本发明提供一种测试半导体器件的方法，包括以下步骤：依次在多个操作模式下测试半导体器件；以及当所述半导体器件通过了测试时，将半导体器件编程为在所述操作模式中的至少一个操作模式下操作。

本发明提供一种半导体装置，包括扫描电路模块，所述扫描电路模块包括：接收部，所述接收部被配置为响应于第二控制信号而从设置在第一芯片中的另一个电路单元的输出信号和设置在第二芯片中的电路单元的输出信号中的一个来产生输出信号；以及输出部，所述输...

本发明涉及非易失性存储装置及操作该存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：第一节点；电流源，被配置为具有根据提供给所述第一节点的电压确定的电流值；以及耦合到所述第一节点的存储单元串，所述存储单元串包括至少一个存储单元。基于提供给所述第...

本发明提供一种半导体装置，可以包括：第一芯片ID发生单元，所述第一芯片ID发生单元被配置为经由第一穿通硅通孔接收使能信号以及经由第二穿通硅通孔接收时钟信号，并产生第一芯片ID信号和延迟的使能信号；第二芯片ID发生单元，所述第二芯片ID发...

本发明提供一种半导体集成电路的信号传输方法。所述半导体集成电路包括：多个半导体芯片，所述多个半导体芯片被层叠成多层结构；每个半导体芯片中的校正电路，所述校正电路被配置为将与芯片在层叠中的位置相对应的延迟时间反映到输入信号中，以输出至每个...

本发明公开一种非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括：交替地彼此平行布置的位线和源极线；以及交替地布置在位线与源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管的偶数串和奇数串。漏极选择晶体管包括结构与存储器晶体管相...

本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输...

本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输...

本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输...

本发明提供一种半导体存储装置的占空比校正电路，包括：占空比校正单元，被配置为响应于占空比校正范围控制信号来确定占空比校正范围，响应于占空比校正码来将输入时钟的占空比校正为落在所确定的占空比校正范围内，并产生占空比校正时钟；占空比检测单元...

本发明公开了一种用于将离子注入晶片的设备以及局部离子注入方法。此局部离子注入设备和方法期望地提供对所注入的掺杂剂的能量的控制。该局部离子注入设备通常包括离子束发生器、以及第一和第二减速单元。该第一减速单元减速由该离子束发生器产生的离子束...

本申请涉及闪存器件及其中闪存单元块的擦除方法。闪存器件包括具有多个块的存储器单元阵列。地址寄存器部被配置为接收要擦除的多个块中的要擦除的第一块的起始块地址和要擦除的最后块的最后块地址。控制逻辑电路被配置为输出擦除命令信号和与要擦除的块之...

本发明涉及用于测试设定/保持时间的设备和方法。该方法包括：当测试模式处在禁用状态下时，根据第一输入数据校准芯片外驱动器的输出数据电平；以及当测试模式处在启用状态下时，根据第二输入数据校准多个数据输入单元当中的选择的数据输入单元的设定/保...

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一信号延迟模块，所述第一信号延迟模块被配置成用变化的延迟量将输入信号的第一边沿延迟，维持所述输入信号的第二边沿，以及输出至少一个第一驱动信号；第二信号延迟模块，所述第二信号延迟模块被配置...

一种制造半导体器件的方法，包括在底层结构之上形成通过多个沟槽彼此隔离的多个隔离图案；形成填充在所述沟槽中的多个导线，通过去除所述隔离图案的第一部分来形成接触孔，其中通过所述多个导线以及在去除隔离图案的第一部分之后留下的隔离图案的第二部分...

本发明提供一种反熔丝控制电路，包括第一电源电压施加单元、第二电源电压施加单元、以及控制单元。第一电源电压施加单元被配置为响应于加电信号而选择性施加第一电源电压至输出节点。第二电源电压施加单元被配置为响应于编程信号而选择性施加第二电源电压...

本发明公开了一种具有熔丝电路的半导体集成电路和熔丝电路的驱动方法。所述半导体集成电路包括：连接在第一节点与第二节点之间的熔丝；第一驱动器，被配置成响应于熔丝感测信号在初始化时间段内下拉第一节点的电压；第二驱动器，被配置成响应于熔丝感测信...

本发明提供一种管道锁存器控制电路和一种使用所述管道锁存器的半导体集成电路。所述管道锁存器控制电路包括读取命令控制单元，所述读取命令控制单元被配置为接收第一信号并响应于控制信号产生读取信号。在所述管道锁存器控制电路中，所述读取命令控制单元...

本发明公开了一种半导体存储装置及其驱动方法。所述半导体存储装置包括：主字线译码器，配置成对行地址的较高位进行译码，以生成主字线选择信号；子字线选择线译码器，配置成对所述行地址中比所述较高位低的所述行地址的位进行译码，以生成子字线选择信号...

本发明公开一种包括埋入式栅极的半导体器件。在半导体器件中，位线触点与有源区的顶部表面和侧表面接触，从而增加了在位线触点和有源区之间的接触面积并且防止在位线触点中产生高电阻故障。