘的功率模块以及从一除尘定位工装夹取除尘后的功率模块；除尘机构；感应器，设置于机器人取料位，检测载具上是否有功...

本发明公开了一种测量半导体导热系数的测量系统及方法，属于导热系数测量技术领域；包括：加热台，侧壁上设有多个用于放置加热元件的沟槽；器件安装模具，设于加热台的上方，上表面设有一用于放置待测器件的开槽；第一温度传感器，设于器件安装模具的上表...

本实用新型提供一种具有开孔焊片的功率模块，涉及半导体模块封装技术领域，包括：铜基板，铜基板的上表面设有多个助焊剂涂覆点；焊片，焊片上开设有对应各助焊剂涂覆点的多个通孔，焊片的下表面连接铜基板的上表面；覆铜陶瓷基板，覆铜陶瓷基板的下表面连...

本实用新型公开了一种可快速修改回路电感的功率测试板，属于功率器件测试技术领域；包括：一母线电压；一母线电容，所述母线电容的第一端连接所述母线电压的正极，所述母线电容的第二端连接所述母线电压的负极；一第一可调电感，连接于所述母线电容的所述...

本实用新型提供一种功率半导体模块，涉及电力电子学技术领域，包括：外壳底部开口，并内置至少一个空腔；绝缘衬底上盖设有外壳，绝缘衬底的表面设有至少一个功率芯片，各功率芯片在空腔中；绝缘衬底包括：第一金属层的下表面与陶瓷层的上表面连接；第二金...

本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种电平逆变器应用模块，包括第一封装体，第一封装体包括，第一绝缘基板；第一芯片组成电路，第一芯片组成电路设有多个第一功率连接端和多个第一信号连接端，第一功率连接端和第一信号连接端伸出第一封装体形成多个第一...

本实用新型公开一种焊接冲压针的智能功率模块，包括：外壳、DBC板和若干冲压针，所述外壳为底部开口设置，且所述外壳的底部内壁环设有支撑台阶，所述外壳的顶部设有与所述外壳内连通的若干安装孔，所述DBC板固定在所述外壳的底部开口处，并与所述支...

本实用新型公开了一种折弯夹具，包括：底板和设置在底板上的定位结构、折弯结构及垫片结构；定位结构用于放置待折弯产品，折弯结构设在定位结构的一侧或者相对两侧，垫片结构设置在定位结构的一端，垫片结构可升降和可平移设置以伸入定位结构上放置的待折...

本实用新型公开了一种可控制焊料厚度的功率模块引线框架，属于电子器件封装技术领域；包括：一引线框架本体；一框架外围结构；一用于连接功率芯片的基岛，所述基岛上设有至少一打沉结构，每一所述打沉结构设有凸包结构。上述技术方案的有益效果是：提供一...

本发明提供一种功率器件的高温安全工作区测试方法及系统，涉及电力电子学技术领域，包括：首先，根据测试热阻、实时环境温度和期望结温处理得到加热功率；随后，根据加热功率和预设的工作电压处理得到加热电流；接着，在加热电流对应关系表中匹配得到测试...

本实用新型提供一种具有银浆烧结层的功率模块，涉及电子器件技术领域，包括：底板，底板上设有至少一块基板，基板的表面设有导电铜层，各基板的表面设有至少一块芯片；至少一个功率端子，各功率端子的引脚通过银浆烧结层连接导电铜层。有益效果是通过银浆...

本发明提供一种采用负温度系数栅极电阻的功率器件，涉及功率器件封装技术领域，包括：基板，基板的表面设有多个功率芯片，基板的一端的表面设有金属电极；多个负温度系数栅极电阻，各负温度系数栅极电阻设于金属电极的表面；各负温度系数栅极电阻的第一电...

本实用新型涉及功率模块技术领域，具体涉及一种车用级压接功率模块，包括，散热基板，散热基板上设有散热孔；外壳，与散热基板连接，外壳与散热基板形成一容纳腔，容纳腔内设有：绝缘基板，设于散热基板上，绝缘基板上设有功率芯片和插接信号端子，功率芯...

本发明公开了一种信号端子及功率模块封装结构，包括：伸出部分、中间部分、缓冲部分及端子脚；所述伸出部分与所述中间部分之间设置有折弯槽，所述缓冲部分为S型板，所述S型板的一端与所述中间部分相连接，所述S型板的另一端与所述端子脚相连接。该信号...

本实用新型提供一种水冷散热器基板，包括：一基板主体，基板主体内部中空形成一腔体，基板主体的上表面设有一散热面，沿基板主体的宽度方向的一侧分别设有一进液口和一出液口；多个散热翅片，每个散热翅片沿基板主体的长度方向设置于腔体内且垂直于散热面...

本实用新型提供一种通过键合铝带结合的半导体功率模块，至少两个金属化陶瓷衬底，每个金属化陶瓷衬底的阳极分别连接有半导体芯片；金属化陶瓷衬底之间通过至少一个键合铝带进行结合。采用铝带键合工艺来替代铝线工艺，可获得更好的抗热膨胀应力及抗过电流...

本实用新型涉及一种半导体芯片用双面直接水冷模块，属于电力电子领域，如下：第一直接水冷针翅基板；第一绝缘基板，设置于所述第一直接水冷针翅基板的下方；第二绝缘基板，与所述第一绝缘基板间隔设定距离平行设置；所述第二绝缘基板的左侧连接一功率端子...