本发明公开了一种多模多频收发电路，包括：主射频感应结构和次射频感应结构；所述主射频感应结构和次射频感应结构相邻设置，射频能量能在所述主射频感应结构和次射频感应结构之间转化，主射频感应结构具有至少一个主IO通路，次射频感应结构具有至少两个...

本实用新型公开了一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，金属耦合结构之间通过空间位置关系获...

本实用新型公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属...

本发明公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或...

本发明公开了一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，金属耦合结构之间通过空间位置关系获得不...

本发明公开了一种射频电感变换器，包括：第一电感(L1)、第二电感(L2)和开关器件(S)；第一电感(L1)设置于半导体器件第一层(B1)，其作为输出电感；第二电感设置于半导体器件第二层(B2)，其作为控制电感；两个电感之间的距离为d；开...

本发明提供的一种双刀双掷射频开关，包括：第一臂(A1)连接在第一射频端(RF1)和第一天线端(ANT1)之间，第二臂(A2)连接在第一天线端(ANT1)和第二射频端(RF2)之间，第三臂(A3)连接在第二射频端(RF2)和第二天线端(A...

本实用新型公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路，包括：串联的偏置电路一和偏置电路二；偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；本实用新型还公开了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器，...

本发明公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路，包括：串联的偏置电路一和偏置电路二；偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；本发明还公开了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器，包括功率...

本发明公开了一种射频放大器输出端失配检测电路，包括：定向耦合器其第一工作端连接功放输出端，其第二工作端连接天线端，其耦合端连接系统阻抗，其隔离端连接系统阻抗和第二检波器输入端；第一检波器输入端连接功放输入端和系统阻抗，其输出端连接第一比...

本发明公开了一种时序可编程偏置电流源，包括:第一PMOS和第三PMOS源漏串联，第二PMOS和第四PMOS源漏串联；第一PMOS和第二PMOS源极连接电源电压，第三PMOS和第四PMOS的漏极相连后连接偏置电路；第二PMOS栅极通过第一...

本发明公开了一种射频功率放大器功率合成装置包括：第一、第二晶体管第二端通过第五、第六电容相连并通过输入网络接该合成装置第一端；第一、第二晶体管第三端通过输出网络接该合成装置第二端；第一晶体管第三端通过第一电感接第一外部电源接入端并通过第...

本发明公开了一种复合管射频功率放大器，包括：第一晶体管和第二晶体管的第二端通过输入网络接复合管射频功率放大器的第一端；第一晶体管和第二晶体管的第三端相连通过输出网络接复合管射频功率放大器的第二端并通过第一电感接外部电源接入端，外部电源接...

本发明公开了一种射频信号峰值探测器，包括：耦合电容的负极作为射频信号峰值探测器的射频耦合输入端，耦合电容的正极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第二电阻一端、第三电阻一端以及第四电阻的一端；第二电阻的另一端接二极管的负极，二极管的...