华润微电子重庆有限公司专利技术

华润微电子重庆有限公司共有140项专利

  • 本发明提供一种HEMT接触孔结构及其制备方法,该HEMT接触孔结构包括衬底、衬底、缓冲层、沟道层、势垒层及接触孔,其中,缓冲层位于衬底的上表面;沟道层位于缓冲层的上表面;势垒层位于沟道层的上表面;多个间隔设置的接触孔嵌于势垒层中,接触孔...
  • 本发明提供一种功率器件的制作方法,包括外延步骤:提供一衬底,于衬底上形成外延叠层,外延叠层的顶层为P型GaN材料层;刻蚀步骤:采用干法刻蚀图形化P型GaN材料层以形成P型GaN帽,干法刻蚀采用的刻蚀气体包括Cl基气体;钝化步骤:于刻蚀腔...
  • 本发明提供一种光伏二极管可靠性建模方法、电子设备及可读存储介质,包括:分析光伏二极管的应力分布及耦合影响,得到至少两组相互独立的应力及对应权重因子;基于各组应力作用下的失效时间、可靠性及权重因子建立可靠性模型;其中,所述权重因子为对应的...
  • 本发明提供一种T型三电平换流单元的动态特性测试电路及方法,包括:充放电控制单元,为第一、第二电容提供充电电流或放电通路;第一电容与所述第二电容的串联;T型三电平换流单元,通过开关时序调整电流流向及输出电平;电感,第一端连接T型三电平换流...
  • 本发明提供一种屏蔽栅沟槽
  • 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有反向导通能力的
  • 本发明提供一种电源电路
  • 本发明属于功率半导体技术领域,具体是涉及一种GaN级联二极管。级联二极管等效为多个栅控二极管串联,只需很少数量串联便可达到HEMT器件静电防护所需的电压要求,大大提高了芯片使用效率。等效纵向场板拓展了横向器件纵向维度的利用,提高晶圆利用...
  • 本发明提供一种电源开关电路、电子产品及电源产生方法,包括:PMOS管,源极连接电池电压,漏极连接电容的上极板;第一电容的下极板接地;第一电阻,第一端连接PMOS管的栅极;唤醒模块,连接于电池电压与参考地之间,接受按键控制,输出端连接第一...
  • 本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法,该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、栅极结构、沟槽、源极及漏极,其中,缓冲区堆叠于衬底的上方;第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面...
  • 本实用新型提供一种MOS过功率失效保护的封装结构,包括:引线框架、芯片和第一金属引线,引线框架包括芯片装片区域和凸出于芯片装片区域的源极管脚、栅极管脚和漏极管脚;芯片安装于芯片装片区域,芯片的左侧到芯片装片区域的左侧之间的距离大于芯片的...
  • 本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法,该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极,其中,缓冲区堆叠于衬底的上方;第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上...
  • 本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法,该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极,其中,缓冲区堆叠于衬底的上方;第一导电类型柱及第二导电类型并列邻接于缓冲区的上表...
  • 本发明提供一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法,该沟槽栅超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、沟槽栅结构、栅极结构、源极及漏极,其中,缓冲区堆叠于衬底的上方;第一导电类型柱及第二导电类...
  • 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有P型埋层的双沟道增强型GaNHEMT器件。该结构具有两层沟道2DEG,因而可显著降低器件的导通电阻,提高器件的饱和输出电流。其特征是:与源极电位短接的p
  • 本发明提供一种多脉冲测试电路及多脉冲测试方法,包括:开关模块,包括串联在供电端和接地端之间的待测器件及电感;充能模块,为测试提供电能;换流模块,包括第一开关,连接于所述充能模块与所述开关模块之间,通过第一开关的通断调整电流流向;所述第一...
  • 本实用新型提供一种光伏旁路二极管框架结构,包括负极框架、正极框架和连接带,其中,负极框架上焊接有芯片;正极框架与负极框架间隔预设距离;连接带位于负极框架与正极框架之间,连接带包括相连接的第一连接部和第二连接部,第一连接部与芯片连接,第二...
  • 本发明提供一种背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法,该器件包括:由下向上依次层叠的漏极电极、衬底、沟道层及势垒层;位于元胞区的源极、栅极及漏极;位于源极及栅极上方的源极电极及栅极电极;漏极互连金属柱,贯穿元胞区外的终端隔离区,一端与漏...
  • 本发明提供一种HEMT器件及其制备方法,该方法包括:于HEMT器件薄膜结构表面形成与栅介质层的湿法腐蚀选择比大于10的牺牲层;在形成栅极凹槽时,先采用干法刻蚀去除第一隔离层,再采用湿法腐蚀去除牺牲层。通过在异质结材料上形成一层牺牲层,该...
  • 本发明提供一种HEMT器件及其制备方法,该方法包括:于HEMT器件薄膜结构表面形成与栅介质层的湿法腐蚀选择比大于10的牺牲层;在形成栅极凹槽时,先采用干法刻蚀去除第一隔离层,再采用湿法腐蚀去除牺牲层。通过在异质结材料上形成一层牺牲层,该...
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