华润微电子重庆有限公司专利技术

华润微电子重庆有限公司共有6项专利

  • 本实用新型提供一种晶圆曝光机,包括:曝光光路系统,包括曝光光源及曝光透镜,曝光透镜用于对曝光光源聚焦,以决定所述曝光光路系统的焦距平面;及晶圆承载装置,包括基座、复数个支撑PIN、升降装置及晶圆承载平台;焦距平面与复数个支撑PIN之间的...
  • 本发明公开了一种胎压传感器制造方法及胎压传感器,该制造方法包括如下步骤:在第一衬底上刻蚀形成压力传感器的第一空腔和加速度计的第二空腔;在第一衬底上方键合第二衬底;在第二衬底内形成压力传感器的压力敏感膜,以及形成用于制造加速度计的悬梁臂和...
  • 本实用新型提供一种具有缓通断功能的汽车点火驱动电路,应用于汽车点火驱动模块,其中包括:信号放大单元,信号放大单元的同相输入端连接至汽车控制系统的输出控制信号,信号放大单元的反向输入端连接至接地端;缓通断单元,缓通断单元的输入端连接至信号...
  • 本发明提供了一种可降低功率MOS器件栅极电阻的制造方法,应用于半导体制造领域,其中,包括:提供一硅基底,在硅基底表生长一外延层;在外延层上形成沟槽结构;进行源区、体区的离子注入掺杂,在表面淀积一金属薄层;进行两次高低温的快速退火;刻蚀掉...
  • 本发明提供一种集成ESD保护二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法,该器件包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的外延层;形成于外延层中并依次排布的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽;填充于第二沟槽内以及第一沟槽和第三沟槽下部的屏蔽电极;...
  • 本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法,在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体(HDP),并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理,利用高密度等离子体(HDP)层的淀积特点,使其填充具备特有形貌:沟槽内中间平坦,沟...
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