华润微电子重庆有限公司专利技术

华润微电子重庆有限公司共有13项专利

  • 本发明公开一种三相交流电机的变频控制电路及控制方法,其中包括电源模块、控制模块、驱动模块、采样模块及逆变模块,电源模块将交流电源通过整流转换为直流电源;控制模块的数字处理芯片控制三相交流电机的三相脉宽调制信号,以方波信号形式输出;驱动模...
  • 本发明提供基于人工智能的半导体制造执行系统,包括若干个脑单元,脑单元与产线人员一一对应并根据产线人员的级联层次对应连接。当检测到机台处于预设工作状态时,判断出所需采取的相应操作并生成执行指令发送至产线人员对应的脑单元,以令该脑单元按照执...
  • 本实用新型提供一种IGBT功率组件,包括封装下盖板、覆铜陶瓷基板、IGBT芯片及封装上盖板;所述覆铜陶瓷基板位于所述封装下盖板的上表面;所述IGBT芯片位于所述覆铜陶瓷基板的上表面;所述封装上盖板位于所述IGBT芯片的上表面。本实用新型...
  • 本发明提供一种单节串联型锂电池保护电路,包括电池包;具有检测单元的检测模块,用于采样对应电池的电压并比较,当采样电压小于预设最低电压时产生放电控制信号;反之产生充电控制信号;与电池正极和检测单元连接的放电控制模块,用于根据放电控制信号产...
  • 本实用新型提供一种快充电源测试平台,至少包括:人机接口装置、交流程控电源、程控功率计、程控触发器以及程控电子负载;所述交流程控电源、所述程控功率计、所述程控触发器以及所述程控电子负载均与所述人机接口装置相连,通过所述人机接口装置对所述交...
  • 本发明公开了一种新型频率检测谐振式磁强计,包括一敏感梁和至少一对梁谐振器,所述敏感梁的两端分别固定在一第一锚点上;每对所述梁谐振器中包括设置在所述敏感梁的第一面上的梁谐振器和设置在所述敏感梁的第二面上的梁谐振器,两个所述梁谐振器分别设置...
  • 本实用新型涉及一种清洁装置,尤其涉及一种排水管路自动清洗装置。包括:主管,主管的前端和后端分别设置有一第一阀门装置;于主管的分支管路上设置一清洗器,清洗器包括一电机以及连接电机的一清洁刷,电机通过第一阀门装置驱动;旁路管道,与主管连通,...
  • 本实用新型提供一种晶圆曝光机,包括:曝光光路系统,包括曝光光源及曝光透镜,曝光透镜用于对曝光光源聚焦,以决定所述曝光光路系统的焦距平面;及晶圆承载装置,包括基座、复数个支撑PIN、升降装置及晶圆承载平台;焦距平面与复数个支撑PIN之间的...
  • 本发明公开了一种胎压传感器制造方法及胎压传感器,该制造方法包括如下步骤:在第一衬底上刻蚀形成压力传感器的第一空腔和加速度计的第二空腔;在第一衬底上方键合第二衬底;在第二衬底内形成压力传感器的压力敏感膜,以及形成用于制造加速度计的悬梁臂和...
  • 本实用新型提供一种具有缓通断功能的汽车点火驱动电路,应用于汽车点火驱动模块,其中包括:信号放大单元,信号放大单元的同相输入端连接至汽车控制系统的输出控制信号,信号放大单元的反向输入端连接至接地端;缓通断单元,缓通断单元的输入端连接至信号...
  • 本发明提供了一种可降低功率MOS器件栅极电阻的制造方法,应用于半导体制造领域,其中,包括:提供一硅基底,在硅基底表生长一外延层;在外延层上形成沟槽结构;进行源区、体区的离子注入掺杂,在表面淀积一金属薄层;进行两次高低温的快速退火;刻蚀掉...
  • 本发明提供一种集成ESD保护二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法,该器件包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的外延层;形成于外延层中并依次排布的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽;填充于第二沟槽内以及第一沟槽和第三沟槽下部的屏蔽电极;...
  • 本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法,在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体(HDP),并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理,利用高密度等离子体(HDP)层的淀积特点,使其填充具备特有形貌:沟槽内中间平坦,沟...
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