杭州左蓝微电子技术有限公司专利技术

杭州左蓝微电子技术有限公司共有102项专利

  • 本技术公开一种高频大带宽弹性波装置,属于弹性波装置领域,解决了单个压电体层由于自身原因造成难以应用在高频大带宽滤波器中的问题,解决该问题的技术方案主要是包括支撑基板;第一压电体层,其设置在所述支撑基板上;第二压电体层,其设置在所述第一压...
  • 本技术属于声表面波技术领域,公开一种声表面波滤波器,包括衬底和连接在衬底上的电极,所述电极包括第一功能层和第二功能层,所述第一功能层和衬底之间设有用于阻止第一功能层金属原子迁移和扩散的第一黏附层,所述第一功能层和第二功能层之间设有用于阻...
  • 本发明公开了一种TC‑SAW谐振器,包括:压电基板,压电基板包括沿第一方向依次排布的第一间隔区、覆盖区和第二间隔区;电极层,设置在压电基板表面,电极层包括第一汇流条、第二汇流条、与第一汇流条连接的多个第一电极条、以及与第二汇流条连接的多...
  • 本实用新型公开了一种高隔离声表面波双工器,包括天线端口、接收端口、发射端口、连接在天线端口与发射端口之间TX滤波器以及连接在天线端口与接收端口之间的RX滤波器,其特征在于,所述TX滤波器、RX滤波器均为梯形结构,且TX滤波器、RX滤波器...
  • 本实用新型公开了一种抑制横向谐振声表面波谐振器及滤波器,所述声表面波谐振器包括压电基板和设置在压电基板上的叉指换能器,叉指换能器包括第一叉指汇流条和第二叉指汇流条;第一叉指汇流条延伸出第一叉指电极和第一虚设电极,第二叉指汇流条延伸出与第...
  • 本发明公开了具有横向模态抑制效果的弹性波装置,包括压电性基板和设置在所述压电性基板上的IDT电极,所述IDT电极包括相对设置的第一汇流条、第二汇流条、一端与所述第一汇流条连接的多个第一电极以及一端与所述第二汇流条连接的多个第二电极,多个...
  • 本实用新型公开了一种声表面波谐振器,所述声表面波谐振器包括压电基板和设置在压电基板上的叉指换能器,叉指换能器包括第一叉指汇流条和第二叉指汇流条;第一叉指汇流条延伸出第一叉指电极和第一虚设电极,第二叉指汇流条延伸出第二叉指电极和第二虚设电...
  • 本发明公开了一种抑制横向模态的谐振器,包括压电基板及设置在其上的IDT电极,IDT电极包括第一汇流条及第二汇流条,第一叉指电极端部及该端部与第二叉指电极端部对应位置设有加宽部,第二叉指电极端部及该端部与第一叉指电极端部对应位置也设有加宽...
  • 本发明公开了一种高隔离声表面波双工器,包括天线端口、接收端口、发射端口、连接在天线端口与发射端口之间TX滤波器以及连接在天线端口与接收端口之间的RX滤波器,所述TX滤波器、RX滤波器均为梯形结构,且TX滤波器、RX滤波器中,每一至两个并...
  • 本实用新型公开了一种高性能谐振器,包括压电基板及设置在其上的IDT电极,IDT电极包括第一汇流条及第二汇流条及设置于汇流条两侧的反射栅,第一叉指电极端部及该端部与第二叉指电极端部对应位置设有加宽部,第二叉指电极端部及该端部与第一叉指电极...
  • 本发明公开了一种弹性波装置及其制作方法,弹性波装置包括支撑基板、中间层、压电层及电极层,所述中间层包括接合层、低电阻率层、若干声阻抗相对高的高声阻抗层和若干声阻抗相对低的低声阻抗层;其中,所述低电阻率层设置在两层低声阻抗层之间形成电子捕...
  • 本发明公开了一种声表滤波器封装结构,包括:基板、滤波芯片、稠胶、内阻挡块、外阻挡块和塑封层,所述稠胶环绕设置在所述滤波芯片的侧壁与所述基板之间,以使所述滤波芯片与所述基板之间形成密封空腔;所述内阻挡块和所述外阻挡块之间形成凹槽,所述稠胶...
  • 本发明公开了一种声波器件隔离基板,包括双工器和隔离基板,双工器包括TX滤波器和RX滤波器,TX滤波器和RX滤波器均包含有至少两个并联谐振臂,其中两个并联谐振臂与接地电感级联构成LC谐振零点;隔离基板设有若干个基板金属层,一个基板金属层设...
  • 本实用新型公开了一种抑制能量横向泄露的薄膜体声波谐振器,包括衬底、位于衬底上方的压电三明治结构,其特征在于:所述三明治结构上方与下方均设有质量负载层,所述三明治结构包括压电层、位于压电层上方的上电极与位于压电层下方的下电极,上、下质量负...
  • 本发明提供了一种基于纵声表面波的高性能声学器件,属于声学器件技术领域。所述声学器件包括依次叠加的衬底、温度补偿层、压电薄膜和叉指换能器,其中,所述衬底采用碳化硅单晶衬底或金刚石衬底,所述压电薄膜采用X
  • 本实用新型公开了一种横向激励薄膜体声波谐振器,横向激励薄膜体声波谐振器包括压电板、叉指换能器、若干镂空槽和介电材料,镂空槽设在压电板上,若干镂空槽分别设在靠近两个汇流条的位置,且位于叉指电极的末端附近,介电材料声速低于压电板声速,介电材...
  • 本实用新型涉及芯片技术领域,提供了一种基于纵声表面波的高性能声学器件。所述声学器件包括依次叠加的衬底、温度补偿层、压电薄膜和叉指换能器,其中,所述压电薄膜采用X
  • 本实用新型公开了一种集成化声波器件,包括复合基板、三明治结构、叉指结构,其中所述复合基板被分为第一谐振区域和第二谐振区域,第一谐振区域包含第一基底,第二谐振区域从下至上包含第一基底及第二基底,复合基板在第一谐振区域设有空腔,所述三明治结...
  • 本发明公开了一种集成化声波器件及其制造方法,方法包括:S1:制备含有作为第一谐振器第一基底及位于第一基底上方的第二谐振器第二基底的复合基板,并去除部分第二基底形成用于制备第一谐振器的第一制备区;S2:在复合基板的第一制备区制备三明治结构...
  • 本实用新型公开了一种可靠性高的射频前端模组,涉及射频前端模组加工技术领域,包括基板以及设于基板表面的第一焊盘、第二焊盘、阻焊层和引出导线,所述引出导线包括被基板与阻焊层包覆的隔绝段和未被阻焊层包覆的开窗段,所述开窗段与第一焊盘连接,所述...