本实用新型涉及电路技术领域，具体为一种S波段混合集成电路，包括封装管壳，封装管壳的内部设置有两级放大电路，封装管壳上设置有栅极供电端、信号输入端引脚、信号输出端引脚和漏极供电端，两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，前级放大电路...

本实用新型涉及功率放大器电路技术领域，具体为一种宽频带GaN微波功率放大器电路，包括的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电路以及供电电路，芯片输入端L型匹配电路为串联电感L3再并联电容C2的L型匹配电路，芯片输出端L型匹配电路为串联电...

本发明涉及功率放大器电路技术领域，具体为一种宽频带GaN微波功率放大器电路，包括的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电路以及供电电路，芯片输入端L型匹配电路为串联电感L3再并联电容C2的L型匹配电路，芯片输出端L型匹配电路为串联电感L...

本发明涉及电路技术领域，具体为一种S波段混合集成电路，包括封装管壳，封装管壳的内部设置有两级放大电路，封装管壳上设置有栅极供电端、信号输入端引脚、信号输出端引脚和漏极供电端，两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，前级放大电路包括...

本实用新型涉及一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路，宽带匹配电路工作频率在5Ghz‑6Ghz之间,包括封装管壳，封装管壳内部设置有GaN芯片，GaN芯片两端分别设置有输入端两级匹配电路和输出端两级匹配电路，输入端两级匹配电路和输出端两级...

本实用新型涉及一种C波段集成链路微波功率放大器，封装管壳内部设置有两级放大电路，栅极供电端通过微带线接连栅极分压电路，通过栅极分压电路给两级放大电路供电；漏极供电端连接漏极电路给两级放大电路供电；两级放大电路包括前级驱动放大电路和后级放...

本实用新型公开了一种包含π型匹配网络的GaN微波功率器件，包括GaN芯片，所述GaN芯片上设置有芯片输入端和芯片输出端，所述芯片输入端连接π型匹配网络后通过第一微带线与信号输入端连接，所述芯片输出端连接L型匹配网络后通过第二微带线与信号...

本发明公开了一种包含π型匹配网络的GaN微波功率器件，包括GaN芯片，所述GaN芯片上设置有芯片输入端和芯片输出端，所述芯片输入端连接π型匹配网络后通过第一微带线与信号输入端连接，所述芯片输出端连接L型匹配网络后通过第二微带线与信号输出...

本发明涉及一种GaN微波功率放大器的匹配方法，提出了一种利用微带线匹配的匹配方式，采用逐级向上匹配的方式，将芯片阻抗匹配到5欧姆，再匹配到20欧姆，最后匹配到50欧姆，逐级向上匹配的方式能最大限度的挖掘芯片的最佳输出功率、最大增益以及最...

本发明涉及一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路，宽带匹配电路工作频率在5Ghz‑6Ghz之间,包括封装管壳，封装管壳内部设置有GaN芯片，GaN芯片两端分别设置有输入端两级匹配电路和输出端两级匹配电路，输入端两级匹配电路和输出端两级匹配...

本发明涉及一种C波段集成链路微波功率放大器，封装管壳内部设置有两级放大电路，栅极供电端通过微带线接连栅极分压电路，通过栅极分压电路给两级放大电路供电；漏极供电端连接漏极电路给两级放大电路供电；两级放大电路包括前级驱动放大电路和后级放大电...

本实用新型公开了一种用于实现微波混合电路高精度装片的共晶烧结夹具，其包括管壳，管壳内设置有用于放置元器件的限位夹具，限位夹具上部设置有固定夹具，固定夹具上贯通设置有多个通孔，通孔内均匹配设置有能够插入的压块，压块通过通孔压在元器件上。本...

本发明公开了一种RF‑LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法，使用硅化物低阻栅、增加隔离等工艺技术以及优化单元器件结构及多子管并联方式，最终设计成低寄生效应的大栅宽LDMOS高功率密度版图。在0.25微米栅长的栅条上，经过金属和硅的物...

本发明公开了一种用于实现微波混合电路高精度装片的共晶烧结夹具，其包括管壳，管壳内设置有用于放置元器件的限位夹具，限位夹具上部设置有固定夹具，固定夹具上贯通设置有多个通孔，通孔内均匹配设置有能够插入的压块，压块通过通孔压在元器件上。本发明...

本实用新型公开了一种用于微波功率放大电路的供电臂，包括功率管和开路电容，所述开路电容设置在距功率管较1/4工作波长处，所述开路电容的负极通过开路线与功率管相连接，所述开路电容的正极与地相连接，其特征在于：在所述开路电容、功率管之间并联有...

本实用新型公开了一种GaN多芯片合成的大功率微波器件防振荡宽带匹配电路，包括封装在封装管壳内依次连接的输入匹配电路、N个GaN芯片和输出匹配电路；输入匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率分配器；输出匹配电路分为两级，...

本实用新型公开了一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，包括集成在封装管壳内的前级放大电路、后级放大电路和供电电路；前级放大电路包括GaN驱动功率放大器；后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路；GaN驱动功率放大器和GaN...

本实用新型公开了一种GaN微波功率放大器保护电路，包括负压及时序产生电路、比较器、与门、分压回路、漏极调制电路和运算放大器；负压及时序产生电路POK端连接与门一输入端；比较器的两个输入端连接GaN微波功率器件的栅极、分压回路输出电压端，...

本实用新型涉及一种用于实现微波管壳内贴片器件之间超细间距的共晶焊吸嘴，包括吸嘴杆、沿轴向设于所述吸嘴杆内的通道，所述吸嘴杆包括吸嘴杆体、吸嘴头，所述吸嘴头的底部设置有凹槽，所述通道与所述凹槽相连通，所述凹槽包括顶壁、第一侧壁、相对设置的...

本发明公开了一种用于微波功率放大电路的供电臂，包括功率管和开路电容，所述开路电容设置在距功率管较1/4工作波长处，所述开路电容的负极通过开路线与功率管相连接，所述开路电容的正极与地相连接，其特征在于：在所述开路电容、功率管之间并联有匹配...