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江阴江化微电子材料股份有限公司专利技术
江阴江化微电子材料股份有限公司共有144项专利
一种铜蚀刻液及蚀刻液的制备方法、蚀刻方法、应用技术
本发明公开了一种铜蚀刻液,所述蚀刻液包括主蚀刻剂和补充剂;所述主蚀刻剂包括过氧化氢、有机酸、有机碱、双氧水稳定剂、抑制剂、无机氟、无机酸;所述补充剂是有机酸、有机碱、双氧水稳定剂、抑制剂、螯合剂、缓冲剂、pH调节剂中的一种或多种。本发明...
一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液及蚀刻方法技术
本发明公开了一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液,按质量百分比计,铜蚀刻液主要组成为:过氧化氢5%~20%、有机酸5%~20%、有机碱3%~12%、金属保护剂0~0.25%、去离子水60%~77%;铜蚀刻液的pH值为2.1~3.6;有机酸为至...
一种半导体氧化硅深孔的蚀刻清洗剂及蚀刻方法技术
本发明公开了一种半导体氧化硅深孔的蚀刻清洗剂,包括以下组分:0.5%~5%的氟化氢、6%~20%的氟化铵、30%~60%的与水互溶的极性有机溶剂、5%~20%的铝离子络合剂、0.3%~10%的铝保护剂、10%~35%的水以及10~100...
一种混酸型纯钼蚀刻液及纯钼膜层的蚀刻方法技术
本发明公开了一种混酸型纯钼蚀刻液,按质量百分比计,主要组成为:2%~7%的硝酸、50%~60%的磷酸、21%~30%的乙酸、2.5%~7%的添加剂以及6%~17%的去离子水;添加剂为选自磷酸盐、硝酸盐、乙酸盐、钼酸盐、磷酸氢盐中两种以上...
硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法及氮化碳纳米管的应用技术
本发明公开了一种硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法,包括以下步骤:S1,将三聚氰胺和硫脲加入到去离子水中混合;S2,将混合物在加热至去离子水完全蒸发,得膏状物;S3,膏状物加热后进行连续的两步煅烧;S4,煅烧产物冷却至室温后研磨,得硫掺杂氮化...
硼掺杂三维氮化碳的合成方法及三维氮化碳的应用技术
本发明公开了一种硼掺杂三维氮化碳的合成方法,包括以下步骤:S1:将硫脲和硼氢化钠混合研磨;S2:将研磨混合物升温至380~420℃,保温焙烧2.5~3.2h,冷却至室温;S3:将S2所得混合物置于惰性气氛中升温至650~690℃,保温煅...
一种超纯水取样装置制造方法及图纸
本实用新型涉及液体取样技术领域,具体涉及一种超纯水取样装置,包括取样箱,所述取样箱的左侧设置有注气筒,所述注气筒通过进气管与取样箱进行连接,所述取样箱的顶部设置有进水管,所述进水管通过三通管与进气管进行连接,所述三通管的底端设置有存水盒...
一种储存化学品的移动槽车制造技术
本实用新型公开了一种储存化学品的移动槽车,包括车架和储存罐,所述储存罐位于车架的顶部,所述车架的尾部设置有安装板,所述安装板的上表面设置有制冷机和电源,所述车架的顶部且位于储存罐的外侧配套设置有防护罩,所述储存罐侧壁的内部设置有制冷管,...
流水线去酸雾风干机制造技术
本实用新型涉及化工安全技术领域,具体涉及流水线去酸雾风干机,包括风干机主体,所述风干机主体的左右两侧均设置有风干箱,所述风干箱的内部设置有风刃架,所述风干机主体的内部设置有传送带,所述传送带的底部且位于风干机主体的内部设置有接液盘,所述...
一种洁净垫片入盖机制造技术
本实用新型涉及电子化学品小包装瓶盖垫片入盖技术领域,具体涉及一种洁净垫片入盖机,包括设备主体,所述设备主体的左侧设置有放料箱,所述放料箱的内部设置有传送架,所述设备主体的顶部设置有转盘,所述传送架通过输送架与转盘进行连接,所述转盘的外侧...
