本发明公开了一种太赫兹波导可偏置谐波混频器，涉及混频器技术领域。所述混频器包括射频波导、本振波导和石英电路，两个分立的肖特基二极管放置在所述石英电路的石英基板的一端，且两个肖特基二极管的阳极和阳极连接，阴极通过导电胶接地，并横跨在所述倾...

本发明公开了一种GaAs基可视化太赫兹检测显示芯片，涉及太赫兹波技术领域。所述显示芯片包括GaAs肖特基检波二极管、直流检测控制输出电路以及GaAs基LED，所述GaAs肖特基检波二极管的输出端与所述直流检测控制输出电路的输入端连接；所...

本发明公开了一种石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在硅基衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件...

本发明公开了一种氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化铝衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有...

本发明公开了一种碳电子TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在金刚石衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器...

本发明公开了一种氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化镓衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有...

本发明属于太赫兹技术领域，提供了一种主被动结合式太赫兹安检系统，通过主动式发射、被动式接收太赫兹信号实现高灵敏度、实时成像、远距离安检等目的。

本发明属于太赫兹技术领域，提供了一种主被动结合式太赫兹安检系统，通过主动式发射太赫兹波信号，使用超导相变边缘探测器接收太赫兹信号实现高灵敏度、实时成像、远距离安检等目的。

本发明公开了一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在碳化硅基衬底上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的...