本发明涉及一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，包括：(1)对制绒后的硅片进行如下处理：先对制绒后的硅片正面进行硼掺杂，设置硼扩温度为1030‑1070℃，氧化驱入时间4000s‑5200s；再在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和非...

本发明公开了一种光伏组件及光伏发电系统，光伏组件包括边框、汇流条、层压件及接线盒组件，边框的材质为塑料，接线盒组件包括二极管、盒体及弹性件，二极管固定设置在盒体内部，盒体位于边框的型腔内，弹性件的一端与盒体的外壁连接，弹性件的另一端贯穿...

本发明涉及一种双面Topcon电池的制备方法，包括：对N型硅片进行预处理；硅片背面依次沉积第一隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和第一掩膜层；清洗并制绒；正面沉积第二隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层和第二掩膜层，并退火；在正面第二掩膜层远离磷掺杂多晶...

本发明涉及一种Topcon电池制备方法，方法包括：对N型晶体硅基体依次进行制绒、硼扩散、正面激光掺杂沉积、正面氧化、碱抛清洗、背面沉积隧穿氧化层、背面磷掺杂、清洗处理；在硅基体正面生长正面钝化层，正面钝化层的材质为氧化铝；在硅基体正面生...

本发明涉及一种TOPCon太阳能电池的制备方法及TOPCon电池，制备方法包括如下步骤：S1、对N型硅片进行预处理，预处理后，N型硅片的正面依次沉积有硼扩散层、正面钝化抗反射层，N型硅片的背面依次沉积有隧穿氧化层、磷掺杂的多晶硅层、背面...

本实用新型涉及一种光伏边框送料装置，包括送料机构，送料机构用于将光伏边框传送至输送带，送料机构包括位移驱动组件

本实用新型涉及一种串焊机料盒定位锁紧装置，装置包括定位组件和锁紧组件，定位组件用于定位料盒一侧，定位组件包括第一支架

本实用新型涉及一种扩散及LPCVD石英舟，包括两个方形固定板以及多个横杆、多个卡杆，横杆与卡杆平行设置，横杆与卡杆沿各自轴向开设有多个用于卡接硅片的卡槽，在工作状态下，石英舟的横杆、卡杆均沿水平方向延伸，横杆的卡槽与卡杆的卡槽在同一竖直...

本实用新型涉及一种HJT结构及太阳能电池，结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜，正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极；硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶...

本实用新型公开了一种TOPCon太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的正面依次向上设置有硼发射极层、第一钝化膜层、第二钝化膜层和正面金属电极，所述硅基体的背面依次向下设置有隧穿氧化层、掺杂层、第二钝化膜层及背面金属电极。本实用新型的一种T...

本实用新型公开了一种层压件及双玻光伏组件，层压件由上至下依次包括第一玻璃层、上封装层、电池层、下封装层和第二玻璃层，所述电池层包括一片或两片以上的电池片，所述下封装层与第二玻璃层之间设置有隔离层，所述隔离层包括第一膜层、第二膜层和位于所...

本发明公开一种钝化接触电池及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在制绒清洗后的硅片正面生长掩膜层；硅片背面进行碱抛光；在硅片上一步沉积隧穿氧化层和本征非晶硅层；再进行硼掺杂得到硼掺杂多晶硅层；去除正面绕扩的硼硅玻璃层和正面沉积的隧穿氧化层...

本发明公开一种去除电池正面绕镀的方法及其应用及N

本实用新型公开了一种电池片结构及太阳能电池片和光伏组件，电池片结构包括均匀间隔地开设在所述电池片正面和/或背面的多个凹槽及容纳于所述凹槽中的导电填充层，所述凹槽平行于所述电池片的长度方向，所述凹槽的顶面与所述电池片的表面齐平，所述凹槽的...

本实用新型公开了一种光伏组件用汇流条及光伏组件，包括汇流条本体、反射部和连接部，所述反射部和连接部分别位于所述汇流条本体的顶部和底部，所述反射部包括第一反射件和/或第二反射件，所述第一反射件和/或第二反射件倾斜设置。本实用新型的一种光伏...

本实用新型公开了一种光伏组件用边框及光伏组件，包括用于包覆层压件侧边的安装部以及用于支撑安装部的支撑部，支撑部包括上下相对设置的第一底板和第二底板以及左右相对设置的第一侧板和第二侧板，支撑部开设有至少一个通槽，通槽沿支撑部的宽度方向延伸...

本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池，方法包括：(1)对硅衬底背面进行湿法化学抛光、清洗；(2)在硅衬底抛光面上生长隧穿氧化层；(3)在隧穿氧化层上依次沉积多层本征非晶硅层，其中，在靠近隧穿氧化层至远离隧穿氧化层的方向上，后...

本发明公开了一种双玻光伏组件及其制造工艺，包括如下步骤：将两个玻璃板水平放置，分别在两个玻璃板四周贴胶带；分别向贴好胶带的两个玻璃板的上表面倒入胶黏剂形成连接层；在其中一个玻璃板的连接层上放入电池串并排气泡；撕去两个玻璃板四周的胶带，将...

本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池，制备方法包括如下步骤：对清洗制绒后的硅片进行硼扩散，再进行激光局部重掺杂，最后对硅片进行修复得到硼掺杂选择性发射极，硼扩散的步骤包括对硅片表面进行第一次氧化形成氧化硅层，...

本发明公开了一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：对清洗制绒后的硅片进行硼扩散、碱抛光，再在硅片背面沉积隧穿氧化层和掺杂层后退火并进行化学清洗；再次对硅片进行退火并在硅片背面形成氧化膜层，再在硅片正面沉积第一钝化膜层，然后...