本发明提供一种用于检测测试机精确度的装置及方法。检测测试机精确度的装置包括：检测电路板，所述检测电路板包括多个测试通道，与测试机的板卡的电路通道对应，每一测试通道设置有测试电阻；测试通道能够响应于测试机的板卡的一电路通道发出的实际电流信...

本发明涉及半导体封装技术领域，提供了一种晶圆级多层电感封装结构及封装方法，所述第一电感封装子结构和第二电感封装子结构先分别形成，然后通过混合键合相贴合。由于第一电感封装子结构和第二电感封装子结构分开形成，第一电感封装子结构中的第一电感结...

一种封装结构以及封装方法，本发明实施例提供的封装方法中，通过将支撑环和第二衬底键合在所述第一衬底的键合面上，使得所述光耦合区被所述支撑环和第二衬底包围，从而封装过程中，所述光耦合区在支撑环和第二衬底的包围下，不与外界接触，使得光耦合区不...

本发明涉及一种芯片堆叠封装结构及其形成方法。所述芯片堆叠封装结构包括：第一芯片，包括沿第一方向贯穿所述第一芯片的通孔，所述第一芯片还包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；第二芯片，沿第一方向堆叠于所述第一芯片的所述第一表面上；引出...

本发明提供一种封装结构及其形成方法，该形成方法先在厚度较薄的第一芯粒的背面设置初始补偿层，对第一芯粒进行厚度补偿，使得所形成的芯粒单元的背面至基板表面的距离与第二芯粒的第二背面至基板表面的距离之差在设定范围内，在塑封步骤之后的减薄步骤中...

本发明公开一种芯片组件

本发明提供一种重布线层结构

本实用新型涉及晶圆片封装技术领域，公开了一种标记打印机台，通过在机台结构对晶圆片标记图案的过程中，使用真空压块结构真空吸附晶圆片并下压晶圆片在机台结构上，消除晶圆片翘曲，使得打印的标记对位，不会发生偏移。不会发生偏移。不会发生偏移。

一种封装结构的形成方法包括：提供转接基板，包括第一导电衬垫，且第一导电衬垫暴露于转接基板的第一表面；提供器件基板，包括无源器件层及覆盖无源器件层的第一重布线层，无源器件层包括无源器件，第一重布线层包括第二导电衬垫，第二导电衬垫与无源器件...

一种封装结构的形成方法包括：提供转接板，转接板包括第一重布线层，第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫；提供器件基板，器件基板包括无源器件层及覆盖无源器件层的第二重布线层，无源器件层包括至少一无源器件，第二重布线层包括第三组导电...

本发明公开了封装结构及形成方法，其中，封装结构包括：再布线结构和芯片，再布线结构具有绝缘体和嵌设于绝缘体内的若干图案化金属层，至少一图案化金属层具有布线线路和形成电感线圈的电感线路；再布线结构还包括磁性薄膜层，在再布线结构厚度方向上，磁...

本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法，芯片封装结构包括硅基板、位于所述硅基板的正面的钝化层、位于所述钝化层的正面的介电层、至少包覆所述硅基板的侧壁的塑封层，所述硅基板的正面嵌设有芯片电极，所述钝化层以及所述介电层上设有供所述芯片电极向...

本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法，所述封装结构包括芯片和包覆芯片的塑封层，芯片包括设置于其功能面侧的钝化层以及分布于钝化层内的焊盘，在制作过程中，通过去除切割道上方的切割道顶层金属，在切割后使钝化层侧部形成有至少一个凹陷部，塑封层...

本发明公开一种半导体封装方法、封装结构及半导体封装用支撑片，该方法包含提供临时承载板，该临时承载板上具有多个芯片，该临时承载板具有芯片布局区域及环绕该芯片布局区域的边缘区域，该多个芯片位于该芯片布局区域上；利用真空压膜工艺形成塑封层，该...

本发明提供一种半导体封装的对位方法及半导体封装结构，所述对位方法包括提供具有多个第一封装区域以及贴装于所述多个第一封装区域内的若干第一芯片的承载基板，各第一芯片上具有第一标记，所述多个第一封装区域包含第一数量个对位封装区域，每一对位封装...

本发明提供一种滤波器封装结构及制备方法，滤波器封装结构包括：滤波器芯片，所述滤波器芯片具有谐振区、位于所述谐振区以外的非谐振区，形成所述滤波器芯片的器件晶圆为减薄后的器件晶圆；盖帽层，位于所述滤波器芯片的正面；第一键合层，所述第一键合层...

本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，晶圆级封装方法包括如下步骤：在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆边缘的无效区相对应的区域成型至少一圈封边层；在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆中包围芯片功能区的外围...

本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种扇出封装晶圆的对位方法及扇出封装晶圆，本发明在扇出封装晶圆基板选择至少三个对位区域，每一个对位区域选取至少一颗第一芯片作为对位点芯片，在芯片贴片工艺中，将所述对位点芯片按照预定移动规则向四颗相邻第...

本实用新型提供一种晶圆级扇出结构，包括：多个芯片、片状结构和塑封层，所述塑封层包覆所述多个芯片和所述片状结构，所述片状结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域为间隔设置的多个开孔，每一开孔均和所述第二区域相邻，所述多个芯片和所述多个开孔...

本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种再布线层结构以及相应的制造方法，通过将不包含信号层的金属布线层在厚度方向的侧壁设置为不规则形状，很大程度上改进了金属布线与介电层的结合强度，增加接触面积，从而提升结合力，可以有效地防止在后续的工艺...