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河源市众拓光电科技有限公司专利技术
河源市众拓光电科技有限公司共有142项专利
一种白光LED制备方法及白光LED技术
本申请涉及LED技术领域,具体提供了一种白光LED制备方法及白光LED,该制备方法包括以下步骤:制作LED外延片,LED外延片包括依次连接的外延衬底、缓冲层和外延层;在LED外延片上依次形成反射层和金属键合层;将导电衬底键合在金属键合层...
一种垂直结构LED芯片制造技术
本申请涉及LED芯片技术领域,具体提供了一种垂直结构LED芯片,包括:依次连接的衬底层、N型导电金属层、绝缘层、P型导电金属层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n‑GaN层,绝缘层包括多个贯穿P型导电金属层、p‑GaN层和I...
一种激光切割保护液制造技术
本发明公开了一种激光切割保护液,属于晶圆切割领域,按质量计包括以下组分;
一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法技术
本发明公开了一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法,属于半导体器件领域,二极管包括衬底、阳极和阴极,衬底之上从下往上依次设置有GaN缓冲层、AlGaN势垒层、p
一种垂直结构的LED芯片及其制备方法技术
本申请实施例属于LED芯片技术领域,涉及一种垂直结构的LED芯片,包括导电衬底、外延结构层、P电极与二维材料层;外延结构层设于导电衬底上,外延结构层包括P型氮化镓材料层;P电极设于外延结构层上,P电极与P型氮化镓材料层形成欧姆接触;二维...
一种LED外延结构及其制备方法与LED芯片及其制备方法技术
本申请实施例属于半导体领域,涉及一种LED外延结构的制备方法,包括提供外延衬底,于外延衬底上形成过渡层;于过渡层上形成第一绝缘层,并对第一绝缘层进行图案化处理,得到贯穿于第一绝缘层的多个第一镂空区域;于第一镂空区域内形成外延层,得到LE...
一种低损耗HEMT器件及其制备方法技术
本申请实施例属于半导体器件技术领域,涉及一种低损耗HEMT器件,包括衬底、外延结构、复合栅介质层、源电极、栅电极、漏电极;外延结构设置于衬底上;源电极与漏电极设置于外延结构的上表面,且分别位于外延结构的相对两侧;复合栅介质层设置于外延结...
一种LED芯片及其制备方法技术
本申请实施例属于半导体技术领域,涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片的制备方法包括如下步骤:提供生长衬底,于所述生长衬底的表面生长外延结构;于所述外延结构上形成金属反射层;于所述金属反射层上形成金属保护层;于所述金属保护层上形...
一种LED和探测器的集成器件及其制备方法技术
本申请实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法,集成器件包括导电衬底、LED外延层、探测器外延层、第一电极及第二电极;LED外延层设于导电衬底且与导电衬底电连接;探测器外延层设于导电衬底且与导电衬底之间绝缘...
一种HEMT器件及其制备方法技术
本申请实施例属于半导体器件技术领域,涉及一种HEMT器件,包括衬底、外延结构、钝化层、源极、栅极、漏极、侧电极;外延结构设置于衬底上;钝化层包覆于外延结构外;源极、栅极与漏极均设置于钝化层且与外延结构的上表面接触,栅极位于源极与漏极之间...
一种高频高耐压HEMT器件及其制备方法技术
本申请实施例属于半导体器件技术领域,涉及一种高频高耐压HEMT器件,包括衬底、外延结构层、钝化层、源电极、栅电极、第一漏电极以及离散场板;外延结构层设于衬底上;源电极与第一漏电极设于外延结构层的上表面,且均与外延结构层形成欧姆接触;栅电...
GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器技术
本发明公开了一种GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器,属于半导体领域,芯片包括第一二极管、第二二极管和HEMT,第一二极管和第二二极管均自衬底往芯片表面依次包括非掺杂GaN层、AlGaN势垒层以及同时露出P层和N层的PN结...
一种InGaN基可见光探测器及其制备方法技术
本申请实施例属于半导体技术领域,涉及一种InGaN基可见光探测器及其制备方法,包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底上生长InGaN纳米柱,形成InGaN纳米柱阵列;在所述InGaN纳米柱阵列上生长过渡金属硫化物壳层;在所述过渡金属硫化物壳...
肖特基势垒二极管及其制备方法和应用技术
本申请涉及一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。该肖特基势垒二极管包括:衬底、在衬底上依次层叠设置的AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层和AlGaN势垒层;InGaN背势垒层中In的含量在远离衬底的方向上逐渐增...
一种可见光探测器及其制备方法技术
本申请实施例属于可见光探测技术领域,涉及一种可见光探测器,包括层叠设置的硅衬底和InGaN外延层、硫族化合物层以及电极层,电极层包括第一电极层和第二电极层;硫族化合物层和第一电极层间隔设置在InGaN外延层上;硫族化合物层上设置第二电极...
一种氮化镓高电子迁移率晶体管制造技术
一种氮化镓高电子迁移率晶体管,涉及半导体技术领域;包括HEMT外延片、源极、栅极和漏极,所述HEMT外延片顶部包括AlGaN势垒层和与AlGaN势垒层上表面连接的钝化层,所述源极和漏极分别穿过所述钝化层与AlGaN势垒层表面形成欧姆接触...
一种用于GaN功率器件高阻层外延结构制造技术
本实用新型公开了一种用于GaN功率器件高阻层外延结构,包括衬底,以及从下到上依次形成于衬底上的:成核层、应力控制层和高阻GaN层,其中,高阻GaN层包含周期交替的Fe掺杂GaN层与自主C掺杂GaN层,这种周期交替类似超晶格的生长方式,极...
一种InGaN基探测器制造技术
本实用新型公开了一种InGaN基探测器,通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III
一种耦合板HEMT器件制造技术
本实用新型公开了一种耦合板HEMT器件,在基底层上设置包括栅极、第一钝化层、第二钝化层和感应金属板的耦合板,其中T型栅通过高介电常数的第二钝化层对感应金属板的耦合效应实现了类似于场板的作用,降低了栅极靠近漏极侧的电场峰值,有效提升了HE...
一种可见光探测器的制备方法技术
本发明申请公开了一种可见光探测器的制备方法,通过在InGaN衬底上采用电子束蒸发镀膜沉积III族元素的金属层,然后以VI族元素的第一粉末为前驱体,采用化学气相沉积使金属层反应生成III
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