华润微电子重庆有限公司专利技术

华润微电子重庆有限公司共有3项专利

  • 本发明提供了一种可降低功率MOS器件栅极电阻的制造方法,应用于半导体制造领域,其中,包括:提供一硅基底,在硅基底表生长一外延层;在外延层上形成沟槽结构;进行源区、体区的离子注入掺杂,在表面淀积一金属薄层;进行两次高低温的快速退火;刻蚀掉...
  • 本发明提供一种集成ESD保护二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法,该器件包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的外延层;形成于外延层中并依次排布的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽;填充于第二沟槽内以及第一沟槽和第三沟槽下部的屏蔽电极;...
  • 本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法,在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体(HDP),并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理,利用高密度等离子体(HDP)层的淀积特点,使其填充具备特有形貌:沟槽内中间平坦,沟...
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