试验装置具有注入口(2)、用于从注入口(2)注入的液体进行流动的内部流路(31、32)、以及用于吸收通过了内部流路(31、32)的液体的液体吸收材料(4)。内部流路(31、32)包括：具有试验区域(31c)的微流路(31)以及设置在微流...

一种能在超高真空状态下高效放电的小型等离子体源，包括：第一磁体；第二磁体，被布置为对于第一磁体的第一磁极，其与第一磁极不同的第二磁极与之相对；第三磁体，在与第一磁体的第一磁极朝向相同的方向上，其与第一磁极不同的第二磁极与之相对，且围绕第...

半导体装置在层叠半导体基板SB上具备功率晶体管UMOS、n型晶体管NMOS及p型晶体管PMOS，层叠半导体基板SB在n型半导体基板SUB上层叠有n型的漂移层DL、p型的埋入基底层BBL及p型的基底层BL，功率晶体管UMOS具有贯通基底层...

一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差...

一种电子部件的安装方法，其中，所述电子部件的安装方法包含：在将电磁波屏蔽件施加于多个焊料部中的一部分的焊料部的状态下对电子部件安装用基板照射微波，利用通过该微波照射而形成的驻波的磁场的作用，至少对未施加电磁波屏蔽件的焊料部进行加热熔融，...

该ScAlN层叠体具备基板、形成于基板上的基底层以及形成于基底层上的ScAlN薄膜，基底层的与表面平行的晶格面中最接近的原子间的距离即最近原子间距离短于ScAlN薄膜的a轴长。

本发明提供曝光用防护膜

本发明提供曝光用防护膜

本发明的课题在于提供一种新的高频用磁性材料及其制造方法，其具有比铁氧体系磁性材料更高的导磁率，比金属系磁性材料更高的电阻率，因此解决了涡流损耗等问题

本发明提供一种电解液，其中，在使用不含锂的过渡金属硫化物作为正极活性物质的非水二次电池中，能够提高充放电循环特性。一种非水二次电池用电解液，其中，所述非水二次电池是使用不含锂的过渡金属硫化物作为正极活性物质的非水二次电池，所述电解液含有...

一种弹性体组合物，相对于100质量份的弹性体，其以1质量份以上且小于60质量份的比例含有溶媒，上述溶媒包含与碳纳米管亲和性高的、沸点为200℃以下的有机溶剂A和与弹性体亲和性高的、沸点为200℃以下的有机溶剂B，上述溶媒的弹性体的体积溶...

本发明涉及新型微生物以及麦角硫因的生产方法。本发明的微生物是Papiliotremaflavescens(NITEBP

本发明的一实施方式的监视装置(100)具备：透镜(4)；罩(5)，其覆盖透镜(4)的周面；以及等离子体致动器(7)，其包含第一电极(71)，第一电极(71)朝向罩(5)的中心轴(C)产生由电介质阻挡放电生成的等离子体(P)和感应喷流(F...

本发明涉及新型微生物以及麦角硫因的生产方法。本发明的微生物是Apiotrichumporosum(NITEBP

微波等离子处理装置具备：谐振器，其包括容器；单一的微波振荡源，其对所述谐振器输出基准微波；波导管，其连接所述微波振荡源和所述谐振器；以及相位控制机构，其通过控制所述基准微波的相位，而生成相位与所述基准微波不同的改变微波，所述谐振器包括将...

一种电解液，满足(A)含有包含环状碳酸酯化合物的有机溶剂，且将所述有机溶剂的总量设为100体积％，环状碳酸酯化合物的含量为80～100体积％，链状碳酸酯化合物的含量为0～20体积％，(B)含有包含环状碳酸酯化合物的有机溶剂和添加剂中的至...

本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为20...

本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200...

本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50...

本发明的锂复合氧化物单晶的化学组成为Li