本发明揭露一种半导体结构，包含：肖特基二极管结构，该肖特基二极管结构的第一沟槽延伸通过第一N型半导体层且设置于第一N型半导体层中；第一绝缘层设置于第一沟槽内；至少两个多晶硅层或金属硅化物层设置于第一沟槽内；第一P型保护层接地且设置于第一...

本发明提供了一种具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构，包含：一沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应应晶体管结构；以及一沟槽结势垒肖特基二极管；其中，该沟槽结势垒肖特基二极管的侧壁的一绝缘层内不具备有一侧栅极。本发明提供的具有沟槽结势垒...

本发明揭露一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法，第IVA族离子注入层设置于基极之中，且第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，第IVA族离子注入层用来改变结构的一通道的性质。本发明提出的第IVA...

本发明提供一种沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构，包含：金属层分别设置于结构的上表面与底面；N型半导体基板设置于漏极上；N型漂移区设置于N型半导体基板上；N型电流分散层设置于N型漂移区上；P型阱设置于电流分散层上；N型半导...

一种具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件，包含一基板、一绝缘缓冲层、一磊晶单元、一第一电极，及一第二电极。该基板具有导电性，包括一第一表面，该绝缘缓冲层设置于该基板的该第一表面，该磊晶单元设置于该绝缘缓冲层上，该第一电极设置于该磊晶...

本发明提供一种半导体结构，包含：一基板，具有一第一传导类型的半导体材料；一外延层，设置于基板上，并具有第一传导类型的半导体材料；一主动区，为半导体结构的工作区域；以及一边缘保护区，用以保护该主动区。其中，边缘保护区中的JTE区为第二传导...

本发明提供了一种高电子迁移率发光晶体管的结构，结构包含：基板；高迁移率晶体管(简称HEMT)区设置于基板上；氮化镓发光二极管(GaN-LED，简称LED)区设置于该基板上；其中，HEMT区与LED区皆存在二维电子气层，且HEMT区通过二...