本发明公开了一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法。将碳化硅衬底置于反应室内，反应室抽至真空，通入氢气，保持氢气流量对反应室升温至1300～1400℃时，打开厚度检测系统，电脑端显示反射率值；继续升温至外延生长温度，进行刻蚀，通入源气生长缓...

本实用新型公开一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置，包括托举支架、衬底承载盘和盖体，托举支架上设置有两个左右相对设置的支撑臂，衬底承载盘可抽离地活动嵌置于两支撑臂之间，盖体连接于托举支架上并与衬底承载盘上下对应设置，盖体上设置有朝衬底...

本发明公开一种碳化硅外延生长源管路系统，包括主载气管路、预混管路、碳源单元、硅源单元和掺杂源单元，主载气管路用于连通外延生长反应腔，预混管路连通主载气管路，碳源单元、硅源单元和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路、硅源传输管路和掺杂源连...

本发明公开一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置及转移方法，包括托举支架、衬底承载盘和盖体，托举支架上设置有两个左右相对设置的支撑臂，衬底承载盘可抽离地活动嵌置于两支撑臂之间，盖体连接于托举支架上并与衬底承载盘上下对应设置，盖体上设置有...

本发明公开一种SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法，包括如下步骤：S1，待检的SiC外延片置于检测台面上，采用光线照射SiC外延片表面；S2，按照平面反射光栅模型的原理，调整好光线与SiC外延片的相对位置，定义光线与SiC外延片的法...

本实用新型涉及一种定位缺陷的载物台及检测装置，定位缺陷的载物台包括基座，所述基座上固定平板，定义所述平板远离所述基座的一侧表面为上表面，所述上表面设置凹槽，所述凹槽的形状与待检测对象的形状相同，从而容置所述待检测对象；所述平板的表面设置...

本实用新型涉及一种半导体外延生长用承载盘，包括承载圆盘、限位环、及承载肋，限位环套接于承载圆盘外侧；承载肋设置于承载圆盘的上表面；承载圆盘、限位环及承载肋都由石墨材料制成，承载肋的外表面设有碳化钽层。这种半导体外延生长用承载盘，在原有的...

本实用新型涉及一种碳化硅外延炉酸碱过滤器及过滤系统，包括：开关阀、风机及过滤器，开关阀的入口与反应腔体导通，开关阀的出口与过滤器的入口导通，过滤器的出口与风机的入口导通，过滤器内设有过滤材料；风机将反应腔体内的气体抽出，并通过过滤器进行...

本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流低速生长方法。采用富Si生长工艺(Si/H2＝0.26

本发明涉及一种具有P型缓冲层的外延结构及其制备方法，其在4H

本发明涉及一种具有N型缓冲层的外延结构及其制备方法，其在4H

本发明涉及一种降低碳化硅外延生长缺陷的方法及碳化硅衬底，所述方法包括：步骤10：碳化硅衬底的注入面表面沉积500

本发明涉及一种碳化硅外延层载流子浓度测试的方法及装置，所述方法为采用MCV设备测试碳化硅外延层载流子浓度，所述MCV设备包括载物台，所述载物台上方设置离子风帘盘，所述离子风帘盘通过一导管连接离子风枪；在测试碳化硅外延层载流子浓度之前，开...

本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法，包括将衬底置于封闭腔室，通入碳源和硅源，在所述衬底表面生长外延层，定义所述碳源的流量初始值为asccm，结束值为b sccm；所述硅源的流量初始值为a＇sccm，结束值为b＇sccm，当所述碳源的...

本实用新型涉及一种分离式外延生长承载盘，包括圆盘，所述圆盘一侧表面设有与其圆心相同的圆形凸台；圆环组件，所述圆环组件包括圆弧段和限位块，所述圆弧段的高度大于所述圆形凸台的高度，所述圆弧段外表面为碳化钽涂层，所述限位块与所述圆弧段的缺口相...

本实用新型涉及一种外延薄膜生长承载盘，包括圆盘，所述圆盘上表面设置环形凹槽，所述凹槽内设置至少一个内环，所述内环与所述圆盘可拆卸地连接；所述圆盘的外周设置环形凸起，所述凸起的外沿套接外环，所述外环的外沿与所述圆盘的外沿平齐。所述外延薄膜...

本发明涉及一种晶片清洗装置，包括清洗腔、定位板、给水管路、干燥气体管路及盛有酸液的酸缸；酸缸内设有用于产生亚沸状态酸的加热板，酸缸与清洗腔导通；定位板设置于清洗腔内，且定位板上开有用于定位晶片的定位槽；给水管路与清洗腔导通，干燥气体管路...

本发明涉及一种外延层厚度无损检测方法，包括：获得外延层的掺杂浓度；获得反向偏置电压值V：使用探针与外延层接触，形成肖特基结，并对肖特基结施加逐步增大的反向偏置电压，记录下电流出现明显变化时的反向偏置电压值V；根据公式

本实用新型公开了一种源气进气过渡部件的拆取装置，可将倒钩部的一端从过渡本体的一侧开口伸入并从过渡本体的另一侧开口伸出，通过手持板向上提起该拆取装置直至插板顶面靠抵在过渡本体内腔顶面，此时倒钩部和限位部可对过渡本体内腔顶部进行前后限位，避...

本实用新型公开了一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件，由于第一本体和第二本体相嵌合配合，由于淀积生长过程中会产生大量高温的附属物粉尘和颗粒吸附在源气进气过渡部件内，因此，当位于后端的第二本体淀积的粉尘和颗粒较厚时，可仅更换第二本体，使用...