本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种封装模块、封装结构及封装模块制备方法，封装模块包括硅桥器件和集成式器件，硅桥器件和集成器件层叠设置，且硅桥器件和集成式器件电连接；硅桥器件包括第一衬底层、第一互连结构和第一导电柱，第一互连结构位于...

本发明涉及半导体制造技术领域。提出一种构造硅桥芯片互连封装结构的方法及相应结构，该方法包括：构造硅桥芯片；构造第一芯片互连层，将所述第一芯片互连层与所述硅桥芯片连接，其中所述第一芯片互连层包括第三至第六芯片；以及在硅桥芯片上构造第二芯片...

本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种构造垂直互连封装结构的方法及相应结构。该方法包括：在载板上布置第一芯片以及第二芯片；在第一芯片以及第二芯片上布置硅桥芯片；对载板进行塑封以形成塑封层，并且在所述塑封层上构造垂直互连电气结构，其中所述...

本发明提供一种集成无源器件的硅桥模块，其包括基板，设置于基板第一表面的第一绝缘层，设置于第一绝缘层表面的电容，设置于电容的表面、但露出电容的至少部分电极的第二绝缘层，设置于第二绝缘层的表面、与电容电连接的第一金属互连层，以及设置于第一金...

本发明涉及一种多芯片高密度垂直互联封装结构及其制造方法。封装结构包括Fanout模块，多个再布线层，塑封层。本发明提供的一种多芯片高密度垂直互联封装结构的制造方法，在再布线层正反两面电连接Fanout模块，塑封再布线层和Fanout模块...

本发明涉及一种增强稳固性的多芯片封装结构及其制造方法。封装结构包括基板，多个支撑脚，多个支撑壁，多个芯片，导热材料以及散热盖。本发明提供的一种增强稳固性的多芯片封装结构的制造方法，在基板的中间和边缘设置凹槽，在散热盖对准多个支撑脚的位置...

本发明涉及一种芯片集成封装结构及其形成方法，形成方法包括：设计组成晶圆的芯片的排布方式，并按照设计制作晶圆，其中多个芯片的互连接口对齐；在晶圆的正面形成一层或多层前道结构，其中前道结构与互连接口电连接；在前道结构背离芯片的表面形成一层或...

本发明涉及一种高带宽存储器的封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：硅衬底，其具有空腔；芯片堆叠结构，其埋入所述硅衬底中，所述芯片堆叠结构包括多个垂直堆叠的高带宽存储器芯片及一个或多个逻辑芯片；导电硅通孔，其贯穿所述硅衬底；以及互连结构...

本发明涉及一种降低翘曲的扇出封装结构及其形成方法，其中扇出封装结构包括:硅基底，其具有空腔；导电盲孔，其贯穿所述硅基底，且多个所述导电盲孔围绕空腔；芯片，其布置在所述硅基底的空腔内；塑封料,其填充所述空腔以塑封所述芯片；第一布线层，其与...

本发明涉及一种转接板结构、封装结构及其制造方法。所述转接板结构呈H形，该结构包括第一转接板，第二转接板，第一互连结构，第二互连结构。利用所述转接板结构，构造一个封装结构。该封装结构包括所述转接板结构；第一组芯片，所述第一组芯片布置在第一...

本发明公开一种高密度多芯片的扇出型封装结构，包括正装方式贴装的第二芯片，第一金属柱，包覆第二芯片及第一金属柱的第二塑封层，通过引线键合方式贴装、与第一金属柱电连接的第一芯片，设置于第二塑封层表面、包覆第一芯片的第一塑封层，设置于第二塑封...

本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种用于散热的封装结构及其制备方法，本发明提供的封装结构使用硅深槽刻蚀和电化学沉积方法，将第一掺杂半导体和第二掺杂半导体集成到硅基转接板内，通过重布线层工艺实现了第一掺杂半导体和第二掺杂半导体的串联，形...

本发明涉及一种深沟槽电容器结构及其制造方法。深沟槽电容器结构包括硅中介层，所述硅中介层被配置为内部布置多条金属走线；深沟槽电容器，所述深沟槽电容器被配置为贴装至所述硅中介层的第一表面；所述深沟槽电容器包括晶圆，布置在所述晶圆中的多个接触...

本发明公开了一种新型Chiplet异构集成封装结构，涉及半导体封装技术领域，该结构包括基板、SOC芯片、由一整块第二TSV转接板分割成的多个第一TSV转接板和多组Chiplet，基板一面内挖形成腔体放置SOC芯片，另一面设有锡球，第一T...

本发明公开了一种新型UBM结构，涉及半导体封装技术领域，每个与凸点倒装焊接的UBM结构均包括多个分散排布的UBM单元和UBM墙，UBM墙包围UBM单元，且互不接触；UBM单元之间用于容纳凸点的锡银，UBM墙用于阻挡锡银外流。使用该结构焊...

本发明公开一种具电磁屏蔽及散热功能的芯片封装结构，其包括基板、芯片、屏蔽模块、塑封层以及散热模块。其中芯片贴装至基板的第一表面，屏蔽模块贴装至基板上，且围绕芯片设置，塑封层包覆芯片及屏蔽模块，散热模块则设置于塑封层的表面。该芯片封装结构...

本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种硅通孔转接板结构及其制备方法，包括：第一基板包括相对的第一表面和第二表面，第一表面上形成第一凹槽，第二基板设置在第二表面上；导电连接结构包括设置在第一凹槽的下方的第一导电连接体，第一导电连接体包...

本发明涉及芯片封装技术领域，公开了芯片封装结构及制备方法，芯片封装结构包括：来料晶圆，包括衬底、多个金属焊盘和钝化层，多个金属焊盘间隔设置在衬底的第一表面上，钝化层设置在衬底的第一表面和多个金属焊盘上，且具有多个第一开口，以露出多个金属...

本发明涉及一种多芯片堆叠封装结构及其形成方法，其中多芯片堆叠封装结构包括：基板；主芯片，其与所述基板电连接；以及芯片堆叠模块，其与所述基板电连接，所述芯片堆叠模块包括：多个依次连接的堆叠封装单元；以及顶层堆叠封装单元，其位于所述芯片堆叠...

本发明公开一种具散热功能的双面系统级封装结构，其包括基板、第一芯片、第二芯片、金属导电柱、塑封层以及散热盖。其中基板的第一表面及第二表面均设置有外接焊盘和/或凸点，且第一表面的外接焊盘和/凸点与第二表面的外接焊盘和/或凸点电连接。第一芯...