本发明公开了高脉冲功率直流电子开关及高脉冲功率双向直流电子开关，涉及电子开关技术领域，其技术方案要点是：包括电力电子半导体元件，第一连接母排、沿竖直方向并列设置的第一母排和第二母排，以及沿水平方向并列设置的汇流母排和元件固定母排，若干电...

本发明公开了球形纳米金属及其氧化物粉末的等离子体制备系统及方法，等离子体制备系统包括：蒸发

本发明属于低温等离子体薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种网孔式多栅离子束引出装置，包括：网格栅、屏栅、加速栅、地栅、绝缘子A、绝缘子B、加速栅电源和屏栅电源；所述网格栅固定于屏栅的一侧面，加速栅通过绝缘子A固定于屏栅的另一侧面；所述加速...

本发明公开了一种激光吞食器，涉及聚变装置配套设备技术领域；包括壳体，所述壳体为扁平状的金属壳；所述壳体内设置有吸收腔，所述吸收腔为圆柱形，所述吸收腔两端的内壁能够反射和散射激光；所述吸收腔的侧壁覆盖有吸收层，所述吸收层为石墨材质；所述壳...

本发明涉及核聚变装置的原子反应定量诊断方法和系统，核聚变装置的原子反应定量诊断方法，对核聚变装置中边缘和偏滤器区域等离子体的原子反应过程进行定量测量，包括以下操作：划定待测量目标空间；获取该选定二维空间区域的双光谱谱线信息；根据获取的双...

本发明涉及仿真技术领域，公开了一种偏滤器靶板热流物理工程自动化耦合方法及系统。本发明通过将计算任务自动提交至超算平台，调用SOLPS软件根据所述计算任务进行自动计算，将计算结果文件自动输出为.csv文件，并根据三维坐标将三维空间中的热负...

本发明公开了一种真空室内朗缪尔探针固定组件，涉及核聚变装置技术领域；探针固定组件，包括探针阵列盘和绝缘安装结构；所述探针阵列盘中部设置有阵列孔台，所述阵列孔台用于穿设对应的探针阵列针体；所述探针阵列盘一端面与所述绝缘安装结构的一端可拆卸...

本发明公开了一种脉冲式高压电源控制系统及控制方法，该系统包括上位机、主控制器、发射电路、接收电路、复位模块和被控电源模块；主控制器包括基于Cortex

本发明公开了一种利于提高第二代高温超导载流性能的处理方法、超导层、超导材料，处理方法包括：在未经氧化热处理的超导层上进行离子注入，在超导层内引入纳米级缺陷注入离子的种类包括非金属气体离子和金属离子；然后在超导层注入离子处理后的表面镀银膜...

本发明公开了一种基于新型储能脉冲电源的功率单元控制器，包括直流侧电压检测电路、直流侧电流检测电路、功率单元温度测量电路、AD转换电路、转换通讯电路、CPLD电路、驱动及保护电路、开关控制电路。功率单元控制器在CPLD电路内部实现控制器的...

本发明公开了一种10MW级高压电源控制系统及控制方法，包括上位机、嵌入式控制器、第一FPGA板卡、第二FPGA板卡和第三FPGA板卡、光电/电光转换模块和被控电源模块；第二FPGA板卡，作为主控板卡，用于更新被控电源模块开通数目及电源工...

本实用新型涉及电子科学技术领域，公开了一种多拍频等离子体电子密度测量设备，包括：正反馈闭合回路；第三二路多工器，与所述正反馈闭合回路的输出端连接，所述第三二路多工器的两路输出端分别连接第二定向耦合器和第三定向耦合器，所述第二定向耦合器和...

本实用新型涉及中性粒子分析器设备，特别涉及针对电场磁场平行中性粒子分析器的标定装置，还涉及一种电场磁场平行中性粒子分析器标定系统，电场磁场平行中性粒子分析器的标定装置，包括离子通道和离子发射源，该离子发射源与离子通道入口连通，该离子通道...

本实用新型涉及包装技术领域，具体涉及一种小型样品包装袋。该小型样品包装袋包括袋体本体，袋体本体具有第一部分、第二部分和第三部分，其中第三部分用以盛放样品，第一部分与第二部分之间设置有第一撕裂口，第二部分与第三部分之间设置有第二撕裂口，第...

本发明属于二代高温超导材料技术领域，具体涉及一种提高二代高温超导带材强磁场环境下载流能力的方法，包括：步骤1、选用REBa2Cu3O7‑

本发明公开了一种无环流电抗器的有环流四象限大功率电源电路，涉及核聚变实验装置，包括发电机、负载组件和若干组成电路，上述组成电路包括：变压器，上述变压器的原边绕组与发电机连接；若干并联的变流器组，上述变流器组与变压器的副边绕组连接；上述负...

本发明属于等离子体物理技术领域，具体涉及一种基于深度神经网络的鱼骨模识别方法。本发明包括如下步骤：S1、训练数据集准备；S2、神经网络模型创建；S3、模型参数训练；S4、推理阶段验证集验证。本发明能够提升鱼骨模识别的速度以及准确率；识别...

本发明公开了一种全固态脉冲调制高压开关,包括驱动调制电源，以及连接在驱动调制电源上的软启动延时模块、综合故障检测模块和故障自检模块；本方案基于干式全固态调制开关进行结构上的改进，在使用过程中可方便的观察每组全固态开关器件的运行状态，当过...

本发明公开了基于PXIe技术的80kV高压电源控制系统及方法，包括上位机、嵌入式控制器、三个FPGA板卡、控制电路、发射电路、接收电路和被控电源模块；嵌入式控制器，接收上位机下发的实验参数，进行解码，通过PXI总线把解码后的数据只传输至...

本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种金属纳米团簇离子源，包括：金属靶、靶座陶瓷腔壁、磁钢、气路、阳极、地栅、金属靶脉冲电源和阳极电源；所述陶瓷腔壁为U型结构，陶瓷腔壁的开口端上固定有阳极，陶瓷腔壁的闭口端上设置...