本实用新型公开了一种分裂栅IGBT结构，包括从下至上层叠设置的集电极、P++集电极区、N+缓冲区、N‑漂移区、栅结构及顶部金属层，栅结构包括栅介质层、第一栅电极和第二栅电极，顶部金属层包括发射极和辅助电极，N‑漂移区上部设有第一P型基区...

本发明公开了一种快速开关IGBT结构，包括从下至上层叠设置的集电极、P++集电极区、N+缓冲区、N‑漂移区、栅结构及顶部金属层，栅结构包括栅介质层、第一栅电极和第二栅电极，顶部金属层包括发射极和辅助电极，N‑漂移区上部设有第一P型基区和...

本实用新型公开了二极管领域内的一种SiC结势垒肖特基二极管，包括N

本实用新型公开了半导体器件领域内的一种基于TO‑247封装的SIC器件封装结构，包括封装在塑封体内的两块芯片和框架，两块芯片固定在框架基岛上，两芯片经两铜带与框架引脚相连，本实用新型通过使用铜带代替多根铜丝进行连接，使得本实用新型可承担...

本发明公开半导体器件领域内的一种SiC器件的结终端结构制作方法，通过制造不同厚度或者致密度的介质层，实现对需要注入离子不同程度的阻挡，进而实现不同结深的结终端结构，本发明中的结深梯度分布的的结终端扩展结构，解决了结终端扩展结构对掺杂浓度...

本发明公开了半导体器件生产领域内的一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法，包括如下步骤：在SiC外延片表面形成一层离子注入牺牲层SiO2；在牺牲层SiO2表面涂覆光刻胶；光刻、显影、曝光、高温碳化后形成离子注入阻挡层；借助上述图案化阻挡层，...

本发明公开了一种基于SiC MOSFET器件并联使用的自动化分拣电路，供电单元一通过串联负载给器件漏极供电，电流监测单元一用于测量通过器件的电流，驱动单元一为器件提供所需的调制驱动；供电单元二通过恒流源给Q1供电，Q1的栅极与驱动单元二...

本发明公开了半导体器件领域内的一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法，包括如下步骤：1）清洗SiC半导体器件；2）在所述SiC器件表面淀积介质层SiO2；3）光刻定义介质层SiO2，光刻胶中间形成有开口，作为后续刻蚀介质层的掩膜；...