提供了一种成像设备，包括以二维方式设置在绝缘基板上的多个像素，每个像素包括转换元件和薄膜晶体管；该光电转换元件设置在薄膜晶体管之上，其中用作层间绝缘膜的绝缘膜插入转换元件与薄膜晶体管之间；通过设置在绝缘膜中的接触孔使薄膜晶体管的源电极或...

一种用于压印的模具，其能够在衬底表面形成具有比模具更大面积的接缝减少或无缝的图案，它包括：第一图案区域，包括多个第一凹陷；以及第二图案区域，包括多个第二凹陷，用于用作对准标记。第一图案区域和第二图案区域在其最外侧表面具有相等的高度。第一...

本发明提供一种使用更少数量的步骤形成低缺陷的微粒图案，点阵图案或孔阵图案的光敏硅烷偶联剂，以及使用这种光敏硅烷偶联剂的图案的形成方法，所使用的是含有１，２－萘醌－２－二叠氮基－５－磺酰基或１，２－萘醌－２－二叠氮基－４－磺酰基的光敏硅烷...

提供了一种压电元件的制造方法，通过此方法，即使在高温下烘烤堆叠在衬底上的电极和压电膜，电极也不会氧化，并且可以抑制衬底、电极和压电膜之间的相互扩散。该电极被适配为叠层体，该叠层体从衬底侧起包括导电氧化物层、具有导电氧化物和导电金属的混合...

提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于１×１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。

提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如ＴＦＴ的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。

本发明的目的在于提供一种使用非晶氧化物的新的发光器件。该发光器件具有位于第１电极（７７）和第２电极（７９）之间的发光层（７８），和有源层（７２）为非晶氧化物的场效应晶体管。

本发明涉及形成光刻胶图案的方法，包括以下步骤：在衬底上施加含有至少一种溶于有机溶剂中的感光化合物的感光组合物以形成光刻胶层，感光化合物在分子中具有两个或更多个Ｃ↓［６］Ｒ↓［２－６］－ＣＨＲ↓［１］－ＯＲ↓［７］或Ｃ↓［６］Ｒ↓［２－６...

提供生产晶体薄膜的方法，包括将具有各个区域的起始薄膜进行熔化和再固化，所述区域在其状态上彼此不同而连续共存。起始薄膜的小区域所具有的晶粒或晶体簇的数目浓度的尺寸分布与周围区域不同。在熔化和再固化过程中，优先在一个区域中生长晶粒以控制晶粒...

一种压电物质元件，其在基板上具有压电物质膜和一对与所述压电物质膜连接的电极，并且所述压电物质膜的主要成分是Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ↓［３］，Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）的组成比例大于０．４但小于０．７，所述压电物质膜是至少具有四方晶体ａ畴和ｃ畴的膜...

本发明提供一种能够在广泛的数量范围上检测磁性粒子并能够抑制检测面积增加的磁性传感器。该磁性传感器包括：检测部分；与检测部分的端部电连接的选择装置；和用于从检测部分接收信号的感测放大器；其中，检测部分包含至少两个串联的磁阻膜。

本发明公开了一种反射传感器，其防止来自光源的发散光被封装及其外侧之间的界面全反射并进入光接收元件，而无需使用光防护器件，这使得Ｓ／Ｎ比提高并降低性能变化。所述反射传感器包括置于表面上的光发射元件和光接收元件、以及覆盖所述光发射元件和光接...

一种用于制造图案化结构的工艺，包括：压印第一图案，其通过抵着压印工作层来压下表面上具有凸起－凹陷配置的压模；以及，压印第二图案，其通过将压模从第一图案的位置相对位移到该压印工作层上的另一位置，然后抵着压印工作层压下该压模。

提供了含有至少Ｉｎ、Ｇａ和Ｚｎ的氧化物半导体膜的干蚀刻法，其包括在含有卤素基气体的气氛中蚀刻氧化物半导体膜。

发光元件阵列和成像装置。该发光元件阵列可以被制造而无需金属反射层的分离。该发光元件阵列包括提供在衬底上的多个发光元件部分，相邻发光元件部分之间的空间中至少一个空间彼此电分离，其中金属反射层提供在衬底上并且在多个发光元件部分下，并且用于发...

本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔（１２０）的侧面部分连接氧化硅膜（１０３）的上面形成氮化硅膜（１０４），改善氮化硅膜（１０４）的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜（１０３）及氮化硅膜（１...

降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大ＭＯＳ晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体...

本发明涉及一种半导体衬底及其制造方法。所述方法包括：在第一衬底中注入离子并在第一衬底中形成离子注入层的第一步骤，该第一衬底具有锗构件上的砷化镓层，将第一衬底粘结到第二衬底以形成粘结衬底叠层的第二步骤，以及将粘结衬底叠层在离子注入层处分开...

根据本发明的金属膜具有立方晶体结构，后者具有周期性的面内晶体取向图案。所述晶体取向围绕着特定的晶轴方向逐渐地旋转，以致｛１００｝面、｛１１０｝面和｛１１１｝面得以出现。

提供了通式（１）所示的化合物和包含该化合物并具有非常高效率和高亮度的光输出的有机发光器件。