提供了一种用于形成用于集成电路的互连结构的方法，包括：在基板上形成金属层；在金属层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成第一抗蚀剂材料的第一抗蚀剂层，并在第一光刻过程中将第一抗蚀剂层图案化以限定第一抗蚀剂图案；在第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂...

一种磁性器件(200)，包括至少两个MTJ柱(100)，每个MTJ柱包括重金属层部分(110a，110b)、第二自由磁性层部分(120a，120b)、间隔物部分(130a，130b)、第一自由磁性层部分(140a，140b)、隧道势垒层...

一种用于生长二维材料晶体(3)的模板(1)，包括：a.平坦表面(2)，用于在其上生长晶体(3)，b.在平坦表面(2)上的第一壁(4a)，以及c.在平坦表面(2)上的第二壁(4b)，其中，第一壁和第二壁(4a、4b)在角(5)处相交以形成...

公开了一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，其中形成纳米片场效应晶体管FET结构和鳍FET结构。该方法包括从垂直堆叠来形成第一鳍结构(110)和第二鳍结构(120)，其中第二鳍结构被布置在第一鳍结构上方，并且其中该垂直堆叠包括布置在第一和...

本公开涉及一种用于形成包括多个包含底部晶体管器件和顶部晶体管器件的堆叠式晶体管器件的半导体器件的方法，包括：在基板上形成多个平行鳍结构；形成跨鳍结构的牺牲栅极；通过外延形成每一底部晶体管器件的底部源极/漏极主体；形成覆盖底部源极/漏极主...

本公开涉及一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，该堆叠式晶体管器件包括下部NSHFET结构和上部FinFET结构，该方法包括：形成鳍结构，该鳍结构包括：包含若干下部沟道纳米片的下部器件子堆叠、中间绝缘层、包含上部沟道层的上部器件子堆叠、以...

本公开涉及用于标准单元半导体器件的电路单元，包括：第一和第二FET器件，每一者包括：源极主体和漏极主体，每一者包括公共源极或漏极主体部分以及从公共源极或漏极主体部分突出的一组源极或漏极叉齿，一组沟道层，每一沟道层在一对源极叉齿和漏极叉齿...

公开了一种用于图像数据中的缺陷检测、分类和分割的计算机实现的训练和预测方法。该训练方法包括提供学习结构(101，102，105)的合集，每一学习结构包括特征提取器模块(101

一种用于颗粒采集和所采集的颗粒的呈现以供分析的采集设备(200)，所述采集设备(200)包括：第一层(202)和第二层(220)，其中第一层(202)和第二层(220)间隔开以用于限定颗粒采集室(240)；其中第一层(202)被配置成接...

一种用于颗粒采集和所采集的颗粒的呈现以供分析的采集设备(200)，所述采集设备(200)包括：第一层(202)和第二层(220)，其中第一层(202)和第二层(220)间隔开以用于限定颗粒采集室(240)；其中第一层(202)被配置成接...

一种用于采集空气传播颗粒的采集设备(200)，包括：第一层(202)和第二层(220)，其中第一层(202)和第二层(220)间隔开以用于它们之间形成颗粒采集室(240)，其中入口(210)延伸穿过第一层(202)以用于将气流输送进入颗...

用于形成集成电路的方法包括以下步骤：a.提供半导体结构，包括：i.两个晶体管，ii.晶体管的沟道上的栅极，iii.耦合到每一晶体管的触点，iv.在该两个晶体管、栅极和触点上方的介电层，v.布置在第一金属化层内并沿第一方向延伸的第一导电线...

一种用于形成半导体器件结构的方法，该方法包括：在基板上形成层堆叠，层堆叠包括第一半导体材料的牺牲层和第二半导体材料的沟道层，沟道层与牺牲层相交替；在层堆叠上形成多个平行且规则地间隔开的芯线；在芯线的侧表面上形成间隔物线，其中间隔物线的宽...

一种半导体结构(9)，包括：器件区(2)，包括：第一层(3)中的第一结构(21)，第一结构具有在第一层(3)的顶表面(31)上方的顶表面(211)，以及在第一层(3)的顶部上的第二层(4)中的第二结构(22)，其中第一结构(21)被钉扎...

本公开涉及用于形成堆叠式FET器件的方法，包括：形成底部FET器件，该底部FET器件包括沿至少一个沟道层布置的底部栅极电极；在底部FET器件上方形成接合层；以及在接合层上形成顶部FET器件，包括：形成包括至少一个沟道层以及在该至少一个沟...

本公开涉及用于形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成器件层堆叠，该器件层堆叠包括：第一子堆叠，包括第一牺牲层和在第一牺牲层上的限定第一子堆叠的最顶层的沟道层，以及在第一子堆叠上并包括第一牺牲层和第一牺牲层上的第二牺牲层的第二子堆...

形成堆叠式场效应晶体管器件的方法包括：形成包括所布置的底部栅极电极的底部FET器件；在底部FET器件上方形成接合层；以及在接合层上形成顶部FET器件，包括：形成包括沟道层的鳍结构；蚀刻穿过接合层以在鳍结构下方形成接合层图案；形成虚设栅极...

一种形成半导体器件的方法，包括：在基板上形成器件层堆叠，所述器件层堆叠包括底部牺牲层以及上部牺牲层和沟道层的交替序列；形成牺牲栅极结构；在使用牺牲栅极结构作为蚀刻掩模的同时，蚀刻穿过器件层堆叠的至少上部牺牲层和沟道层；形成覆盖上部牺牲层...

一种用于形成集成电路的方法，包括以下步骤：a.提供半导体结构，该半导体结构包括：i.两个晶体管，ii.栅极结构，iii.导电触点，iv.第一导电线，v.第一导电通孔，vi.第二导电通孔，b.提供与第一导电线接触的平面介电材料，c.在平面...

根据一方面，提供了一种用于形成前体半导体器件结构的方法，该方法包括：形成初始层堆叠，该初始层堆叠包括第一半导体材料的牺牲层和在牺牲层上方的第二半导体材料的沟道层；通过在初始层堆叠中图案化沟槽来形成一组鳍结构；形成跨鳍结构延伸的至少一个锚...