广州天极电子科技有限公司专利技术

广州天极电子科技有限公司共有36项专利

  • 本发明提供了一种高面积比容的电容器及其制造方法。所述电容器包括介质基板、第一电极和第二电极,所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔,所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔,所述第一盲孔和第二盲孔...
  • 本发明涉及一种超宽带滤波器。该超宽带滤波器包括由上至下依次设置的金属微带、夹层介质基板和金属地层,金属微带包括金属板以及设置在金属板上的金属微带结构,金属微带结构关于对称面呈左右镜像对称,第一端口连接线连接外部设备,外部设备发送的能量通...
  • 本发明涉及一种可引线键合多层电容器及制作方法,包括第一端电极、多个第一内电极层、多个第二内电极层、多个介质层和第二端电极;所述第一内电极层和所述第二内电极层依次交替层叠,所述第一内电极层和所述第二内电极层之间为所述介质层;所述第一端电极...
  • 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用,属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料:SrTiO
  • 本发明涉及电阻元件技术领域,尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器,包括基板、薄膜电阻层和电极层;所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层;所述NbN薄膜层与基板接触,所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种晶体管及其制备方法,本发明提供的晶体管,由下到上依次包括硅片、绝缘层、修饰层、有机半导体层和金属源漏电极层;所述绝缘层的材料为Al2O3、HfO2或ZrO2;所述修饰层的材料为含磷酸基的有机物。...
  • 本发明提供了一种薄膜晶体管器件及其制备方法,属于晶体管制备技术领域。本发明的制备方法以镧锆氧薄膜为绝缘层,通过控制镧和锆的摩尔比为1:9~9:1,极大的提高了绝缘层的介电常数和电容密度,为降低薄膜晶体管器件的工作电压提供可能;同时,本发...
  • 本发明公开一种陶瓷储能电容器及其制备方法。通过在陶瓷基片两面各包覆一层极薄的氧化物介质薄膜,在制备出的陶瓷储能电容器厚度较薄的情况下还能够保持电容器的电容量基本不变;本发明采用的氧化物介质薄膜的导热性比高分子材料导热性好,能够降低储能电...
  • 本发明公开了一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法。所述调整方法包括:将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内;将原子注入设备的内部做真空处理,当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时充入高于氩气纯度阈值的氩气,并保持原子注入设备的内...
  • 本发明属于纳米粉体的制备技术领域。本发明提供了一种锆掺杂的钛酸锶钡纳米粉体的制备方法,所述锆掺杂的钛酸锶钡纳米粉体的化学式为BaXSr1‑XZrYTi1‑YO3,0.2≤X≤0.5,0.05≤Y≤0.09,包括如下步骤:按照化学计量比,...
  • 本发明公开一种陶瓷电容器的制备方法。采用原子层沉积(ALD)方法包覆陶瓷粉体,能够实现对每一个粉体颗粒的完全包覆,且包覆层的厚度可以方便地做到精确控制。包覆后的粉体烧结成陶瓷电容器,所述陶瓷电容器在额定电压下的绝缘电阻较未包覆样品提高了...
  • 本实用新型公开一种金锡焊盘单层陶瓷电容器。所述金锡焊盘单层陶瓷电容器包括:第一电极层、介质层、第二电极层和金锡焊层,所述第一电极层通过所述介质层与所述第二介质层连接,所述金锡焊层设置在所述第一电极层或所述第二电极层上。本实用新型提高了单...
  • 本实用新型公开一种单层电容器。所述单层电容器包括:上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极;所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接,所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接;所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度;...
  • 一种单层电容器及制备方法
    本发明公开一种单层电容器及制备方法。所述单层电容器包括:上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极;所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接,所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接;所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的...
  • 一种三维结构陶瓷电容器及其制备方法
    本发明公开一种三维结构陶瓷电容器的制备方法及电容器。所述方法包括以下步骤:将半导体陶瓷粉末流延膜通过热压成型为生坯片;在所述生坯片上冲出通孔;把未冲孔的所述生坯片和冲孔后的所述生坯片叠放在一起,分别通过热压和静水压形成成型坯片;将所述成...
  • 一种新型高耐电压脉冲功率电容器
    本实用新型提供一种新型高耐电压脉冲功率电容器,所述电容器包括多层介电层,所述每一层介电层包括陶瓷基片、覆在陶瓷基片上表面的第一金属膜层和下表面的第二金属膜层;所述第一金属膜层包括窄部和宽部,所述窄部的右侧与陶瓷基片右端的距离为窄部左右两...
  • 一种空心球状钛酸锶粉体及其制备方法
    本发明提供一种空心球状钛酸锶粉体,所述空心球状钛酸锶粉体的内径为0.6‑0.8μm,所述空心球状钛酸锶粉体的外径为0.8‑1.4μm;所述空心球状钛酸锶粉体的制备方法包括如下步骤:(1)前驱体的制备:将钛酸四丁酯在乙醇或乙醇和氨水中水解...
  • 一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法
    本发明提供一种钛酸锶粉体,以及一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法,该方法主要包括如下步骤:(1)球形偏钛酸的制备;(2)球形掺铌钛酸锶的制备;(3)半导化掺铌钛酸锶;(4)包裹偏钛酸;(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶。本发明采用两步...
  • 一种制备薄膜电容器的方法
    本发明提供一种制备薄膜电容器的方法,用水热法合成的钨酸铋和/或钼酸铋颗粒在基底上热处理后得到薄膜电容器的介质层,基底可为导电陶瓷、导体陶瓷或Si/SiO
  • 本发明公开一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法,将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区,将离子注入设备抽真空达到1.0×10-4-1.0×10-5Pa之间,向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99%的高纯氮...