一种水质检测装置制造方法及图纸
本实用新型涉及水质检测技术领域,具体涉及一种水质检测装置,包括水质检测箱,所述水质检测箱的前后两侧均设置有两组支撑机构,所述水质检测箱的顶部设置有两组箱盖,两组所述箱盖的顶部均设置有提手,两组所述箱盖的顶部且位于靠近支撑机构的一侧均开设...
简便式小罐上液装置制造方法及图纸
本实用新型公开了简便式小罐上液装置,包括存放箱和原料桶,存放箱内设置有若干个容纳腔,每个容纳腔内均设置有原料桶,容纳腔内部底端的两侧均设置有支撑座,原料桶放置于支撑座顶部,容纳腔内部顶端设置有主路输液管,主路输液管贯通所有的容纳腔并延伸...
一种化工消防控制系统技术方案
本实用新型公开了一种化工消防控制系统,包括检测系统、灭火系统,检测系统设置于各个不同的生产车间,包括生产车间一设有温湿度火灾探测器,生产车间二设有温度、压力、液位探测器,生产车间三设有感烟火灾探测器;生产车间四设有紫外火焰火灾探测器;各...
一种集成式混配系统技术方案
本发明公开了一种集成式混配系统,包括混料罐和吨桶,所述混料罐与吨桶均设置于称重机构上,所述吨桶设有至少一个,吨桶通过进料管与混料罐相连接,所述进料管上设有进料控制阀;混料罐上设有用于监测内部混料温度的温度传感器,混料罐上还设有冷却机构,...
一种液晶面板铜钛蚀刻液及蚀刻方法技术
本发明公开了一种液晶面板铜钛蚀刻液,包括主剂;按质量百分比计,主剂的主要组成为:过氧化氢1%~15%、无机酸0.5%~9%、有机酸0.01%~5%、有机碱0.3%~25%、过氧化氢稳定剂0.001%~3%、金属缓蚀剂0.001%~3%、...
一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法技术
本发明公开了一种半导体封装用铜蚀刻液,按质量百分比计,主要组分为:氧化剂1%~8%、无机酸21%~40%、有机羧酸6%~30%、螯合剂0.001%~15%、腐蚀抑制剂0~3%以及余量去离子水;有机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成,第一羧...
一种液态化学品自动包装系统技术方案
本实用新型公开了一种液态化学品自动包装系统,包括用于输送灌装桶的输送带,输送带的附近依次设置且均与PLC控制系统电连接的自动灌装机、自动旋盖机、自动贴标机、自动封口机、自动封箱机、自动打包机和自动绕膜机,所述自动灌装机通过第一进液管路与...
一种室外槽车的自动卸料灌装装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种室外槽车的自动卸料灌装装置,包括槽车、气动泵、过滤器、储料罐,槽车与气动泵之间依次设置有手动阀、第一流量计和第一电磁阀,第二电磁阀设置于气动泵与过滤器之间,过滤器通过第二输液管道与储料罐相连,第二输液管道上依次设置有...
一种高寿命银膜蚀刻液组合物及蚀刻工艺制造技术
本发明公开了一种高寿命银膜蚀刻液组合物,主要组成为硝酸、乙酸、A酸、银离子络合剂和水,A酸为选自有机磺酸和磷酸中的至少一种,银离子络合剂为氨基羧酸或者羟基羧酸;还包括除银离子络合剂外的C4~C10多羟基化合物。本发明高寿命银膜蚀刻液组合...
一种半导体晶圆干刻后清洗工艺制造技术
本发明公开了一种半导体晶圆干刻后清洗工艺,半导体晶圆包括裸露的铝结构层;包括以下步骤:S1:清洗剂A预清洗晶圆的干刻有机残留物,清洗完毕后,用水溶性有机溶剂清洗晶圆;S2:用主要组成为氟离子源的清洗剂B清洗去除晶圆的牺牲层,清洗完毕后,...
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