一种高电子迁移率晶体管22包括具有第一晶格常数的成核层14、具有第二晶格常数的后阻挡层24以及具有第三晶格常数的应力管理层26，第三晶格常数大于第一晶格常数和第二晶格常数两者。应力管理层26补偿由于成核层14和后阻挡层24之间的晶格失配...

本公开涉及一种层状结构(200、300)，包括：衬底(110)，包括p型半导体材料；在衬底(110)上的多个半导体层(120)，包括至少一个p‑on‑n结；以及隧道结层(130)，在该衬底(110)和该多个半导体层之间。

公开了层状结构。一种层状结构，包括：基板；多孔层；以及外延半导体(沟道)层。多孔层在邻近基板处具有＞30％的第一孔隙率并且在与半导体层相邻处具有≤25％的第二孔隙率。本实用新型的目的是提供一种层状结构。可以针对不同的功能优化两种不同的孔...

公开了层状结构。一种制造层状结构的方法，包括在基板上生长外延层，外延层在邻近基板处具有第一电阻率并且在远离基板处具有第二电阻率(小于第一电阻率)。使外延层孔化以形成多孔层，多孔层在邻近基板处具有>30％的孔隙率并且在远离基...

本实用新型涉及层状结构。层状结构（200、300、300'、400、400'、600）包括作为单一材料的第一层（240、320、420、620）和耦合到第一层的空腔（230、330、430、630）。第一层包括多孔区域（250、250'...

公开了层状结构。一种层状结构包括具有第一变形的基板；此外形成器件并具有第二变形的一个或多个器件层；相对于基板是赝晶的并且具有第三变形的变形控制层。变形控制层被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。有利地，层状结...

公开了多孔分布式布拉格反射器装置、系统和方法。层状结构200、300、300'、400、400'、600包括作为单一材料的第一层240、320、420、620和耦合到第一层的空腔230、330、430、630。第一层包括多孔区域250、...

本公开涉及多波长光发射半导体装置。公开了多波长光发射半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底、衬底上的第一反射器、第一反射器上的光发射层、对应的活动区域上的第二反射器、和对应的活动区域上的孔。光发射层包括活动区域。每个活动区域包括彼...

本实用新型涉及层状结构、光电发射器、光电探测器及组合的光电发射器和光电探测器。一种层状结构包括具有第一变形的基板；此外形成器件并具有第二变形的一个或多个器件层；相对于基板是赝晶的并且具有第三变形的变形控制层。变形控制层被选择以使得第一变...

本公开涉及半导体装置。公开了一种半导体装置(100,200,300,400,500)，包括：衬底(104)；所述衬底(104)上的第一反射器(106)；所述第一反射器(106)上的光发射层(107)，其中，所述光发射层(107)包括活动...

公开了层状结构、光子器件、电子器件以及射频滤波器。层状结构10包括：呈[100]晶体取向的基板；呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层14；以及与结晶方铁锰矿氧化物层在晶体学上匹配的含金属层16。本实用新型寻求提供一种防止或克服以上提到...

公开了层状结构。层状结构10包括：呈[100]晶体取向的基板；呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层14；以及与结晶方铁锰矿氧化物层在晶体学上匹配的含金属层16。有利地，可以在整个行业常用的基板上生长高质量的含金属层，这开启了集成和成本...

一种钝化的半导体器件结构包括III族氮化物结构(102)和钝化层(104)。III族氮化物结构包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。钝化层包括电介质，电介质形成在该结构上方以提供钝化并与该结构形成界面。该界面提供该结构与电介质之间的具有至...

本文描述了用于半导体应用的层状结构。层状结构包括起始材料以及形成在起始材料上方的具有高电阻率的完全耗尽的多孔层。在一些实施例中，层状结构还包括生长在完全耗尽的多孔层上方的外延层。另外，本文描述了制造层状结构的处理，包括形成完全耗尽的多孔...

用于检测入射光的层状结构包括具有高密勒指数晶体取向的表面的基板和在该基板的该表面上方形成的超晶格结构。与在基板的具有(100)晶体取向的表面上方形成的超晶格结构相比，超晶格结构与高密勒指数晶体取向对齐，并且基于晶体取向表现出红移长波红外...

公开了cREO上方的外延层中的局部应变场。一种用于声波的传输的层状结构(100)，该层状结构(100)包括：基板层(102)；以及在基板层(102)上方的第二层(104)，其中，第二层(104)包括彼此相邻的多个离散部分(105)，多个...

一种用于半导体应用的层状结构如本文所述。该层状结构包括III

本文描述系统和方法从而包括在稀土氧化物和半导体层之间的外延金属层。描述系统和方法从而生长层状结构，包含衬底，在衬底上方外延生长的第一稀土氧化物层，在稀土氧化物层上方外延生长的第一金属层，和在第一金属层上方外延生长的第一半导体层。具体地，...

鉴于III‑N层生长工艺中的高温问题，本文描述的实施例使用分层结构，分层结构包括稀土氧化物(REO)或稀土氮化物(REN)缓冲层和多晶III‑N‑RE过渡层以从REO层过渡到III‑N层。在一些实施例中，III‑N层的压电系数通过分层结...

描述了用于在Si